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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
GBJ10M GeneSiC Semiconductor gbj10m 0.7470
RFQ
 ECAD 2675 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-gbj10m 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 5 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
GBJ30B GeneSiC Semiconductor GBJ30B 1.1205
RFQ
 ECAD 8713 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ30 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ30B 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 15 a 5 µa @ 100 v 30 a 단일 단일 100 v
GBJ15B GeneSiC Semiconductor GBJ15B 0.7875
RFQ
 ECAD 1800 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ15 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ15B 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 a 10 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
GBJ20G GeneSiC Semiconductor GBJ20G 0.9120
RFQ
 ECAD 9792 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ20G 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 a 5 µa @ 400 v 20 a 단일 단일 400 v
MSRTA300120D GeneSiC Semiconductor MSRTA300120D 159.9075
RFQ
 ECAD 4570 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA300 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA300120D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 1200 v 300A 1.1 v @ 300 a 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ25J GeneSiC Semiconductor GBJ25J 0.9795
RFQ
 ECAD 1665 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ25J 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
GC05MPS33J GeneSiC Semiconductor GC05MPS33J 23.9900
RFQ
 ECAD 5673 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 표면 표면 TO-263-8, D²PAK (7 리드 + 탭), TO-263CA SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-263-7 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GC05MPS33J 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 3300 v 0 ns 175 ° C 5a -
SD51R GeneSiC Semiconductor SD51R 20.2170
RFQ
 ECAD 3373 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 SD51 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) sd51rgn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 660 MV @ 60 a 5 ma @ 45 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
W005M GeneSiC Semiconductor W005m -
RFQ
 ECAD 7362 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) w005mgn 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
2W01M GeneSiC Semiconductor 2W01m -
RFQ
 ECAD 7626 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) 2W01MGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
2W04M GeneSiC Semiconductor 2w04m -
RFQ
 ECAD 3087 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) 2w04mgn 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 400 v 2 a 단일 단일 400 v
BR1010 GeneSiC Semiconductor BR1010 0.9555
RFQ
 ECAD 7726 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-10 기준 BR-10 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br1010gn 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 5 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
BR31 GeneSiC Semiconductor BR31 0.5700
RFQ
 ECAD 5959 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br31gn 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 100 v 3 a 단일 단일 100 v
BR310 GeneSiC Semiconductor BR310 0.5700
RFQ
 ECAD 1707 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br310gn 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 1000 v 3 a 단일 단일 1kv
BR38 GeneSiC Semiconductor BR38 0.5700
RFQ
 ECAD 9479 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR38GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 800 v 3 a 단일 단일 800 v
BR66 GeneSiC Semiconductor BR66 0.7425
RFQ
 ECAD 3731 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) br66gn 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 600 v 6 a 단일 단일 600 v
BR805 GeneSiC Semiconductor BR805 0.8910
RFQ
 ECAD 8408 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR805GN 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 50 v 8 a 단일 단일 50 v
BR81 GeneSiC Semiconductor BR81 2.0200
RFQ
 ECAD 453 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 100 v 8 a 단일 단일 100 v
BR88 GeneSiC Semiconductor BR88 2.0200
RFQ
 ECAD 347 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-8 기준 BR-8 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR88GN 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 4 a 10 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 800 v
DB102G GeneSiC Semiconductor DB102G 0.1980
RFQ
 ECAD 2400 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB102 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) db102ggn 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 100 v 1 a 단일 단일 100 v
DB106G GeneSiC Semiconductor DB106G 0.1980
RFQ
 ECAD 5029 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB106 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) db106ggn 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
FR40JR02 GeneSiC Semiconductor FR40JR02 13.8360
RFQ
 ECAD 4966 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40JR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 40 a 250 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
GBL04 GeneSiC Semiconductor GBL04 2.9400
RFQ
 ECAD 4711 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBL 기준 GBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbl04gn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBPC15005T GeneSiC Semiconductor GBPC15005T 2.4180
RFQ
 ECAD 7711 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC15005 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 15 a 단일 단일 50 v
GBPC1501T GeneSiC Semiconductor GBPC1501T 2.4180
RFQ
 ECAD 1134 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1501 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
GBPC25005T GeneSiC Semiconductor GBPC25005T 2.5335
RFQ
 ECAD 3216 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC25005 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
GBPC2508T GeneSiC Semiconductor GBPC2508T 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2508 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
GBPC35010T GeneSiC Semiconductor GBPC35010T 2.3424
RFQ
 ECAD 9553 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC35010 기준 GBPC - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBPC3506T GeneSiC Semiconductor GBPC3506T 2.8650
RFQ
 ECAD 1002 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC3506 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
GBPC5008T GeneSiC Semiconductor GBPC5008T 4.0155
RFQ
 ECAD 5381 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC5008 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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