SIC
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다이오드 (7305)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MMBZ5229B-7-G Diodes Incorporated MMBZ5229B-7-G -
RFQ
 ECAD 3379 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5229B-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZT52C33-7-F Diodes Incorporated BZT52C33-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 43 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 23.1 v 33 v 80 옴
MMBZ5256B-7-F-79 Diodes Incorporated MMBZ5256B-7-F-79 -
RFQ
 ECAD 3595 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 MMBZ5256B-7-F-79DI 귀 99 8541.10.0050 3,000
MBR1030 Diodes Incorporated MBR1030 -
RFQ
 ECAD 1847 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 MBR1030 Schottky TO-220AC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 840 mV @ 10 a 100 µa @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 10A 400pf @ 4V, 1MHz
BZT52C5V6-13 Diodes Incorporated BZT52C5V6-13 -
RFQ
 ECAD 3052 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 1 µa @ 2 v 5.6 v 40
SBL1640 Diodes Incorporated SBL1640 -
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 570 mV @ 16 a 1 ma @ 40 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
DZ9F22S92-7 Diodes Incorporated DZ9F22S92-7 0.0284
RFQ
 ECAD 2318 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 DZ9F22 200 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 16.8 v 22 v 55 옴
DSC06065D1 Diodes Incorporated DSC06065D1 2.0482
RFQ
 ECAD 1010 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 DSC06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 ((wx) 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-DSC06065D1TR 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 200 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 226pf @ 100MV, 1MHz
BAT1000Q-7-F Diodes Incorporated BAT1000Q-7-F 0.2246
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT1000 Schottky SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BAT1000Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 1 a 12 ns 100 µa @ 30 v -40 ° C ~ 125 ° C 1A 175pf @ 0v, 1MHz
BZX84C9V1W-7 Diodes Incorporated BZX84C9V1W-7 -
RFQ
 ECAD 7004 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 125 ° C 표면 표면 SC-70, SOT-323 BZX84 200 MW SOT-323 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 500 na @ 6 v 9.1 v 15 옴
US1M-13-F Diodes Incorporated US1M-13-F 0.4300
RFQ
 ECAD 82 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA US1M 기준 SMA 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 1000 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 10pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5243BS-7 Diodes Incorporated MMBZ5243BS-7 0.4000
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000
MMSZ5252B-7 Diodes Incorporated MMSZ5252B-7 -
RFQ
 ECAD 9273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 MMSZ5252B 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 18 v 24 v 33 옴
BZT52C2V4LP-7 Diodes Incorporated BZT52C2V4LP-7 0.4500
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 8% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 0402 (1006 메트릭) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
1N4756A-T Diodes Incorporated 1N4756A-T -
RFQ
 ECAD 9834 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N4756 1 W. DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 5,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 35.8 v 47 v 80 옴
US1KSAFS-13 Diodes Incorporated US1KSAFS-13 0.4000
RFQ
 ECAD 6513 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 플랫 리드 US1K 기준 sma-fs 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.85 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 5pf @ 4V, 1MHz
PD3S220L-7 Diodes Incorporated PD3S220L-7 0.4800
RFQ
 ECAD 8941 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 PowerDI ™ 323 PD3S220 Schottky PowerDI ™ 323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 490 mV @ 2 a 160 µa @ 20 v -65 ° C ~ 125 ° C 2A 46pf @ 10V, 1MHz
1N5391S-T Diodes Incorporated 1N5391S-t -
RFQ
 ECAD 2296 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 do-204al, do-41, 축 방향 1N5391 기준 DO-41 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 50 v 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 1.5A 20pf @ 4V, 1MHz
SBL3045CTP Diodes Incorporated SBL3045CTP -
RFQ
 ECAD 8192 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 3 된 탭 SBL3045 Schottky ITO-220S 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 sbl3045ctpdi 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 15a 620 MV @ 15 a 1 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C
BZX84C13-7-F-31 Diodes Incorporated BZX84C13-7-F-31 -
RFQ
 ECAD 1395 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 6.54% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-BZX84C13-7-F-31TR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 30 옴
SDM02L30CP3-7 Diodes Incorporated SDM02L30CP3-7 0.2600
RFQ
 ECAD 38 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 2-xdfn SDM02 Schottky X3-WLB0603-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SDM02L30CP3-7DKR 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 30 v 380 mV @ 200 mA 120 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 200ma 10pf @ 5V, 1MHz
BZX84C22S-7-F Diodes Incorporated BZX84C22S-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 9572 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15.4 v 22 v 55 옴
DL4935-13 Diodes Incorporated DL4935-13 -
RFQ
 ECAD 9013 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4935 기준 멜프 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.2 v @ 1 a 200 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
MBRF1060CT-JT Diodes Incorporated MBRF1060CT-JT -
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 MBRF106 Schottky ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 MBRF1060CT-JTDI 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 5a 750 mV @ 5 a 100 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C3V0-7-F Diodes Incorporated BZT52C3V0-7-F 0.2100
RFQ
 ECAD 57 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 7% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BAS116UDJ-7 Diodes Incorporated Bas116udj-7 -
RFQ
 ECAD 8890 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 SOT-963 BAS116 기준 SOT-963 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 짐 2 독립 85 v 215MA (DC) 1.35 V @ 150 mA 3 µs 5 na @ 75 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC35005 Diodes Incorporated GBPC35005 -
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 ECAD 2165 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35005 기준 GBPC 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 GBPC35005DI 귀 99 8541.10.0080 100 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 50 v 35 a 단일 단일 50 v
BZT52C12-13-G Diodes Incorporated BZT52C12-13-G -
RFQ
 ECAD 1051 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C12-13-GDI 귀 99 8541.10.0050 10,000
SBR40100CTFP Diodes Incorporated SBR40100CTFP 2.6000
RFQ
 ECAD 15 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SBR40100 슈퍼 슈퍼 ITO-220AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 20A 820 MV @ 20 a 100 @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C
SBR30A120CT Diodes Incorporated SBR30A120CT 2.0600
RFQ
 ECAD 2017 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR30 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 120 v 15a 830 mv @ 15 a 100 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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