SIC
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다이오드 (7305)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BZT52C39LP-7B Diodes Incorporated BZT52C39LP-7B 0.0491
RFQ
 ECAD 8757 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 0402 (1006 메트릭) BZT52 250 MW X1-DFN1006-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 130 옴
BAV99BRLP-7 Diodes Incorporated BAV99BRLP-7 0.3800
RFQ
 ECAD 96 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 6-udfn n 패드 bav99 기준 u-dfn2020-6 (유형 b) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 연결 연결 시리즈 75 v 300MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
UF3003-A52 Diodes Incorporated UF3003-A52 -
RFQ
 ECAD 4646 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 기준 Do-201ad 다운로드 31-UF3003-A52 쓸모없는 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 3 a 50 ns 5 µa @ 200 v -65 ° C ~ 150 ° C 3A 75pf @ 4V, 1MHz
B180-13-F-2477 Diodes Incorporated B180-13-F-2477 -
RFQ
 ECAD 7862 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky SMA - 31-B180-13-F-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 790 MV @ 1 a 500 µa @ 80 v -65 ° C ~ 150 ° C 1A 80pf @ 4V, 1MHz
MBR2150VGTR-E1 Diodes Incorporated MBR2150VGTR-E1 -
RFQ
 ECAD 7538 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & t (TB) 쓸모없는 구멍을 구멍을 DO-204AC, DO-15, 축 방향 Schottky DO-15 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 1,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 150 v 850 mv @ 2 a 100 µa @ 150 v -65 ° C ~ 150 ° C 2A -
BZX84B3V3Q-7-F Diodes Incorporated BZX84B3V3Q-7-F 0.0382
RFQ
 ECAD 8629 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 300MW SOT-23-3 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-BZX84B3V3Q-7-FTR 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
BZT52HC13WF-7 Diodes Incorporated BZT52HC13WF-7 0.2500
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.54% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123F BZT52 375 MW SOD-123F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 13 v 10 옴
DL4007-13 Diodes Incorporated DL4007-13 -
RFQ
 ECAD 5912 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 do-213ab, melf (유리) DL4007 기준 멜프 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 5,000 짐 1000 v 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 15pf @ 4V, 1MHz
SBR15U100CTLQ-13 Diodes Incorporated SBR15U100CTLQ-13 0.9600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SBR15 슈퍼 슈퍼 TO-252-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 15a 800mv @ 7.5 a 100 @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MMBD2004SW-7-F Diodes Incorporated MMBD2004SW-7-F 0.0851
RFQ
 ECAD 1782 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 MMBD2004 기준 SOT-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 연결 연결 시리즈 240 v 225MA (DC) 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 240 v -65 ° C ~ 150 ° C
DFLZ6V2-7 Diodes Incorporated DFLZ6V2-7 0.4900
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 PowerDI®123 DFLZ6 1 W. PowerDI ™ 123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0050 3,000 1.2 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 6.2 v 3 옴
DSC06A065FP Diodes Incorporated DSC06A065FP 3.3900
RFQ
 ECAD 50 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2, 분리 된 탭 DSC06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky ITO-220AC (20 wx) - Rohs3 준수 1 (무제한) 31-DSC06A065FP 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 200 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 6A 273pf @ 100MV, 1MHz
DDZ9692Q-7 Diodes Incorporated DDZ9692Q-7 -
RFQ
 ECAD 5061 0.00000000 다이오드가 다이오드가 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 DDZ9692 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 5.1 v 6.8 v
BZT52C5V1-13 Diodes Incorporated BZT52C5V1-13 -
RFQ
 ECAD 1302 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOD-123 BZT52 500MW SOD-123 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 2 v 5.1 v 60 옴
STPR2020 Diodes Incorporated STPR2020 0.8800
RFQ
 ECAD 30 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 STPR20 기준 to220ab ((wx) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 31-SPR2020 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 10A 1.1 v @ 10 a 30 ns 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
S3DB Diodes Incorporated S3DB -
RFQ
 ECAD 6466 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 DO-214AA, SMB 기준 SMB 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-S3dB 귀 99 8541.10.0080 1 짐 200 v 1.15 V @ 3 a 2 µs 10 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
MMBZ5241BTS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5241BTS-7-F 0.1300
RFQ
 ECAD 3572 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5241 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 3 독립 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 8.4 v 11 v 22 옴
SDT40A60VCTFP Diodes Incorporated SDT40A60VCTFP 0.9532
RFQ
 ECAD 5819 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 SDT40 Schottky ITO-220AB 다운로드 영향을받지 영향을받지 31-SDT40A60VCTFP 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 20A 600 mV @ 20 a 200 µa @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZT52C30-7-G Diodes Incorporated BZT52C30-7-G -
RFQ
 ECAD 2273 0.00000000 다이오드가 다이오드가 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 BZT52 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 BZT52C30-7-GDI 귀 99 8541.10.0050 3,000
BZT52C11T-7 Diodes Incorporated BZT52C11T-7 0.2100
RFQ
 ECAD 5111 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-79, SOD-523 BZT52 300MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 8 v 11 v 20 옴
MMBZ5227BT-7-F Diodes Incorporated MMBZ5227BT-7-F 0.4000
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SOT-523 MMBZ5227 150 MW SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 15 µa @ 1 v 3.6 v 24 옴
DZ9F13S92-7 Diodes Incorporated DZ9F13S92-7 0.0447
RFQ
 ECAD 1209 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-923 DZ9F13 200 MW SOD-923 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 10,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 13 v 37 옴
MMBZ5239BS-7-F Diodes Incorporated MMBZ5239BS-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 1460 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 MMBZ5239 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 7 v 9.1 v 10 옴
AZ23C5V1-7 Diodes Incorporated AZ23C5V1-7 -
RFQ
 ECAD 5320 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C5V1 300MW SOT-23-3 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 1 양극 양극 공통 5.1 v 60 옴
BZX84C3V6S-7-F Diodes Incorporated BZX84C3V6S-7-F 0.4100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.6 v 90 옴
BZX84C4V7S-7-F Diodes Incorporated BZX84C4V7S-7-F 0.0756
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BZX84 200 MW SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 2 독립 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 2 v 4.7 v 80 옴
SBR20E120CT Diodes Incorporated SBR20E120CT 0.8300
RFQ
 ECAD 9 0.00000000 다이오드가 다이오드가 SBR® 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-3 SBR20 슈퍼 슈퍼 TO-220-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0080 50 짐 1 음극 음극 공통 120 v 10A 790 mV @ 10 a 90 µa @ 120 v -65 ° C ~ 175 ° C
ZHCS2000TA-2477 Diodes Incorporated ZHCS2000TA-2477 -
RFQ
 ECAD 5221 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 대부분 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SOT-23-6 Schottky SOT-26 - 31-ZHCS2000TA-2477 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 500 mV @ 2 a 5.5 ns 300 µa @ 30 v 125 ° C 2A 50pf @ 25V, 1MHz
1N4448-T Diodes Incorporated 1N4448-T -
RFQ
 ECAD 2805 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N4448 기준 DO-35 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 75 v 1 v @ 100 ma 4 ns 5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 175 ° C 150ma 4pf @ 0V, 1MHz
DDZ4V7BSF-7 Diodes Incorporated DDZ4V7BSF-7 -
RFQ
 ECAD 7845 0.00000000 다이오드가 다이오드가 - 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 ± 3% -65 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-90, SOD-323F DDZ4V7 500MW SOD-323F 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0050 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 4.68 v 130 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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