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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
S150Q GeneSiC Semiconductor S150Q 35.5695
RFQ
 ECAD 6310 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150QGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1200 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRF300200 GeneSiC Semiconductor MBRF300200 -
RFQ
 ECAD 1519 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB MBRF3002 Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 150a 920 MV @ 150 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC05MPS12-252 GeneSiC Semiconductor GC05MPS12-252 2.3475
RFQ
 ECAD 8544 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GC05MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 10,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 5 a 0 ns 4 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 27a 359pf @ 1v, 1MHz
GD30MPS06H GeneSiC Semiconductor GD30MPS06H 5.9100
RFQ
 ECAD 484 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 GD30MPS06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD30MPS06H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 49a 735pf @ 1v, 1MHz
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR200150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURT40060 GeneSiC Semiconductor MURT40060 -
RFQ
 ECAD 9179 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt40060gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 200a 1.7 V @ 200 a 240 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA20080AD GeneSiC Semiconductor MSRTA20080AD 85.9072
RFQ
 ECAD 6580 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 짐 1 연결 연결 시리즈 800 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKR26/16 GeneSiC Semiconductor GKR26/16 -
RFQ
 ECAD 9036 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 5 짐 1600 v 1.55 V @ 60 a 4 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 180 ° C 25A -
MBRT40020R GeneSiC Semiconductor MBRT40020R 118.4160
RFQ
 ECAD 7892 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT40020 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT40020RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 200a 750 mV @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30040R GeneSiC Semiconductor MURF30040R -
RFQ
 ECAD 6740 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 150a 1.3 v @ 150 a 110 ns 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD51 GeneSiC Semiconductor SD51 19.1580
RFQ
 ECAD 2759 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 SD51 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) sd51gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 660 MV @ 60 a 5 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
MBRT40060 GeneSiC Semiconductor MBRT40060 118.4160
RFQ
 ECAD 3228 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT40060GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 200a 800 mV @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR40020CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40020CTRL -
RFQ
 ECAD 7809 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4590R GeneSiC Semiconductor 1N4590R 35.5695
RFQ
 ECAD 9089 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4590R 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4590RGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 400 v 1.5 V @ 150 a 9 ma @ 400 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MSRT10080AD GeneSiC Semiconductor MSRT10080AD 54.0272
RFQ
 ECAD 4048 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT100 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 연결 연결 시리즈 800 v 100A 1.1 v @ 100 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
KBU8A GeneSiC Semiconductor kbu8a -
RFQ
 ECAD 3434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 300 1 V @ 8 a 10 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
MBRF600150 GeneSiC Semiconductor MBRF600150 -
RFQ
 ECAD 5956 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 300A 880 mV @ 300 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X060A180 GeneSiC Semiconductor MBR2X060A180 46.9860
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X060 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 180 v 60a 920 MV @ 60 a 3 ma @ 180 v -40 ° C ~ 150 ° C
1N1188 GeneSiC Semiconductor 1N1188 6.2320
RFQ
 ECAD 3913 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1188 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1045 귀 99 8541.10.0080 100 짐 400 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
FST8345M GeneSiC Semiconductor FST8345M -
RFQ
 ECAD 2024 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 80A (DC) 650 MV @ 80 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR8040R GeneSiC Semiconductor MBR8040R 22.1985
RFQ
 ECAD 8534 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR8040 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR8040RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 750 MV @ 80 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 80a -
MBR400100CT GeneSiC Semiconductor MBR400100ct 102.9600
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR400100 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1022 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 200a 840 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor MURTA60040R 188.1435
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Murta60040 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta60040rgn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 300A 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20045CTR GeneSiC Semiconductor MBR20045CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 1612 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR20045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR20045Ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 200a (DC) 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
DB107G GeneSiC Semiconductor DB107G 0.1980
RFQ
 ECAD 5022 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB107 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) db107ggn 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 1000 v 1 a 단일 단일 1kv
MUR5040 GeneSiC Semiconductor MUR5040 17.4870
RFQ
 ECAD 9660 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur5040gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 50 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 50a -
MBR50030CTR GeneSiC Semiconductor MBR50030CTR -
RFQ
 ECAD 2432 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr50030ctrgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF600200R GeneSiC Semiconductor MBRF600200R -
RFQ
 ECAD 1013 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 300A 920 MV @ 300 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF12045 GeneSiC Semiconductor MBRF12045 -
RFQ
 ECAD 6183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30030CTRL -
RFQ
 ECAD 5353 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 150a 580 mV @ 150 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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