SIC
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다이오드 (3328)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 - 최대 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
SCS306AMC Rohm Semiconductor SCS306AMC 3.8600
RFQ
 ECAD 930 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SCS306 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220FM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 30 µa @ 650 v 175 ° C (°) 6A 300pf @ 1v, 1MHz
RBE05SM20AT2RB Rohm Semiconductor RBE05SM20AT2RB -
RFQ
 ECAD 2182 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-79, SOD-523 Schottky EMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RBE05SM20AT2RBTR 귀 99 8541.10.0070 8,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 530mV @ 500 MA 150 µa @ 20 v 125 ° C 500ma -
RB050LAM-40TFTR Rohm Semiconductor RB050LAM-40TFTR 0.6700
RFQ
 ECAD 33 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RB050 Schottky pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 550 mV @ 3 a 100 µa @ 40 v 150 ° C (°) 3A -
UDZWTE-172.2B Rohm Semiconductor Udzwte-172.2b -
RFQ
 ECAD 6649 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 0000.00.0000 3,000
VDZT2R15B Rohm Semiconductor vdzt2r15b -
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 vdzt2 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 11 v 14.7 v 42 옴
RB095BM-90TL Rohm Semiconductor RB095BM-90TL 0.7320
RFQ
 ECAD 8756 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 RB095 Schottky TO-252 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 90 v 3A 750 mV @ 3 a 150 µa @ 90 v 150 ° C (°)
UDZVFHTE-173.6B Rohm Semiconductor udzvfhte-173.6b 0.3900
RFQ
 ECAD 3971 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.4% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvfhte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 100 옴
RB480Y-90T2R Rohm Semiconductor RB480Y-90T2R -
RFQ
 ECAD 9221 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SC-75-4, SOT-543 RB480Y-90 Schottky EMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 8,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 2 독립 90 v 100ma 690 mV @ 100 ma 5 µa @ 90 v 125 ° C (°)
BAS40-05HYT116 Rohm Semiconductor BAS40-05HYT116 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 Schottky SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 10 µa @ 40 v 150 ° C
UMZ5.1KFHTL Rohm Semiconductor umz5.1kfhtl 0.0659
RFQ
 ECAD 1192 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2.16% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-82A, SOT-343 UMZ5.1 200 MW UMD4 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 2 µa @ 1.5 v 5.09 v
RB088T150NZC9 Rohm Semiconductor RB088T150NZC9 1.6000
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB088 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 10A 880 mV @ 5 a 15 µa @ 150 v 150 ° C
YFZVFHTR7.5B Rohm Semiconductor yfzvfhtr7.5b 0.4300
RFQ
 ECAD 986 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.62% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr7.5 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 4 v 7.26 v 8 옴
RF2001T4S Rohm Semiconductor RF2001T4 1.7500
RFQ
 ECAD 169 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RF2001 기준 TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.6 V @ 20 a 30 ns 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 20A -
VDZT2R24B Rohm Semiconductor vdzt2r24b -
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-723 100MW VMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 19 v 24 v 120 옴
DAN217UMTL Rohm Semiconductor dan217umtl 0.3800
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-85 Dan217 기준 UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 200 na @ 70 v 150 ° C (°)
EDZHTE616.8B Rohm Semiconductor edzhte616.8b -
RFQ
 ECAD 7621 0.00000000 Rohm 반도체 EDZ 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - -55 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 Edzht 100MW 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EDZHTE616.8BTR 귀 99 8541.10.0050 3,000
RN739DT146 Rohm Semiconductor RN739DT146 0.1411
RFQ
 ECAD 6293 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 125 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN739 smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 100MW 0.4pf @ 35V, 1MHz 핀 -1 쌍 1 연결 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
BZX84B18VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84B18VLYT116 0.4500
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.22% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 13 v 18 v 45 옴
BZX84B20VLFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B20VLFHT116 0.2700
RFQ
 ECAD 866 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 250 MW SSD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 14 v 20 v 55 옴
RSX101MM-30TFTR Rohm Semiconductor rsx101mm-30tftr 0.4500
RFQ
 ECAD 26 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RSX101 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 390 mV @ 1 a 200 µa @ 30 v 150 ° C (°) 1A -
UMZ30NT106 Rohm Semiconductor umz30nt106 0.5300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMZ30 200 MW UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 100 na @ 23 v 30 v
CDZVT2R10B Rohm Semiconductor CDZVT2R10B 0.2700
RFQ
 ECAD 72 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 cdzvt2 100MW vmn2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 8,000 100 na @ 7 v 10 v 30 옴
RR2L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RR2L4SDDTE25 0.6300
RFQ
 ECAD 635 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 DO-214AC, SMA RR2L4 기준 PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,500 짐 400 v 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 150 ° C (°) 2A -
RBR1MM40ATFTR Rohm Semiconductor rbr1mm40atftr 0.3800
RFQ
 ECAD 4 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SOD-123F RBR1MM40 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 1 a 50 µa @ 40 v 150 ° C (°) 1A -
SCS210AJTLL Rohm Semiconductor scs210ajtll 5.4900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SCS210 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.55 V @ 10 a 0 ns 200 µa @ 600 v 175 ° C (°) 10A 365pf @ 1v, 1MHz
RRE02VSM4STR Rohm Semiconductor RRE02VSM4STR 0.4700
RFQ
 ECAD 20 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-SMD,, 리드 RRE02 기준 tumd2sm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 짐 400 v 1.1 v @ 200 ma 1 µa @ 400 v 150 ° C (°) 200ma -
DAN202KT146 Rohm Semiconductor DAN202KT146 0.3400
RFQ
 ECAD 69 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Dan202 기준 smd3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C (°)
RB215T-60 Rohm Semiconductor RB215T-60 -
RFQ
 ECAD 2644 0.00000000 Rohm 반도체 - 대부분 새로운 새로운 아닙니다 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 팩 RB215 Schottky TO-220FN 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 RB215T60 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 10A 580 mV @ 10 a 600 µa @ 60 v 150 ° C (°)
RF302LAM2STFTR Rohm Semiconductor rf302lam2stftr 0.7600
RFQ
 ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-128 RF302 기준 pmdtm 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 3 a 25 ns 10 µa @ 200 v 150 ° C (°) 3A -
YFZVFHTR3.3B Rohm Semiconductor yfzvfhtr3.3b 0.4300
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 3.07% 150 ° C (TJ) 표면 표면 2-SMD,, 리드 yfzvfhtr3.3 500MW tumd2m 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 3.43 v 70 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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