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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBRT30035R GeneSiC Semiconductor MBRT30035R 111.0800
RFQ
 ECAD 16 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT30035 Schottky, 역, 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1004 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 150a 750 mV @ 150 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N3893 GeneSiC Semiconductor 1N3893 5.6380
RFQ
 ECAD 7772 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N3893 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3893GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 V @ 12 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
MBR12035CTR GeneSiC Semiconductor MBR12035CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 2768 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12035 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr12035ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 120A (DC) 650 mV @ 120 a 3 ma @ 20 v
MBRH20035 GeneSiC Semiconductor MBRH20035 70.0545
RFQ
 ECAD 7861 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH20035GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 650 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
FR30K05 GeneSiC Semiconductor FR30K05 10.3155
RFQ
 ECAD 5312 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR30K05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 800 v 1 V @ 30 a 500 ns 25 µa @ 800 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
150K20A GeneSiC Semiconductor 150K20A 35.5695
RFQ
 ECAD 1651 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 150k20 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 150K20AGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 200 v 1.33 V @ 150 a 35 ma @ 200 v -40 ° C ~ 200 ° C 150a -
FST10040 GeneSiC Semiconductor FST10040 65.6445
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 100A 650 mV @ 100 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20030CTR GeneSiC Semiconductor MBR20030CTR 90.1380
RFQ
 ECAD 2533 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR20030 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1023 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 200a (DC) 650 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR6A05 GeneSiC Semiconductor FR6A05 8.1330
RFQ
 ECAD 8895 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6a05gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MBR500200CTR GeneSiC Semiconductor MBR500200ctr -
RFQ
 ECAD 3102 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 250A 920 MV @ 250 a 3 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH12080 GeneSiC Semiconductor MBRH12080 60.0375
RFQ
 ECAD 6952 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH12080GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 840 mV @ 120 a 4 ma @ 20 v 120a -
S150K GeneSiC Semiconductor S150K 35.5695
RFQ
 ECAD 5944 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 기준 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150KGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBR6040 GeneSiC Semiconductor MBR6040 20.2695
RFQ
 ECAD 7704 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR604 Schottky DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR6040GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
MUR40020CTR GeneSiC Semiconductor mur40020ctr 132.0780
RFQ
 ECAD 9873 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR40020 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur40020ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 200a 1.3 v @ 125 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1186A GeneSiC Semiconductor 1N1186A 10.3200
RFQ
 ECAD 844 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1186 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1078 귀 99 8541.10.0080 100 - 200 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
MURF30010 GeneSiC Semiconductor MURF30010 -
RFQ
 ECAD 9707 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 100 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1190 GeneSiC Semiconductor 1N1190 6.2320
RFQ
 ECAD 5641 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1190 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1044 귀 99 8541.10.0080 100 짐 600 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
MSRT150100A GeneSiC Semiconductor MSRT150100A 38.5632
RFQ
 ECAD 1247 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 150a 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ10K GeneSiC Semiconductor GBJ10K 0.7470
RFQ
 ECAD 2810 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ10K 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 800 v 10 a 단일 단일 800 v
GBJ10D GeneSiC Semiconductor GBJ10D 0.7470
RFQ
 ECAD 6881 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ10D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 200 v 10 a 단일 단일 200 v
GBJ20J GeneSiC Semiconductor GBJ20J 0.9120
RFQ
 ECAD 9925 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ20J 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 a 5 µa @ 600 v 20 a 단일 단일 600 v
GBJ20M GeneSiC Semiconductor GBJ20M 0.9120
RFQ
 ECAD 8711 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ20M 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 10 a 5 µa @ 1000 v 20 a 단일 단일 1kv
GBJ10B GeneSiC Semiconductor GBJ10B 0.7470
RFQ
 ECAD 8324 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ10 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ10B 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 5 a 10 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
GBJ15G GeneSiC Semiconductor GBJ15G 0.7875
RFQ
 ECAD 3854 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ15 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ15G 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 a 5 µa @ 400 v 15 a 단일 단일 400 v
GBJ15D GeneSiC Semiconductor GBJ15D 0.7875
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ15 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ15D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 7.5 a 10 µa @ 200 v 15 a 단일 단일 200 v
MSRTA300100D GeneSiC Semiconductor MSRTA300100D 159.9075
RFQ
 ECAD 6624 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA300 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA300100D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 1000 v 300A 1.1 v @ 300 a 20 µa @ 1000 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBJ35M GeneSiC Semiconductor GBJ35M 1.6410
RFQ
 ECAD 5582 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ35 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ35M 귀 99 8541.10.0080 200 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
GBJ25D GeneSiC Semiconductor GBJ25D 0.9795
RFQ
 ECAD 4783 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ25 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ25D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 200 v 25 a 단일 단일 200 v
KBU8J GeneSiC Semiconductor KBU8J 1.8200
RFQ
 ECAD 3 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 600 v 8 a 단일 단일 600 v
M3P100A-120 GeneSiC Semiconductor M3P100A-120 -
RFQ
 ECAD 2052 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1200 v 100 a 3 단계 1.2kV
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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