SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
FR6BR02 GeneSiC Semiconductor FR6BR02 5.1225
RFQ
 ECAD 9494 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR6BR02GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBR40040CTL GeneSiC Semiconductor MBR40040CTL -
RFQ
 ECAD 4528 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF20030R GeneSiC Semiconductor MBRF20030R -
RFQ
 ECAD 2084 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 100A 700 mV @ 100 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
GE10MPS06E GeneSiC Semiconductor GE10MPS06E 2.7700
RFQ
 ECAD 9292 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 GE10MPS06 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 26A 466pf @ 1v, 1MHz
1N5827 GeneSiC Semiconductor 1N5827 12.4155
RFQ
 ECAD 9767 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5827 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5827GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 470 mV @ 15 a 10 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 15a -
MBRT30045RL GeneSiC Semiconductor MBRT30045RL -
RFQ
 ECAD 6044 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 45 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT12080R GeneSiC Semiconductor MBRT12080R 75.1110
RFQ
 ECAD 2011 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12080 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12080RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 60a 880 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD2X25MPS17N GeneSiC Semiconductor GD2X25MPS17N 55.7100
RFQ
 ECAD 262 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 GD2X SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky SOT-227 다운로드 1 (무제한) 1242-GD2X25MPS17N 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 2 독립 1700 v 50A (DC) 1.8 V @ 25 a 0 ns 20 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C
FR20D02 GeneSiC Semiconductor FR20D02 9.0510
RFQ
 ECAD 3677 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR20D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 20 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MURTA60040 GeneSiC Semiconductor Murta60040 188.1435
RFQ
 ECAD 8920 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta60040gn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 300A 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST6380M GeneSiC Semiconductor FST6380M -
RFQ
 ECAD 9771 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 30A 840 mV @ 30 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
S85Q GeneSiC Semiconductor S85Q 15.0400
RFQ
 ECAD 597 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1031 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1200 v 1.1 v @ 85 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
MBRT200100R GeneSiC Semiconductor MBRT200100R 98.8155
RFQ
 ECAD 7603 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT200100 Schottky, 역, 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT200100RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 100A 880 mV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRTA500160A GeneSiC Semiconductor MSRTA500160A 101.4000
RFQ
 ECAD 5289 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA500160 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1600 v 500A (DC) 1.2 v @ 500 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA200120R GeneSiC Semiconductor MURTA200120R 145.3229
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA200120 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 1200 v 100A 2.6 V @ 100 a 25 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
2W005M GeneSiC Semiconductor 2w005m -
RFQ
 ECAD 2325 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) 2w005mgn 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 50 v
UFT10005 GeneSiC Semiconductor UFT10005 -
RFQ
 ECAD 1713 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB 기준 TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 50a 1 V @ 50 a 60 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST6330M GeneSiC Semiconductor FST6330M -
RFQ
 ECAD 7370 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3m Schottky D61-3m - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 30A 700 mV @ 30 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA600100R GeneSiC Semiconductor MBRTA600100R -
RFQ
 ECAD 8558 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 300A 840 mV @ 300 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN130/14 GeneSiC Semiconductor GKN130/14 35.2952
RFQ
 ECAD 8168 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1400 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
1N3892R GeneSiC Semiconductor 1N3892R 9.3600
RFQ
 ECAD 494 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3892R 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1092 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
1N3893R GeneSiC Semiconductor 1N3893R 9.3600
RFQ
 ECAD 27 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3893R 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
MURT30010 GeneSiC Semiconductor MURT30010 118.4160
RFQ
 ECAD 5586 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt30010gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 1.3 v @ 150 a 100 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30045CT GeneSiC Semiconductor MBR30045CT 94.5030
RFQ
 ECAD 7555 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR30045 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR30045CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 150a 650 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S25Q GeneSiC Semiconductor S25Q 5.2485
RFQ
 ECAD 1118 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S25QGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1200 v 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
MBRT60030 GeneSiC Semiconductor MBRT60030 140.2020
RFQ
 ECAD 2184 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbrt60030gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 300A 750 mV @ 300 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURT10005R GeneSiC Semiconductor MURT10005R -
RFQ
 ECAD 8967 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT10005RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT50020R GeneSiC Semiconductor MBRT50020R -
RFQ
 ECAD 5942 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT50020RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR12K05 GeneSiC Semiconductor FR12K05 6.9975
RFQ
 ECAD 5931 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR12K05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
MBR50060CT GeneSiC Semiconductor MBR50060CT -
RFQ
 ECAD 1405 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR50060CTGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 250A 800 mV @ 250 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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