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영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 기술 | 공급 공급 장치 업체 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 속도 | 전압 -dc c (vr) (최대) | 전압- v (vf) (max) @ if | 역 역 시간 (TRR) | 전류- 누출 리버스 @ vr | 작동 작동 - 온도 | 현재- 정류 평균 (IO) | 커패시턴스 @ vr, f |
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![]() | SDS065J006C3 | 2.4200 | ![]() | 6272 | 0.00000000 | 사난 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | 구멍을 구멍을 | TO-220-2 | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | TO-220-2L | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 5023-SDS065J006C3 | 귀 99 | 8541.10.0000 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.5 v @ 6 a | 0 ns | 20 µa @ 650 v | -55 ° C ~ 175 ° C | 20A | 310pf @ 0v, 1MHz | |
![]() | SDS065J010N3 | 3.0600 | ![]() | 4699 | 0.00000000 | 사난 반도체 | - | 튜브 | 활동적인 | Rohs3 준수 | 적용 적용 수 할 | 5023-SDS065J010N3 | 귀 99 | 8541.10.0000 | 1,000 |
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