SIC
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다이오드 (1824)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 - 최대 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 저항 @ if, f 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
D170S25BS1XPSA1 Infineon Technologies D170S25BS1XPSA1 -
RFQ
 ECAD 4514 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 마개 D170S25 기준 BG-DSW271-1 - 영향을받지 영향을받지 SP000090297 귀 99 8541.10.0080 1 짐 2500 v 2.3 v @ 800 a 4 µs 5 ma @ 2500 v 140 ° C (°) 255A -
D1800N44TVFXPSA1 Infineon Technologies D1800N44TVFXPSA1 601.2300
RFQ
 ECAD 6058 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 DO-200AC, K-PUK D1800N44 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 4 짐 4400 v 1.32 V @ 1500 a 100 ma @ 4400 v -40 ° C ~ 160 ° C 1800a -
D2450N07TXPSA1 Infineon Technologies D2450N07TXPSA1 244.1244
RFQ
 ECAD 9418 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK D2450N07 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 9 짐 700 v 880 mv @ 2000 a 50 ma @ 700 v -40 ° C ~ 180 ° C 2450a -
D4810N22TVFXPSA1 Infineon Technologies D4810N22TVFXPSA1 868.1100
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 do-200ae D4810N22 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2 짐 2200 v 1.078 V @ 4000 a 200 ma @ 2200 v -40 ° C ~ 150 ° C 4810a -
BAS16E6393HTSA1 Infineon Technologies BAS16E6393HTSA1 -
RFQ
 ECAD 6270 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS16 기준 PG-SOT23 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000010204 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 1.25 V @ 150 mA 4 ns 1 µa @ 75 v 150 ° C (°) 250ma 2pf @ 0V, 1MHz
D251N12BXPSA1 Infineon Technologies D251N12BXPSA1 -
RFQ
 ECAD 2875 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 D251N 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1200 v 30 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 255A -
IDW30E60AFKSA1 Infineon Technologies IDW30E60AFKSA1 -
RFQ
 ECAD 4097 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 sic에서 중단되었습니다 구멍을 구멍을 TO-247-3 idw30e60 기준 PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000547582 귀 99 8541.10.0080 240 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 30 a 143 ns 40 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 60a -
IDK05G65C5XTMA2 Infineon Technologies IDK05G65C5XTMA2 1.5789
RFQ
 ECAD 3805 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB IDK05G65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to263-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 830 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 1V @ 1V, 1MHz
ND260N12KHPSA1 Infineon Technologies ND260N12KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 7627 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 ND260N12 기준 BG-PB50nd-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 짐 1200 v 20 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 135 ° C 104a -
BAT6404WH6327XTSA1 Infineon Technologies BAT6404WH6327XTSA1 0.5200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101, BAT64 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 BAT6404 Schottky PG-SOT323 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 연결 연결 시리즈 40 v 250ma 750 mv @ 100 ma 5 ns 2 µa @ 30 v 150 ° C (°)
SIDC42D120F6X1SA3 Infineon Technologies SIDC42D120F6X1SA3 -
RFQ
 ECAD 8529 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 sic에서 중단되었습니다 표면 표면 주사위 SIDC42D 기준 호일에 호일에 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 1200 v 2.1 V @ 50 a 27 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 50a -
BAS5202VH6433XTMA1 Infineon Technologies BAS5202VH6433XTMA1 0.4100
RFQ
 ECAD 10 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-79, SOD-523 BAS5202 Schottky PG-SC79-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mv @ 200 ma 10 µa @ 45 v 150 ° C (°) 750ma 10pf @ 10V, 1MHz
BAR8802VH6327XTSA1 Infineon Technologies BAR8802VH6327XTSA1 0.4400
RFQ
 ECAD 51 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 새로운 새로운 아닙니다 150 ° C (TJ) SC-79, SOD-523 BAR8802 PG-SC79-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 100 MA 250 MW 0.4pf @ 1v, 1MHz 핀 - 단일 80V 600mohm @ 10ma, 100mhz
BAS 40-05 B5003 Infineon Technologies BAS 40-05 B5003 -
RFQ
 ECAD 8600 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS 40 Schottky PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 100 ps 1 µa @ 30 v 150 ° C (°)
D3041N58TXPSA1 Infineon Technologies D3041N58TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 8170 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 do-200ae D3041N48 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 5800 v 1.7 V @ 4000 a 100 ma @ 5800 v -40 ° C ~ 160 ° C 4090a -
D1050N18TXPSA1 Infineon Technologies D1050N18TXPSA1 141.7400
RFQ
 ECAD 6 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 DO-200AB, B-PUK D1050N 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 6 짐 1800 v 1 V @ 1000 a 60 ma @ 1800 v -40 ° C ~ 180 ° C 1050a -
ND260N08KHPSA1 Infineon Technologies ND260N08KHPSA1 -
RFQ
 ECAD 4546 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 쓸모없는 섀시 섀시 기준 기준 ND260N 기준 BG-PB50nd-1 - 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 SP000540046 귀 99 8541.10.0080 1 짐 800 v 1.32 V @ 800 a 30 ma @ 800 v 150 ° C (°) 260A -
IDP09E120 Infineon Technologies IDP09E120 -
RFQ
 ECAD 5603 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDP09 기준 PG-to220-2-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.15 V @ 9 a 140 ns 100 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C 23a -
BAT6207WE6327HTSA1 Infineon Technologies BAT6207WE6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 7553 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-82A, SOT-343 BAT6207 PG-SOT343-4-1 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 20 MA 100MW 0.6pf @ 0V, 1MHz Schottky -2 2 40V -
D371S45TXPSA1 Infineon Technologies D371S45TXPSA1 -
RFQ
 ECAD 5675 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 클램프 클램프 DO-200AB, B-PUK D371S45 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 짐 4500 v 3.9 v @ 1200 a 100 ma @ 4500 v -40 ° C ~ 125 ° C 510a -
IDWD40G120C5XKSA1 Infineon Technologies IDWD40G120C5XKSA1 24.3200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 IDWD40 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to247-2 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.65 V @ 40 a 0 ns 332 µA @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 110A 2592pf @ 1v, 1MHz
IRD3CH11DB6 Infineon Technologies IRD3CH11DB6 -
RFQ
 ECAD 5848 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 IRD3CH11 기준 주사위 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP001538788 귀 99 8541.10.0080 1 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 2.7 V @ 25 a 190 ns 700 NA @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C 25A -
BB659CH7902 Infineon Technologies BB659CH7902 0.0300
RFQ
 ECAD 4296 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C 표면 표면 SC-80 PG-SCD80-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 1,000 2.75pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 15.3 C1/C28 -
BA885E6327HTSA1 Infineon Technologies BA885E6327HTSA1 -
RFQ
 ECAD 3885 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BA885E PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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