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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 용인 | 작동 작동 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기본 기본 번호 | 기술 | 전원 - 최대 | 공급 공급 장치 업체 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 다이오드 다이오드 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f | 전압 -Zener (nom) (VZ) | 임피던스 (() (ZZT) |
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![]() | TFZVTR27B | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR27 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 na @ 21 v | 27 v | 45 옴 | ||||||||||||
![]() | TFZVTR6.2B | 0.3700 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR6.2 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 5 µa @ 3 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||
![]() | cdzvt2r11b | 0.2700 | ![]() | 7 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 8 v | 11 v | 30 옴 | ||||||||||||
![]() | CDZVT2R15B | 0.2700 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 11 v | 15 v | 42 옴 | ||||||||||||
![]() | CDZVT2R18B | 0.2700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 13 v | 18 v | 65 옴 | ||||||||||||
![]() | CDZVT2R27B | 0.2700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 21 v | 27 v | 150 옴 | ||||||||||||
![]() | CDZVT2R36B | 0.2700 | ![]() | 12 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | cdzv | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 27 v | 36 v | 300 옴 | ||||||||||||
![]() | cdzvt2r4.7b | 0.2700 | ![]() | 29 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | cdzvt2 | 100MW | vmn2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 2 µa @ 1 v | 4.7 v | 100 옴 | ||||||||||||
![]() | UDZLVTE-1762 | 0.3000 | ![]() | 74 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvte | 200 MW | SOD-323FL | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 200 µa @ 47 v | 62 v | |||||||||||||
![]() | PTZTE258.2A | 0.2014 | ![]() | 5904 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6% | - | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | PTZTE258.2 | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 20 µa @ 5 v | 8.2 v | 4 옴 | ||||||||||||
![]() | EDZFTE6112B | - | ![]() | 6194 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzft | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZFTE6112BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | edzldte6111b | - | ![]() | 1756 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | EDZ | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | - | -55 ° C ~ 125 ° C | 표면 표면 | Edzldt | 100MW | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 846-EDZLDTE6111BTR | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | |||||||||||||||||
![]() | TFZVTR3.0B | 0.3700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | TFZVTR3.0 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 50 µa @ 1 v | 3 v | 80 옴 | ||||||||||||
RLZTE-1139C | - | ![]() | 3793 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 표면 표면 | DO-213AC, Mini-Melf, SOD-80 | RLZTE-1139 | 500MW | llds | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 2,500 | 200 na @ 30 v | 36.3 v | 85 옴 | |||||||||||||
![]() | rf05vam1str | 0.3900 | ![]() | 47 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | RF05VAM1 | 기준 | tumd2s | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 100 v | 980 mV @ 500 mA | 25 ns | 10 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | 500ma | - | |||||||||
![]() | RB238NS150FHTL | 2.5700 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RB238 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 150 v | 40a | 920 MV @ 20 a | 20.2 ns | 30 µa @ 150 v | 150 ° C (°) | |||||||||
MTZJT-773.3A | - | ![]() | 7766 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | MTZ J | 테이프 & t (TB) | 쓸모없는 | ± 3% | - | 구멍을 구멍을 | do-204Ag, do-34, 축 방향 | 500MW | MSD | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | MTZJT773.3A | 귀 99 | 8541.10.0050 | 5,000 | 3.3 v | |||||||||||||||
![]() | EDZVFHT2R22B | 0.3400 | ![]() | 23 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 2.11% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZVFHT2 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 8,000 | 100 na @ 17 v | 22 v | 100 옴 | ||||||||||||
![]() | ptztfte252.7b | 0.4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 7.41% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | 1 W. | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 1,500 | 200 µa @ 1 v | 2.9 v | 15 옴 | |||||||||||||
![]() | BZX84C6V2LT116 | 0.2300 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 6.45% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 | ||||||||||||
![]() | udzlvfhte-1756 | 0.4400 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 6.25% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | udzlvfhte-1756 | 200 MW | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 1 µa @ 43 v | 56 v | |||||||||||||
![]() | KDZTR3.9A | 0.1836 | ![]() | 5064 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZ | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 5% | - | 표면 표면 | SOD-123F | KDZTR3.9 | 1 W. | PMDU | - | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 40 µa @ 1 v | 3.9 v | |||||||||||||
![]() | BAV170HMFHT116 | 0.3100 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAV170 | 기준 | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 짐 | 1 음극 음극 공통 | 80 v | 215MA (DC) | 1.25 V @ 150 mA | 3 µs | 5 na @ 75 v | 150 ° C (°) | |||||||||
![]() | RF101L4STE25 | 0.1154 | ![]() | 3732 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | DO-214AC, SMA | RF101 | 기준 | PMD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.25 V @ 1 a | 25 ns | 10 µa @ 400 v | 150 ° C (°) | 1A | - | |||||||||
![]() | tdzvtr15 | 0.3800 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | ± 10% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | 2-SMD,, 리드 | tdzvtr15 | 500MW | tumd2m | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 10 µa @ 10 v | 15 v | |||||||||||||
![]() | RB088NS100FHTL | 1.4000 | ![]() | 27 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | RB088 | Schottky | LPD | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 10A | 870 mV @ 5 a | 11.8 ns | 5 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | |||||||||
![]() | RB500V-40TE-17 | 0.4900 | ![]() | 28 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | 표면 표면 | SC-90, SOD-323F | RB500 | Schottky | UMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 40 v | 450 mV @ 10 ma | 1 µa @ 10 v | 125 ° C (°) | 100ma | 6pf @ 10V, 1MHz | ||||||||||
![]() | edzte615.1b | - | ![]() | 4126 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | ± 2% | -55 ° C ~ 150 ° C | 표면 표면 | SC-79, SOD-523 | EDZTE615 | 150 MW | EMD2 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 2 µa @ 1.5 v | 5.1 v | 80 옴 | ||||||||||||
![]() | KDZVTR6.2B | 0.3900 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | KDZV | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | 150 ° C | 표면 표면 | SOD-123F | KDZVTR6.2 | 1 W. | PMDU | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 20 µa @ 3 v | 6.6 v | |||||||||||||
![]() | BZX84B6V2LFHT116 | 0.2700 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Rohm 반도체 | 자동차, AEC-Q101 | 테이프 & tr (TR) | 새로운 새로운 아닙니다 | ± 1.94% | 150 ° C (TJ) | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BZX84 | 250 MW | SSD3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0050 | 3,000 | 3 µa @ 4 v | 6.2 v | 10 옴 |
일일 평균 RFQ 볼륨
표준 제품 단위
전 세계 제조업체
재고 창고