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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
MBR2X120A060 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A060 51.8535
RFQ
 ECAD 3104 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X120 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 60 v 120a 750 mV @ 120 a 1 ma @ 60 v -40 ° C ~ 150 ° C
MUR2560 GeneSiC Semiconductor MUR2560 10.1910
RFQ
 ECAD 2282 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2560gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 25 a 90 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR60045CTR GeneSiC Semiconductor MBR60045CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 7205 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR60045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr60045ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S6D GeneSiC Semiconductor S6D 3.8625
RFQ
 ECAD 4075 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s6dgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 200 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
S6JR GeneSiC Semiconductor S6JR 3.8625
RFQ
 ECAD 8621 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S6J 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s6jrgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 600 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
FR85DR02 GeneSiC Semiconductor FR85DR02 24.1260
RFQ
 ECAD 5504 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR85DR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 85 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 85A -
MUR2520R GeneSiC Semiconductor MUR2520R 10.1910
RFQ
 ECAD 2903 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MUR2520 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2520rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBR75100 GeneSiC Semiconductor MBR75100 20.8845
RFQ
 ECAD 6153 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR75100GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 MV @ 75 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 75a -
MBRTA500100 GeneSiC Semiconductor MBRTA500100 -
RFQ
 ECAD 8135 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 250A 840 mV @ 250 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20040 GeneSiC Semiconductor MBRH20040 70.0545
RFQ
 ECAD 4092 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20040GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
MBR600200CTR GeneSiC Semiconductor MBR600200CTR 129.3585
RFQ
 ECAD 2284 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR600200 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 300A 920 MV @ 300 a 3 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30040CTL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTL -
RFQ
 ECAD 4948 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT120150R GeneSiC Semiconductor MBRT120150R -
RFQ
 ECAD 5224 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 60a 880 mV @ 60 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10005 GeneSiC Semiconductor murh10005 -
RFQ
 ECAD 5648 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10005gn 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
FR40GR02 GeneSiC Semiconductor FR40GR02 13.8360
RFQ
 ECAD 6032 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1054 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
GE2X8MPS06D GeneSiC Semiconductor GE2X8MPS06D 5.1900
RFQ
 ECAD 58 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GE2X8 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-ge2x8mps06d 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 650 v 19A (DC) -55 ° C ~ 175 ° C
MURT30010 GeneSiC Semiconductor MURT30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt30010gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 1.3 v @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30045CT GeneSiC Semiconductor MBR30045CT 94.5030
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR30045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR30045CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA300160D GeneSiC Semiconductor MSRTA300160D 159.9075
RFQ
 ECAD 7548 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA300 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA300160D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 300A 1.1 v @ 300 a 20 µa @ 1600 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1186AR GeneSiC Semiconductor 1N1186AR -
RFQ
 ECAD 4434 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1186AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 1 (무제한) 1242-1110 귀 99 8541.10.0080 5 - 200 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MBRTA60040RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60040RL -
RFQ
 ECAD 1763 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 600 mV @ 300 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
S12MR GeneSiC Semiconductor S12MR 4.2345
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S12M 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s12mrgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1000 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
S16K GeneSiC Semiconductor S16K 4.5900
RFQ
 ECAD 6123 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S16KGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 800 v 1.1 v @ 16 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 16A -
MBRT30045 GeneSiC Semiconductor MBRT30045 107.3070
RFQ
 ECAD 5037 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1088 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S70K GeneSiC Semiconductor S70K 9.8985
RFQ
 ECAD 6299 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S70KGN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 800 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 70A -
MBR6045 GeneSiC Semiconductor MBR6045 20.2695
RFQ
 ECAD 5797 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR6045 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR6045GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
FR70J05 GeneSiC Semiconductor FR70J05 17.5905
RFQ
 ECAD 3949 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70J05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
FST6345M GeneSiC Semiconductor FST6345M -
RFQ
 ECAD 8594 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 700 mV @ 30 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20040R GeneSiC Semiconductor MBRT20040R 98.8155
RFQ
 ECAD 4826 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT20040 Schottky, 역, 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1082 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 100A 750 MV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST16030 GeneSiC Semiconductor FST16030 75.1110
RFQ
 ECAD 4188 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST16030GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 160A (DC) 750 mV @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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