SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
GKR240/08 GeneSiC Semiconductor GKR240/08 59.1425
RFQ
ECAD 7890 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKR240 기준 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 800 v 1.4 V @ 60 a 60 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
MBRH12030 GeneSiC Semiconductor MBRH12030 60.0375
RFQ
ECAD 4402 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbrh12030gn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 650 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
MSRT15080D GeneSiC Semiconductor MSRT15080D 98.8155
RFQ
ECAD 2121 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT15080D 귀 99 8541.10.0080 40 1 연결 연결 시리즈 800 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60040R GeneSiC Semiconductor MBRTA60040R -
RFQ
ECAD 1837 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 300A 700 mV @ 300 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH24080R GeneSiC Semiconductor MBRH24080R 76.4925
RFQ
ECAD 7139 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH24080 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 mV @ 240 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
MUR2540R GeneSiC Semiconductor MUR2540R 10.1910
RFQ
ECAD 3464 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MUR2540 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur2540rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 25 a 75 ns 10 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MBRTA800100R GeneSiC Semiconductor MBRTA800100R -
RFQ
ECAD 8649 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 400A 840 mV @ 400 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
S70Y GeneSiC Semiconductor S70Y 10.2225
RFQ
ECAD 1079 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s70ygn 귀 99 8541.10.0080 100 1600 v 1.1 v @ 70 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 70A -
FR40D02 GeneSiC Semiconductor FR40D02 12.8985
RFQ
ECAD 3748 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40D02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1 V @ 40 a 200 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
MBRH20020 GeneSiC Semiconductor MBRH20020 70.0545
RFQ
ECAD 8075 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20020GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
1N3879 GeneSiC Semiconductor 1N3879 7.1300
RFQ
ECAD 799 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3879 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1087 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
GKN240/04 GeneSiC Semiconductor GKN240/04 59.0066
RFQ
ECAD 2686 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKN240 기준 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 400 v 1.4 V @ 60 a 60 ma @ 400 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
DB157G GeneSiC Semiconductor DB157G 0.2325
RFQ
ECAD 6626 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB157 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DB157GGN 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 1000 v 1.5 a 단일 단일 1kv
MURTA50060 GeneSiC Semiconductor MURTA50060 174.1546
RFQ
ECAD 5201 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta50060gn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 250A 1.7 V @ 250 a 250 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT20035 GeneSiC Semiconductor MBRT20035 98.8155
RFQ
ECAD 6905 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1103 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 100A 750 MV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150100AD GeneSiC Semiconductor MSRT150100AD 51.0360
RFQ
ECAD 3366 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 1 연결 연결 시리즈 1000 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD25MPS17H GeneSiC Semiconductor GD25MPS17H 18.0100
RFQ
ECAD 5751 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD25MPS17H 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 V @ 25 a 0 ns 20 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 56A 1083pf @ 1v, 1MHz
1N3883R GeneSiC Semiconductor 1N3883R 7.3900
RFQ
ECAD 178 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3883R 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1020 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 15 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBRH24020R GeneSiC Semiconductor MBRH24020R 76.4925
RFQ
ECAD 1125 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 MBRH24020 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
FST12080 GeneSiC Semiconductor FST12080 70.4280
RFQ
ECAD 5683 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST12080GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 120A (DC) 840 mV @ 120 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N4595 GeneSiC Semiconductor 1N4595 35.5695
RFQ
ECAD 5456 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4595 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4595GN 귀 99 8541.10.0080 10 1200 v 1.5 V @ 150 a 4 ma @ 1200 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
1N5834R GeneSiC Semiconductor 1N5834R 19.7895
RFQ
ECAD 4290 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N5834R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5834RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 590 mV @ 40 a 20 ma @ 10 v -65 ° C ~ 150 ° C 40a -
MURF30040 GeneSiC Semiconductor MURF30040 -
RFQ
ECAD 7640 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 150a 1.3 v @ 150 a 110 ns 25 µa @ 400 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR6GR02 GeneSiC Semiconductor FR6GR02 5.1225
RFQ
ECAD 2867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6gr02gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MBRF200100 GeneSiC Semiconductor MBRF200100 -
RFQ
ECAD 2919 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR70MR05 GeneSiC Semiconductor FR70MR05 17.7855
RFQ
ECAD 4079 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70MR05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1000 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
MBRT20080R GeneSiC Semiconductor MBRT20080R 98.8155
RFQ
ECAD 9198 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT20080 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT20080RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 100A 880 mV @ 100 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT200140D GeneSiC Semiconductor MSRT200140D 110.1030
RFQ
ECAD 5663 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT200140D 귀 99 8541.10.0080 40 1 연결 연결 시리즈 1400 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1400 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF60060R GeneSiC Semiconductor MBRF60060R -
RFQ
ECAD 4859 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 60 v 300A 800 mV @ 250 a 1 ma @ 60 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR6030 GeneSiC Semiconductor MBR6030 20.2695
RFQ
ECAD 6336 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr6030gn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고