SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 현재 - 최대 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT) 저항 @ if, f
1SS356TW11 Rohm Semiconductor 1SS356TW11 0.4200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 125 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F 1SS356 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 200 MW 1.2pf @ 6V, 1MHz 표준 - 단일 35V 900mohm @ 2ma, 100mhz
RLZTE-117.5B Rohm Semiconductor RLZTE-117.5B -
RFQ
ECAD 3647 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 3% - 표면 표면 DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 500MW llds 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 2,500 500 na @ 4 v 7.3 v 8 옴
EDZTE619.1B Rohm Semiconductor edzte619.1b 0.3600
RFQ
ECAD 750 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 EDZTE619 150 MW EMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 500 na @ 6 v 9.1 v 30 옴
MTZJT-7224B Rohm Semiconductor MTZJT-7224B -
RFQ
ECAD 3588 0.00000000 Rohm 반도체 MTZ J 테이프 & t (TB) 쓸모없는 ± 3% - 구멍을 구멍을 do-204Ag, do-34, 축 방향 MTZJT-72 500MW MSD - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MTZJT7224B 귀 99 8541.10.0050 5,000 200 na @ 19 v 24 v 35 옴
UDZVTE-175.6B Rohm Semiconductor UDZVTE-175.6B 0.2700
RFQ
ECAD 43 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2.5 v 5.6 v 60 옴
BZX84B27VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B27VLYFHT116 0.4200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 1.85% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 19 v 27 v 80 옴
BZX84C18VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C18VLYFHT116 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.39% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 13 v 18 v 45 옴
BAV70HYFHT116 Rohm Semiconductor bav70hyfht116 0.4300
RFQ
ECAD 587 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 bav70 기준 SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 125MA 1.25 V @ 150 mA 4 ns 500 NA @ 80 v 150 ° C
BZX84C2V7LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LYT116 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7.41% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 20 µa @ 1 v 2.7 v 100 옴
RN142VMTE-17 Rohm Semiconductor RN142VMTE-17 0.3900
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN142 UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 0.45pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 60V 3MA, 3MA, 100MHz
ADZT15R5.1B Rohm Semiconductor ADZT15R5.1B 0.3900
RFQ
ECAD 14 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.5% 150 ° C (TJ) 표면 표면 0201 (0603 메트릭) 100MW DSN0603-2, SOD-962, SMD0603 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 15,000 2 µa @ 1.5 v 5.1 v
BZX84B13VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B13VLYFHT116 0.4200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2.31% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
BZX84C3V9LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V9LYFHT116 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
DAP202FMFHT106 Rohm Semiconductor DAP202FMFHT106 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 DAP202 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C
UMZ5.1NFHT106 Rohm Semiconductor umz5.1nfht106 0.4600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.19% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 UMZ5.1 200 MW UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 2 µa @ 1.5 v 5.1 v
DAN202FMT106 Rohm Semiconductor DAN202FMT106 0.4100
RFQ
ECAD 17 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Dan202 기준 UMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 100 na @ 70 v 150 ° C
BZX84B7V5LYT116 Rohm Semiconductor BZX84B7V5LYT116 0.4500
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 v 7.5 v 15 옴
RFUH10TF6SC9 Rohm Semiconductor RFUH10TF6SC9 2.5600
RFQ
ECAD 978 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 RFUH10 기준 TO-220NFM 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 846-RFUH10TF6SC9 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2.8 V @ 10 a 25 ns 10 µa @ 600 v 150 ° C 10A -
KDZLVTFTR110 Rohm Semiconductor KDZLVTFTR110 0.4500
RFQ
ECAD 7 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 - 150 ° C 표면 표면 SOD-123F KDZLVTFTR110 1 W. SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 5 µa @ 84 v 110 v
BZX84C2V4LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V4LYFHT116 0.3800
RFQ
ECAD 2 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8.33% 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 250 MW SOT-23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
PTZTE2539A Rohm Semiconductor PTZTE2539A 0.2014
RFQ
ECAD 6160 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE2539 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 3 v 39 v 50 옴
TFZGTR3.6B Rohm Semiconductor TFZGTR3.6B 0.0886
RFQ
ECAD 9658 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 - -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 2-SMD,, 리드 TFZGTR3.6 500MW Tumd2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 v 3.6 v 60 옴
UDZLVTE-1756 Rohm Semiconductor UDZLVTE-1756 0.3000
RFQ
ECAD 2270 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.25% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F udzlvte 200 MW UMD2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 43 v 56 v 180 옴
DAN217UMFHTL Rohm Semiconductor dan217umfhtl 0.3800
RFQ
ECAD 3 0.00000000 Rohm 반도체 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 SC-85 Dan217 기준 UMD3F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 80 v 100ma 1.2 v @ 100 ma 4 ns 200 na @ 70 v 150 ° C (°)
PTZTE256.2B Rohm Semiconductor PTZTE256.2B 0.2014
RFQ
ECAD 4214 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AC, SMA PTZTE256.2 1 W. PMD 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 3 v 6.6 v 6 옴
EMZ6.8NTL Rohm Semiconductor emz6.8ntl 0.4700
RFQ
ECAD 1 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 표면 표면 SC-75, SOT-416 EMZ6.8 150 MW EMD3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 500 NA @ 3.5 v 6.8 v 40
RB162MM-60TR Rohm Semiconductor RB162MM-60TR 0.4100
RFQ
ECAD 430 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F RB162 Schottky PMDU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 650 mV @ 1 a 100 µa @ 60 v 150 ° C (°) 1A -
EMZH6.8YT2R Rohm Semiconductor emzh6.8yt2r -
RFQ
ECAD 6216 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-EMZH6.8YT2RTR 쓸모없는 8,000
SCS205KGC Rohm Semiconductor SCS205KGC -
RFQ
ECAD 2459 0.00000000 Rohm 반도체 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 SCS205 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 5 a 0 ns 100 µa @ 1200 v 175 ° C (°) 5a 270pf @ 1v, 1MHz
DB4X501K0R Rohm Semiconductor DB4X501K0R -
RFQ
ECAD 4170 0.00000000 Rohm 반도체 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 1 (무제한) 846-DB4X501K0RTR 귀 99 8541.10.0080 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고