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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | RB522S-30T9TE61 | - | ![]() | 2006 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-RB522S-30T9TE61TR | 쓸모없는 | 3,000 | |||||||||||||||||||||||
![]() | tdztr30b | - | ![]() | 9560 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 10% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TDZTR30 | 500MW | Tumd2 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 21 v | 30 v | |||||||||||||
![]() | rsx501lam20tr | 0.5100 | ![]() | 11 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-128 | RSX501 | Schottky | pmdtm | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 20 v | 390 mV @ 3 a | 500 µa @ 20 v | 150 ° C (°) | 5a | - | ||||||||||
![]() | Udzste-172.4b | 0.3500 | ![]() | 375 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 4% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | Udzste | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 1 v | 2.4 v | 100 옴 | ||||||||||||
![]() | RBR5L60ATE25 | 0.3972 | ![]() | 3265 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RBR5L60 | Schottky | PMD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 550 mV @ 5 a | 250 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 5a | - | ||||||||||
![]() | RB521FS-30T40RB | 0.3500 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | RB521 | Schottky | SMD0402 | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 40,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 370 mV @ 10 ma | 7 µa @ 10 v | 150 ° C (°) | 100ma | - | ||||||||||
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MTZJT-7711C | - | ![]() | 4647 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 500MW | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 8 v | 11 v | 20 옴 | ||||||||||||||
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![]() | RF2001T4 | 1.7500 | ![]() | 169 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-3 3 팩 | RF2001 | 기준 | TO-220FN | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.6 V @ 20 a | 30 ns | 10 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | 20A | - | |||||||||
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![]() | cdzt2ra3.6b | 0.0841 | ![]() | 8561 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | CDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 3.29% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SOD-923 | CDZT2 | 100MW | VMN2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 10 µa @ 1 v | 3.72 v | 100 옴 | ||||||||||||
![]() | RFN20TF6 | 1.0005 | ![]() | 8648 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 대부분 | 새로운 새로운 아닙니다 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | RFN20 | 기준 | TO-220NFM | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.55 V @ 20 a | 60 ns | 10 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 20A | - | |||||||||
MTZJT-7727C | - | ![]() | 7118 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-7727 | 500MW | MSD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 200 na @ 21 v | 27 v | 45 옴 | |||||||||||||
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![]() | RB451FT106 | 0.4200 | ![]() | 6 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-70, SOT-323 | RB451 | Schottky | UMD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 550 mV @ 100 ma | 30 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | 100ma | 6pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||
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![]() | RRE02VS6SGTR | 0.0983 | ![]() | 7578 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RRE02 | 기준 | tumd2s | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 600 v | 1.1 v @ 200 ma | 1 µa @ 600 v | 150 ° C (°) | 200ma | - | ||||||||||
RLZTE-119.1C | - | ![]() | 7006 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 500 na @ 6 v | 8.8 v | 8 옴 | ||||||||||||||
![]() | BZX84B9V1LFHT116 | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 1.98% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 500 na @ 6 v | 9.1 v | 15 옴 | ||||||||||||
MTZJT-727.5C | - | ![]() | 2324 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | MTZJT-72 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT727.5C | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 500 na @ 4 v | 7.5 v | 20 옴 | ||||||||||||
![]() | ufzvfhte-173.6b | 0.3100 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 3.56% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | ufzvfhte | 500MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 1 v | 3.6 v | 60 옴 | ||||||||||||
![]() | RB751SM-40T2R | 0.3300 | ![]() | 34 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | RB751 | Schottky | SC-79 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 8,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 30 v | 370 mV @ 1 ma | 500 NA @ 30 v | 150 ° C (°) | 30ma | 2pf @ 1v, 1MHz | ||||||||||
![]() | RB160L-60TE25 | 0.1613 | ![]() | 8783 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RB160 | Schottky | PMD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 580 mV @ 1 a | 1 ma @ 60 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||
![]() | KDZTR3.9A | 0.1836 | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5% | - | 표면 표면 | SOD-123F | KDZTR3.9 | 1 W. | PMDU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µa @ 1 v | 3.9 v | |||||||||||||
![]() | RB160A30T-32 | - | ![]() | 3454 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | Do-41 미니, 축 방향 | RB160 | Schottky | MSR | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 30 v | 480 mV @ 1 a | 50 µa @ 30 v | 150 ° C (°) | 1A | - | ||||||||||
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![]() | RBR2MM60BTFTR | 0.4300 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | SOD-123F | RBR2MM60 | Schottky | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 60 v | 580 mV @ 2 a | 100 µa @ 60 v | 150 ° C (°) | 2A | - | ||||||||||
![]() | yfzvfhtr2.2b | 0.4300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 4.1% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | yfzvfhtr2.2 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 120 µa @ 700 mV | 2.32 v | 120 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고