SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
MBR12030CT GeneSiC Semiconductor MBR12030CT 68.8455
RFQ
 ECAD 2501 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12030 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1090 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 120A (DC) 650 A 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X160A200 GeneSiC Semiconductor MBR2X160A200 59.6700
RFQ
 ECAD 2131 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X160 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 200 v 160a 920 MV @ 160 a 3 ma @ 200 v -40 ° C ~ 150 ° C
MUR7020 GeneSiC Semiconductor mur7020 17.5905
RFQ
 ECAD 7661 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1014 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
MBR40035CTL GeneSiC Semiconductor MBR40035CTL -
RFQ
 ECAD 6358 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40030RL GeneSiC Semiconductor MBRT40030RL -
RFQ
 ECAD 5183 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC15MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC15MPS12-247 6.1080
RFQ
 ECAD 2730 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 GC15MPS12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1334 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 v @ 15 a 0 ns 14 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 75a 1089pf @ 1v, 1MHz
1N4588R GeneSiC Semiconductor 1N4588R 35.5695
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4588R 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4588RGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 200 v 1.5 V @ 150 a 9.5 ma @ 200 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRT12030R GeneSiC Semiconductor MBRT12030R 62.6320
RFQ
 ECAD 6884 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12030 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12030RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5831 GeneSiC Semiconductor 1N5831 14.0145
RFQ
 ECAD 8867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N5831 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5831GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MURT40010 GeneSiC Semiconductor MURT40010 132.0780
RFQ
 ECAD 5908 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt40010gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60080R GeneSiC Semiconductor MBRF60080R -
RFQ
 ECAD 4000 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 300A 840 mV @ 250 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
SD41 GeneSiC Semiconductor SD41 13.4625
RFQ
 ECAD 4113 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) SD41GS 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 680 mV @ 30 a 1.5 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C 30A -
MBRT40080R GeneSiC Semiconductor MBRT40080R 118.4160
RFQ
 ECAD 7228 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT40080 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT40080RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 200a 880 mv @ 200 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF120100 GeneSiC Semiconductor MBRF120100 -
RFQ
 ECAD 4438 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16D05 GeneSiC Semiconductor FR16D05 8.1330
RFQ
 ECAD 6607 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16D05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBRTA80040L GeneSiC Semiconductor MBRTA80040L -
RFQ
 ECAD 7435 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 400A 600 mV @ 400 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12040 GeneSiC Semiconductor MBRH12040 60.0375
RFQ
 ECAD 6397 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 D-67 Schottky 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1046 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor mur40020ctr 132.0780
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR40020 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur40020ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 200a 1.3 v @ 125 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR30GR02 GeneSiC Semiconductor FR30GR02 13.6100
RFQ
 ECAD 244 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1047 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
MBRTA40040L GeneSiC Semiconductor MBRTA40040L -
RFQ
 ECAD 4203 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 200a 600 mV @ 200 a 5 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR300150CT GeneSiC Semiconductor MBR300150CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1227 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR300150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 150a 880 mV @ 150 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBR40030CTRL GeneSiC Semiconductor MBR40030CTRL -
RFQ
 ECAD 7710 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a 580 mV @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT500150 GeneSiC Semiconductor MBRT500150 -
RFQ
 ECAD 2104 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 250A 880 mV @ 250 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST8340SM GeneSiC Semiconductor FST8340SM -
RFQ
 ECAD 9071 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 섀시 섀시 D61-3SM Schottky D61-3SM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 FST8340SMGN 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 80A (DC) 650 MV @ 80 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N2131A GeneSiC Semiconductor 1N2131A 8.9025
RFQ
 ECAD 9503 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2131 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1105 귀 99 8541.10.0080 100 짐 200 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
MUR2505 GeneSiC Semiconductor MUR2505 10.1910
RFQ
 ECAD 4018 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2505gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MSRT200140AD GeneSiC Semiconductor MSRT200140AD 80.4872
RFQ
 ECAD 1389 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 연결 연결 시리즈 1400 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD10MPS12H GeneSiC Semiconductor GD10MPS12H 4.9900
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD10MPS12H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 0 ns 175 ° C 10A -
150KR20A GeneSiC Semiconductor 150KR20A 35.5695
RFQ
 ECAD 3386 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 150KR20AGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 200 v 1.33 V @ 150 a 35 ma @ 200 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
S25D GeneSiC Semiconductor S25D 5.2485
RFQ
 ECAD 8305 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 - 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s25dgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 200 v 1.1 v @ 25 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 25A -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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