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![]() | SMBYT03-400 | - | ![]() | 5239 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | DO-214AB, SMC | smbyt | 기준 | SMC | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 2,500 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 400 v | 1.5 V @ 3 a | 60 ns | 10 µa @ 400 v | -40 ° C ~ 150 ° C | 3A | - | ||||
STTH8006W | - | ![]() | 4272 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 구멍을 구멍을 | do-247-2 (7 리드) | STTH8006 | 기준 | DO-247 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 30 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 600 v | 1.6 V @ 80 a | 105 ns | 50 µa @ 600 v | 175 ° C (°) | 80a | - | |||||
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![]() | STPS40SM100cg | - | ![]() | 1949 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 튜브 | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | STPS40 | Schottky | D2PAK | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 50 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 1 음극 음극 공통 | 100 v | 20A | 810 mV @ 20 a | 45 µa @ 100 v | 150 ° C (°) | |||||
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![]() | BAT46AFILM | - | ![]() | 1146 | 0.00000000 | stmicroelectronics | - | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면 | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BAT46 | Schottky | SOT-23-3 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0070 | 3,000 | 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 | 1 양극 양극 공통 | 100 v | 150MA (DC) | 450 mV @ 10 ma | 5 µa @ 75 v | 150 ° C (°) | |||||
![]() | STTH8L02DDJFY-TR | - | ![]() | 6575 | 0.00000000 | stmicroelectronics | 자동차, AEC-Q101, ECOPACK®2 | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | 표면 표면, 마운트 측면 | 8-powervdfn | STTH8L02 | 기준 | Powerflat ™ (5x6) 듀얼 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 3,000 | 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) | 2 독립 | 200 v | 4a | 1.1 v @ 8 a | 40 ns | 3 µa @ 200 v | -40 ° C ~ 175 ° C | ||||
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![]() | STPSC10H065G2-TR | 4.0300 | ![]() | 198 | 0.00000000 | stmicroelectronics | Ecopack®2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 표면 표면 | TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB | SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky | d²pak | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.10.0080 | 1,000 | 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) | 650 v | 1.75 V @ 10 a | 0 ns | 100 µa @ 650 v | -40 ° C ~ 175 ° C | 10A | 480pf @ 0V, 1MHz | |||||
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일일 평균 RFQ 볼륨
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