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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
GBU4D GeneSiC Semiconductor GBU4D 0.4725
RFQ
 ECAD 9290 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu4dgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
MUR30040CT GeneSiC Semiconductor MUR30040CT 118.4160
RFQ
 ECAD 2350 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR30040 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30040ctgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 400 v 150a 1.5 v @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MUR30005CT GeneSiC Semiconductor mur30005ct -
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur30005ctgn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 150a 1.3 V @ 100 a 90 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURTA20020R GeneSiC Semiconductor MURTA20020R 145.3229
RFQ
 ECAD 4700 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MURTA20020 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 양극 양극 공통 200 v 100A 1.3 V @ 100 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
W01M GeneSiC Semiconductor W01m -
RFQ
 ECAD 7665 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4 원, WOM 기준 WOM 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 1,000 1 V @ 1 a 10 µa @ 100 v 1.5 a 단일 단일 100 v
KBPC3506T GeneSiC Semiconductor KBPC3506T 2.4720
RFQ
 ECAD 1836 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC3506 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 600 v 35 a 단일 단일 600 v
KBL404G GeneSiC Semiconductor KBL404G 0.5385
RFQ
 ECAD 1146 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL404 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL404GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 400 v 4 a 단일 단일 400 v
GBU15B GeneSiC Semiconductor GBU15B 0.6120
RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBU15BGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 100 v 15 a 단일 단일 100 v
KBPM304G GeneSiC Semiconductor KBPM304G -
RFQ
 ECAD 8131 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM304GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 400 v
GBU15M GeneSiC Semiconductor GBU15M 0.6120
RFQ
 ECAD 3489 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU15 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu15mgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 15 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
GBPC2506T GeneSiC Semiconductor GBPC2506T 4.2000
RFQ
 ECAD 923 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC2506 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 600 v 25 a 단일 단일 600 v
KBPM208G GeneSiC Semiconductor KBPM208G -
RFQ
 ECAD 8538 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM208GGN 귀 99 8541.10.0080 1,000 1.1 v @ 2 a 5 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
GBU4J GeneSiC Semiconductor GBU4J 0.4725
RFQ
 ECAD 4987 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) gbu4jgn 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 600 v 4 a 단일 단일 600 v
KBPM306G GeneSiC Semiconductor KBPM306G -
RFQ
 ECAD 1588 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM306GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 600 v
KBP208G GeneSiC Semiconductor KBP208G 0.2280
RFQ
 ECAD 3867 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP KBP208 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP208GG 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 50 v 2 a 단일 단일 800 v
GBJ6B GeneSiC Semiconductor GBJ6B 0.6645
RFQ
 ECAD 9226 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ6 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ6B 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 100 v 6 a 단일 단일 100 v
GBPC25005W GeneSiC Semiconductor GBPC25005W 2.5335
RFQ
 ECAD 5871 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC25005 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) GBPC25005WGS 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 50 v 25 a 단일 단일 50 v
GBJ20D GeneSiC Semiconductor GBJ20D 0.9120
RFQ
 ECAD 6810 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ20 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ20D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 10 a 5 µa @ 200 v 20 a 단일 단일 200 v
M3P100A-80 GeneSiC Semiconductor M3P100A-80 -
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 5-SMD 모듈 기준 5-SMD - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 800 v 100 a 3 단계 800 v
KBU8K GeneSiC Semiconductor KBU8K 0.7425
RFQ
 ECAD 6174 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu8kgn 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 800 v 8 a 단일 단일 800 v
GBPC5004W GeneSiC Semiconductor GBPC5004W 4.0155
RFQ
 ECAD 6179 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC5004 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
DB155G GeneSiC Semiconductor DB155G 0.2325
RFQ
 ECAD 6311 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB155 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DB155GGN 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 600 v 1.5 a 단일 단일 600 v
GBJ6D GeneSiC Semiconductor GBJ6D 0.6645
RFQ
 ECAD 1569 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ GBJ6 기준 GBJ 다운로드 Rohs3 준수 1242-GBJ6D 귀 99 8541.10.0080 200 1.05 V @ 3 a 5 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
M3P75A-60 GeneSiC Semiconductor M3P75A-60 -
RFQ
 ECAD 6517 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 - 섀시 섀시 5-SMD 모듈 기준 5-SMD - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 24 10 µa @ 600 v 75 a 3 단계 600 v
S150JR GeneSiC Semiconductor S150JR 35.5695
RFQ
 ECAD 1323 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S150JRGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 600 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
GBPC1508T GeneSiC Semiconductor GBPC1508T 2.4180
RFQ
 ECAD 8094 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC1508 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 800 v 15 a 단일 단일 800 v
GBPC1510T GeneSiC Semiconductor GBPC1510T 2.4180
RFQ
 ECAD 2180 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC GBPC1510 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 7.5 a 5 µa @ 1000 v 15 a 단일 단일 1kv
KBPC5010T GeneSiC Semiconductor KBPC5010T 4.2700
RFQ
 ECAD 331 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC5010 기준 KBPC-T 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
KBPC50005T GeneSiC Semiconductor KBPC50005T 2.5875
RFQ
 ECAD 9886 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC50005 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
GD05MPS17J GeneSiC Semiconductor GD05MPS17J -
RFQ
 ECAD 1326 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 활동적인 GD05MPS - 1242-GD05MPS17J 귀 99 8541.10.0080 1
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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