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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
SL24A Good-Ark Semiconductor SL24A 0.4900
RFQ
ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 420 MV @ 2 a 200 na @ 40 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 175pf @ 4V, 1MHz
GN1G Good-Ark Semiconductor gn1g 0.2100
RFQ
ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 400 v 1 V @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 12pf @ 4V, 1MHz
BZT52B39 Good-Ark Semiconductor BZT52B39 0.1300
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 BZT52BXXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 27.3 v 39 v 130 옴
FS24 Good-Ark Semiconductor FS24 0.2600
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F Schottky SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 520 MV @ 2 a 500 na @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 120pf @ 4V, 1MHz
SMSZ4687 Good-Ark Semiconductor SMSZ4687 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101, SMSZ4XXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 4 µa @ 2 v 4.3 v
SL16A Good-Ark Semiconductor SL16A 0.4200
RFQ
ECAD 14 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 500 mV @ 1 a 200 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A -
B5817W Good-Ark Semiconductor B5817W 0.2400
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123 Schottky SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 450 mV @ 1 a 1 ma @ 20 v -50 ° C ~ 150 ° C 1A 120pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5231B Good-Ark Semiconductor MMSZ5231B 0.1200
RFQ
ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 MMSZ52XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 17 옴
BZT52B15 Good-Ark Semiconductor BZT52B15 0.1300
RFQ
ECAD 3 0.00000000 좋은 좋은 BZT52BXXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10.5 v 15 v 30 옴
GBU4J Good-Ark Semiconductor GBU4J 0.8300
RFQ
ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU 기준 GBU 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-GBU4J 귀 99 8541.10.0080 250 1 V @ 2 a 5 µa @ 600 v 3 a 단일 단일 600 v
GSTP0230S Good-Ark Semiconductor GSTP0230S 0.3400
RFQ
ECAD 30 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-90, SOD-323F Schottky SOD-323HS 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 600 mV @ 2 a 250 µa @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A -
MBRF20200CT Good-Ark Semiconductor MBRF20200CT 0.7600
RFQ
ECAD 2 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220-AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MBRF20200CT 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 200 v 10A 200 na @ 200 v -
SK56A Good-Ark Semiconductor SK56A 0.3700
RFQ
ECAD 14 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 60 v 670 mV @ 5 a 150 na @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 96pf @ 4v, 1MHz
GSBAS70-05AT Good-Ark Semiconductor GSBAS70-05AT 0.3000
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOT-523 Schottky SOT-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 70 v 70ma 1 V @ 15 ma 5 ns 100 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C
GSBAV756 Good-Ark Semiconductor GSBAV756 0.3800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 기준 SOT-363 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 공통, 1 쌍의 공통 음극 75 v 150ma 1.25 V @ 150 mA 4 ns 2.5 µa @ 75 v -65 ° C ~ 150 ° C
MBR20200CT Good-Ark Semiconductor MBR20200ct 0.6800
RFQ
ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220-AB 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-MBR20200CT 귀 99 8541.10.0080 1,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 200 v 10A 200 na @ 200 v -
HS1K Good-Ark Semiconductor HS1K 0.2400
RFQ
ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1.7 V @ 1 a 75 ns 5 µa @ 800 v 150 ° C 1A 6.5pf @ 4V, 1MHz
BZT52C3V9 Good-Ark Semiconductor BZT52C3V9 0.1300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 BZT52CXXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.13% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 3.9 v 90 옴
MB16S Good-Ark Semiconductor MB16S 0.4300
RFQ
ECAD 4 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 TO-269AA, 4- 베스 외 Schottky TO-269AA (MBS) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 700 mv @ 1 a 500 µa @ 60 v 1 a 단일 단일 60 v
DF01 Good-Ark Semiconductor DF01 0.5200
RFQ
ECAD 1 0.00000000 좋은 좋은 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 4-DF 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 4786-DF01 귀 99 8541.10.0080 60 1.1 v @ 500 ma 5 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
BZT52C6V8S Good-Ark Semiconductor BZT52C6V8 0.1300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 BZT52CXXXS 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.88% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 500MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 2 µa @ 4 v 6.8 v 15 옴
BZX584C3V3 Good-Ark Semiconductor BZX584C3V3 0.2400
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.06% 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 150 MW SOD-523 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 3.3 v 95 옴
ES3J Good-Ark Semiconductor ES3J 0.3900
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC 기준 DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 3 a 35 ns 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 3A 40pf @ 4V, 1MHz
1SMB5918B Good-Ark Semiconductor 1SMB5918B 0.4400
RFQ
ECAD 2503 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 DO-214AA, SMB 3 w DO-214AA (SMB) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1.5 v @ 200 ma 5 µa @ 2 v 5.1 v 4 옴
MMSZ5244BS Good-Ark Semiconductor MMSZ5244BS 0.1200
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% - 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 10 v 14 v 600 옴
SMSZ4681 Good-Ark Semiconductor SMSZ4681 0.1800
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 자동차, AEC-Q101, SMSZ4XXX 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 2 µa @ 1 v 2.4 v
GR1J Good-Ark Semiconductor gr1j 0.2000
RFQ
ECAD 15 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (SMA) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 7,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.3 v @ 1 a 250 ns 5 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 7.6pf @ 4V, 1MHz
SK5C0C Good-Ark Semiconductor SK5C0C 0.4300
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AB, SMC Schottky DO-214AB (SMC) 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 850 mV @ 5 a 30 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 5a 96pf @ 4v, 1MHz
A7 Good-Ark Semiconductor A7 0.2100
RFQ
ECAD 6 0.00000000 좋은 좋은 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SOD-123F 기준 SOD-123FL 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 1000 v 1 V @ 1 a 1.8 µs 5 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C 1A 6pf @ 4V, 1MHz
MMSZ5250B Good-Ark Semiconductor MMSZ5250B 0.1200
RFQ
ECAD 5 0.00000000 좋은 좋은 MMSZ52XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 15 v 20 v 25 옴
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고