SIC
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다이오드 (184)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
G3S06503A Global Power Technology-GPT G3S06503A 2.7300
RFQ
 ECAD 400 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11.5A 181pf @ 0V, 1MHz
G5S06510HT Global Power Technology-GPT G5S06510HT 5.7300
RFQ
 ECAD 7291 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23.8A -
G3S06508D Global Power Technology-GPT G3S06508D 4.8000
RFQ
 ECAD 9492 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 25.5A 550pf @ 0V, 1MHz
G5S06506CT Global Power Technology-GPT G5S06506CT 4.8300
RFQ
 ECAD 2358 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
G5S12020H Global Power Technology-GPT G5S12020H 26.0000
RFQ
 ECAD 3136 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 24.6a 1320pf @ 0v, 1MHz
G3S06506C Global Power Technology-GPT G3S06506C 4.0700
RFQ
 ECAD 4536 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 22.5A 424pf @ 0V, 1MHz
G3S12010P Global Power Technology-GPT G3S12010P 13.9300
RFQ
 ECAD 3811 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 110 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a 765pf @ 0V, 1MHz
G3S12015P Global Power Technology-GPT G3S12015p 20.6800
RFQ
 ECAD 6095 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 42A 1379pf @ 0V, 1MHz
G5S12020BM Global Power Technology-GPT G5S12020BM 21.7500
RFQ
 ECAD 2082 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 33A (DC) 1.7 V @ 10 a 0 ns 30 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
G5S06508AT Global Power Technology-GPT G5S06508AT 5.3200
RFQ
 ECAD 9245 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30.5A 550pf @ 0V, 1MHz
G3S06508J Global Power Technology-GPT G3S06508J 6.2800
RFQ
 ECAD 4678 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220ISO 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 23a 550pf @ 0V, 1MHz
G5S12015L Global Power Technology-GPT G5S12015L 15.2900
RFQ
 ECAD 4965 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1370pf @ 0V, 1MHz
G5S06508CT Global Power Technology-GPT G5S06508CT 5.3200
RFQ
 ECAD 5536 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 31a 550pf @ 0V, 1MHz
G3S17005A Global Power Technology-GPT G3S17005A 25.7200
RFQ
 ECAD 1837 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 28a 800pf @ 0V, 1MHz
G3S12005A Global Power Technology-GPT G3S12005a 7.6200
RFQ
 ECAD 3236 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 5 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 22A 475pf @ 0V, 1MHz
G4S06530BT Global Power Technology-GPT G4S06530BT 16.1800
RFQ
 ECAD 4468 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky to-247ab 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 39A (DC) 1.7 V @ 15 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C
G3S12003H Global Power Technology-GPT G3S12003H 4.5600
RFQ
 ECAD 4100 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 풀 -2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220F 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 9a 260pf @ 0V, 1MHz
GAS06520P Global Power Technology-GPT GAS06520P 11.1000
RFQ
 ECAD 4087 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 20 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 66.5A 1390pf @ 0V, 1MHz
G3S12003C Global Power Technology-GPT G3S12003C 4.5600
RFQ
 ECAD 8435 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 3 a 0 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 12a 260pf @ 0V, 1MHz
G3S12010A Global Power Technology-GPT G3S12010A 17.2000
RFQ
 ECAD 2786 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 34.8a 770pf @ 0V, 1MHz
G5S12002A Global Power Technology-GPT G5S12002A 2.8400
RFQ
 ECAD 9027 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 2 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 170pf @ 0V, 1MHz
G4S12020A Global Power Technology-GPT G4S12020A 33.5600
RFQ
 ECAD 8244 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC - 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.7 V @ 120 a 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 73A 2600pf @ 0V, 1MHz
G5S12010A Global Power Technology-GPT G5S12010A 12.6300
RFQ
 ECAD 5409 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 37a -
G4S06510CT Global Power Technology-GPT G4S06510CT 4.8600
RFQ
 ECAD 9621 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 31a 550pf @ 0V, 1MHz
G4S06506CT Global Power Technology-GPT G4S06506CT 3.9000
RFQ
 ECAD 2101 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 6 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 13.8a 181pf @ 0V, 1MHz
G5S6504Z Global Power Technology-GPT G5S6504Z 3.1900
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 8-powertdfn SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky 8-DFN (4.9x5.75) 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.6 V @ 4 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 15.45A 181pf @ 0V, 1MHz
G4S06510AT Global Power Technology-GPT G4S06510AT 4.8600
RFQ
 ECAD 7642 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 30.5A 550pf @ 0V, 1MHz
G3S06510P Global Power Technology-GPT G3S06510P 8.2400
RFQ
 ECAD 9429 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247AC 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 32.8a 690pf @ 0V, 1MHz
G5S06508DT Global Power Technology-GPT G5S06508DT 5.3200
RFQ
 ECAD 7962 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 8 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 32A 550pf @ 0V, 1MHz
G5S06505CT Global Power Technology-GPT G5S06505CT 4.6400
RFQ
 ECAD 7560 0.00000000 글로벌 글로벌 기술 기술 gpt - 컷 컷 (CT) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252 다운로드 1 (무제한) 요청시 요청시 도달하십시오 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.5 v @ 5 a 0 ns 50 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 24A 395pf @ 0V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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