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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
KBJ2504G GeneSiC Semiconductor KBJ2504G 0.8955
RFQ
 ECAD 6148 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2504 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2504GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
KBJ2508G GeneSiC Semiconductor KBJ2508G 0.8955
RFQ
 ECAD 7457 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ2508 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ2508GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.05 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
KBJ401G GeneSiC Semiconductor KBJ401G 0.5160
RFQ
 ECAD 8832 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ401 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ401GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
KBJ408G GeneSiC Semiconductor KBJ408G 0.5160
RFQ
 ECAD 4271 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBJ KBJ408 기준 KBJ 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBJ408GGN 귀 99 8541.10.0080 250 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 800 v 4 a 단일 단일 800 v
KBL403G GeneSiC Semiconductor KBL403G -
RFQ
 ECAD 6326 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL 기준 KBL 다운로드 1 (무제한) KBL403GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 200 v 4 a 단일 단일 200 v
KBL604G GeneSiC Semiconductor KBL604G 0.5805
RFQ
 ECAD 9520 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBL KBL604 기준 KBL 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBL604GGN 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 6 a 5 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
KBP203 GeneSiC Semiconductor KBP203 0.3750
RFQ
 ECAD 3839 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP203GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 200 v 2 a 단일 단일 200 v
KBP206 GeneSiC Semiconductor KBP206 0.3750
RFQ
 ECAD 4816 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP206GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 600 v 2 a 단일 단일 600 v
KBPC2501T GeneSiC Semiconductor KBPC2501T 2.2995
RFQ
 ECAD 4637 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC2501 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 100 v 25 a 단일 단일 100 v
KBPC3504T GeneSiC Semiconductor KBPC3504T 2.4720
RFQ
 ECAD 9671 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC3504 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 10 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
KBPC5004T GeneSiC Semiconductor KBPC5004T 2.5875
RFQ
 ECAD 1269 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC5004 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 400 v 50 a 단일 단일 400 v
KBPM3005G GeneSiC Semiconductor KBPM3005G -
RFQ
 ECAD 1007 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBPM 기준 KBPM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 KBPM3005GGN 귀 99 8541.10.0080 900 1.1 v @ 3 a 5 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
KBU1001 GeneSiC Semiconductor KBU1001 0.8205
RFQ
 ECAD 8284 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1001GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 100 v 10 a 단일 단일 100 v
KBU1006 GeneSiC Semiconductor KBU1006 0.8205
RFQ
 ECAD 3191 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBU1006GN 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 600 v 10 a 단일 단일 600 v
KBU1010 GeneSiC Semiconductor KBU1010 0.8205
RFQ
 ECAD 3018 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu1010gn 귀 99 8541.10.0080 400 1.05 V @ 10 a 10 µa @ 1000 v 10 a 단일 단일 1kv
KBU6A GeneSiC Semiconductor KBU6A 0.7035
RFQ
 ECAD 4982 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU6 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) kbu6agn 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 6 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
KBU8G GeneSiC Semiconductor KBU8G 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBU KBU8 기준 KBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 400 1 V @ 8 a 10 µa @ 400 v 8 a 단일 단일 400 v
M3P100A-140 GeneSiC Semiconductor M3P100A-140 -
RFQ
 ECAD 2821 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모 쓸모 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1400 v 100 a 3 단계 1.4kV
MBRH200100 GeneSiC Semiconductor MBRH200100 70.0545
RFQ
 ECAD 7235 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRH200100GN 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 840 mV @ 200 a 5 ma @ 20 v 200a -
BR305 GeneSiC Semiconductor BR305 0.5700
RFQ
 ECAD 2931 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR305GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 50 v 3 a 단일 단일 50 v
BR36 GeneSiC Semiconductor BR36 0.4750
RFQ
 ECAD 1675 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-3 기준 BR-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR36GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 1.5 a 10 µa @ 600 v 3 a 단일 단일 600 v
BR605 GeneSiC Semiconductor BR605 0.7425
RFQ
 ECAD 4873 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR605GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 50 v 6 a 단일 단일 50 v
BR64 GeneSiC Semiconductor BR64 0.7425
RFQ
 ECAD 5531 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) BR64GN 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 400 v 6 a 단일 단일 400 v
DB101G GeneSiC Semiconductor DB101G 0.1980
RFQ
 ECAD 7578 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB101 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) db101ggn 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1 a 5 µa @ 50 v 1 a 단일 단일 50 v
DB151G GeneSiC Semiconductor DB151G 0.2325
RFQ
 ECAD 1447 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB151 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DB151GGN 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 50 v 1.5 a 단일 단일 50 v
DB156G GeneSiC Semiconductor DB156G 0.2325
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) DB156 기준 DB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) DB156GGN 귀 99 8541.10.0080 2,500 1.1 v @ 1.5 a 5 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
FR6A02 GeneSiC Semiconductor FR6A02 7.1300
RFQ
 ECAD 37 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6a02gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 200 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
MSRTA400140A GeneSiC Semiconductor MSRTA400140A 60.2552
RFQ
 ECAD 9038 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA400140 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1400 v 400A (DC) 1.2 v @ 400 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBPC2504W GeneSiC Semiconductor GBPC2504W 4.2000
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC2504 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1290 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 5 µa @ 400 v 25 a 단일 단일 400 v
GBPC3504W GeneSiC Semiconductor GBPC3504W 4.6200
RFQ
 ECAD 327 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, GBPC-W GBPC3504 기준 GBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1294 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 400 v 35 a 단일 단일 400 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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