SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
G4S06515CT Global Power Technology-GPT G4S06515CT 8.3300
RFQ
ECAD 4595 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 35.8a 645pf @ 0V, 1MHz
G5S06506CT Global Power Technology-GPT G5S06506CT 4.8300
RFQ
ECAD 2358 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G4S06515QT Global Power Technology-GPT G4S06515QT 8.6300
RFQ
ECAD 2458 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 4-powertsfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 4-DFN (8x8) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 53A 645pf @ 0V, 1MHz
GAS06520P Global Power Technology-GPT GAS06520P 11.1000
RFQ
ECAD 4087 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 66.5A 1390pf @ 0V, 1MHz
G5S06505CT Global Power Technology-GPT G5S06505CT 4.6400
RFQ
ECAD 7560 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G4S06508CT Global Power Technology-GPT G4S06508CT 4.6900
RFQ
ECAD 1563 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G3S17005C Global Power Technology-GPT G3S17005C 25.7200
RFQ
ECAD 2406 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 27a 780pf @ 0V, 1MHz
G5S12015L Global Power Technology-GPT G5S12015L 15.2900
RFQ
ECAD 4965 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0V, 1MHz
G5S12015PM Global Power Technology-GPT G5S12015pm 16.5000
RFQ
ECAD 6923 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0V, 1MHz
G4S12020A Global Power Technology-GPT G4S12020A 33.5600
RFQ
ECAD 8244 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 120 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 73A 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S12003C Global Power Technology-GPT G3S12003C 4.5600
RFQ
ECAD 8435 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 260pf @ 0V, 1MHz
G3S12015H Global Power Technology-GPT G3S12015H 20.6800
RFQ
ECAD 8064 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 21a 1700pf @ 0V, 1MHz
G3S06508J Global Power Technology-GPT G3S06508J 6.2800
RFQ
ECAD 4678 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ISO 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23a 550pf @ 0V, 1MHz
G4S06508DT Global Power Technology-GPT G4S06508DT 4.6900
RFQ
ECAD 5576 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G5S12002H Global Power Technology-GPT G5S12002H 3.0000
RFQ
ECAD 6277 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 7.5A 170pf @ 0V, 1MHz
G4S06515HT Global Power Technology-GPT G4S06515HT 8.3300
RFQ
ECAD 1776 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23.8A 645pf @ 0V, 1MHz
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
RFQ
ECAD 400 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.5A 181pf @ 0V, 1MHz
G51XT Global Power Technology-GPT G51XT 2.1900
RFQ
ECAD 1897 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 SOD-123F SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOD-123FL 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 1 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 1.84A 57.5pf @ 0V, 1MHz
G3S06520H Global Power Technology-GPT G3S06520H 11.9400
RFQ
ECAD 1681 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 26A 1170pf @ 0V, 1MHz
G3S12004B Global Power Technology-GPT G3S12004B 6.7200
RFQ
ECAD 3127 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 8.5A (DC) 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06505AT Global Power Technology-GPT G5S06505AT 4.6400
RFQ
ECAD 7102 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G3S06520P Global Power Technology-GPT G3S06520p 11.9400
RFQ
ECAD 5761 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 60a 1170pf @ 0V, 1MHz
G3S06504A Global Power Technology-GPT G3S06504A 3.0800
RFQ
ECAD 2311 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.5A 181pf @ 0V, 1MHz
G5S12002C Global Power Technology-GPT G5S12002C 2.8400
RFQ
ECAD 7902 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 8.8a 170pf @ 0V, 1MHz
G3S12010P Global Power Technology-GPT G3S12010P 13.9300
RFQ
ECAD 3811 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 110 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 765pf @ 0V, 1MHz
G3S12010A Global Power Technology-GPT G3S12010A 17.2000
RFQ
ECAD 2786 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 34.8a 770pf @ 0V, 1MHz
G5S6506Z Global Power Technology-GPT G5S6506Z 5.5400
RFQ
ECAD 8309 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30.5A 395pf @ 0V, 1MHz
G4S12020PM Global Power Technology-GPT G4S12020PM 30.5100
RFQ
ECAD 4007 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.6 V @ 20 a 0 ns 30 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 64.5a 2600pf @ 0V, 1MHz
G3S06540B Global Power Technology-GPT G3S06540B 30.6100
RFQ
ECAD 9682 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 60A (DC) 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S17010B Global Power Technology-GPT G3S17010B 33.3200
RFQ
ECAD 2827 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1700 v 29.5A (DC) 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고