SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 현재 - 최대 전력 전력 (소실) 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 저항 @ if, f 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 커패시턴스 조건 Q @ vr, f
BAV 70W H6327 Infineon Technologies BAV 70W H6327 0.0400
RFQ
ECAD 78 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 Bav 70 기준 SOT-323 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 7,194 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 80 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 v 150 ° C (°)
BAW56WE6433 Infineon Technologies BAW56WE6433 0.0200
RFQ
ECAD 190 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-70, SOT-323 baw56 기준 PG-SOT323-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 양극 양극 공통 80 v 200MA (DC) 1.25 V @ 150 mA 4 ns 150 na @ 70 v 150 ° C
BAS2103WE6433HTMA1 Infineon Technologies BAS2103WE6433HTMA1 0.0648
RFQ
ECAD 6805 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-76, SOD-323 BAS2103 기준 PG-SOD323-3D 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 10,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.25 V @ 200 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°) 250ma 5pf @ 0V, 1MHz
D251N12BXPSA1 Infineon Technologies D251N12BXPSA1 -
RFQ
ECAD 2875 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 스터드 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 D251N 기준 - 다운로드 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 1200 v 30 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 180 ° C 255A -
SIDC14D60E6X1SA4 Infineon Technologies SIDC14D60E6X1SA4 -
RFQ
ECAD 9281 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC14D60 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.25 V @ 30 a 27 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
IDP06E60 Infineon Technologies IDP06E60 -
RFQ
ECAD 2145 0.00000000 인피온 인피온 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-220-2 IDP06 기준 PG-to220-2-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 2 V @ 6 a 70 ns 50 µa @ 600 v -55 ° C ~ 175 ° C 14.7a -
SIDC06D60F6X1SA2 Infineon Technologies SIDC06D60F6X1SA2 -
RFQ
ECAD 3377 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC06D60 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.6 V @ 15 a 27 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 15a -
BAS21UE6359HTMA1 Infineon Technologies BAS21UE6359HTMA1 -
RFQ
ECAD 5939 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 SC-74, SOT-457 BAS21 기준 PG-SC74-6 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 3 독립 200 v 125MA (DC) 1 v @ 100 ma 50 ns 100 na @ 200 v 150 ° C (°)
ND89N12KXPSA1 Infineon Technologies ND89N12KXPSA1 110.0580
RFQ
ECAD 6790 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 - - Rohs3 준수 448-ND89N12KXPSA1 귀 99 8541.30.0080 15 1200 v 1.5 V @ 300 a 20 ma @ 1.2 kv 150 ° C 89a -
BAS 40-05 B5003 Infineon Technologies BAS 40-05 B5003 -
RFQ
ECAD 8600 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS 40 Schottky PG-SOT23 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 1 음극 음극 공통 40 v 120MA (DC) 1 v @ 40 ma 100 ps 1 µa @ 30 v 150 ° C (°)
DD175N34KHPSA1 Infineon Technologies DD175N34KHPSA1 304.1000
RFQ
ECAD 3 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 DD175N34 기준 기준 기준 다운로드 Rohs3 준수 적용 적용 수 할 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 3 1 연결 연결 시리즈 3400 v 223A 2.05 V @ 600 a 20 ma @ 3400 v -40 ° C ~ 150 ° C
DD104N18KHPSA2 Infineon Technologies DD104N18KHPSA2 124.7907
RFQ
ECAD 4231 0.00000000 인피온 인피온 DD104N 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - Rohs3 준수 448-DD104N18KHPSA2 귀 99 8541.30.0080 15 1 연결 연결 시리즈 1800 v 104a 1.4 V @ 300 a 20 ma @ 1.8 kv 150 ° C
BAT1502ELE6327XTMA1 Infineon Technologies BAT1502ELE6327XTMA1 0.6700
RFQ
ECAD 8 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 150 ° C (TJ) 0402 (1006 메트릭) BAT1502 PG-TSLP-2-19 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 110 MA 100MW 0.35pf @ 0V, 1MHz Schottky- 싱글 4V -
D371S45TS02XPSA1 Infineon Technologies D371S45TS02XPSA1 -
RFQ
ECAD 3569 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
D1301SH45TS09K02XPSA1 Infineon Technologies D1301SH45TS09K02XPSA1 -
RFQ
ECAD 2149 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 - 영향을받지 영향을받지 쓸모없는 1
BAS7002LE6327 Infineon Technologies BAS7002LE6327 1.0000
RFQ
ECAD 2815 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SOD-882 Schottky PG-TSLP-2-1 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 15,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C 70ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
BAS70-04TE6327 Infineon Technologies BAS70-04TE6327 0.0300
RFQ
ECAD 33 0.00000000 인피온 인피온 * 대부분 활동적인 BAS70 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000
BBY 57-02W E6327 Infineon Technologies BBY 57-02W E6327 -
RFQ
ECAD 5650 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 표면 표면 SC-80 BBY 57 SCD-80 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 5.5pf @ 4V, 1MHz 하나의 10 v 4.5 C1/C4 -
SIDC03D60F6X7SA1 Infineon Technologies SIDC03D60F6X7SA1 -
RFQ
ECAD 6036 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 쓸모없는 표면 표면 주사위 SIDC03 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.6 v @ 6 a 27 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 6A -
DDB2U50N08W1RB23BOMA1 Infineon Technologies DDB2U50N08W1RB23BOMA1 -
RFQ
ECAD 5444 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 sic에서 중단되었습니다 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000839690 귀 99 8541.10.0080 24
BB 555-02V E7902 Infineon Technologies BB 555-02V E7902 -
RFQ
ECAD 1156 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BB 555 PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.3pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 9.8 C1/C28 -
IDW20G65C5BXKSA2 Infineon Technologies IDW20G65C5BXKSA2 11.2900
RFQ
ECAD 240 0.00000000 인피온 인피온 Coolsic ™+ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 IDW20G65 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky PG-to247-3 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.7 V @ 10 a 0 ns 180 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 10A 300pf @ 1v, 1MHz
BAW79DH6327XTSA1 Infineon Technologies BAW79DH6327XTSA1 0.2765
RFQ
ECAD 7579 0.00000000 인피온 인피온 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 마지막으로 마지막으로 표면 표면 TO-243AA BAW79 기준 PG-SOT89 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1,000 1 음극 음극 공통 400 v 500ma 1.6 V @ 1 a 1 µs 1 µa @ 400 v 150 ° C (°)
BA 595 B6327 Infineon Technologies BA 595 B6327 -
RFQ
ECAD 6253 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 BA 595 PG-SOD323-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 30,000 50 MA 0.6pf @ 10V, 1MHz 핀 - 단일 50V 7ohm @ 10ma, 100mhz
BB 659C-02V E7902 Infineon Technologies BB 659C-02V E7902 -
RFQ
ECAD 7118 0.00000000 인피온 인피온 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-79, SOD-523 BB 659C PG-SC79-2 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 2.75pf @ 28V, 1MHz 하나의 30 v 15.3 C1/C28 -
BA592E6327 Infineon Technologies BA592E6327 0.0700
RFQ
ECAD 25 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 150 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 PG-SOD323-2-1 다운로드 귀 99 8541.10.0070 1 100 MA 1.1pf @ 3v, 1MHz 표준 - 단일 35V 500mohm @ 10ma, 100mhz
BAS70-02WE6327 Infineon Technologies BAS70-02WE6327 0.0300
RFQ
ECAD 65 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 SC-80 Schottky PG-SCD80-2 다운로드 적용 적용 수 할 1 (무제한) 공급 공급 정의되지 업체는 귀 99 8541.10.0070 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 70 v 1 V @ 15 ma 100 ps 100 na @ 50 v 150 ° C 70ma 1.5pf @ 0v, 1MHz
SIDC26D60C8X1SA1 Infineon Technologies SIDC26D60C8X1SA1 -
RFQ
ECAD 2069 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 SIDC26D 기준 주사위 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 1 600 v 1.9 V @ 100 a 27 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C 100A -
SIDC14D120H8X1SA1 Infineon Technologies SIDC14D120H8X1SA1 -
RFQ
ECAD 4299 0.00000000 인피온 인피온 - 대부분 활동적인 표면 표면 주사위 SIDC14D120 기준 호일에 호일에 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 SP000481450 귀 99 8541.10.0080 1 1200 v 1.97 V @ 25 a 20 µa @ 1200 v -40 ° C ~ 175 ° C 25A -
ND89N16KHPSA1 Infineon Technologies ND89N16KHPSA1 131.8300
RFQ
ECAD 15 0.00000000 인피온 인피온 - 쟁반 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 ND89N16 기준 BG-PB20-1 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 15 1600 v 20 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 135 ° C 89a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고