SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
MBR2X080A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X080A150 48.6255
RFQ
 ECAD 8545 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X080 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 150 v 80a 880 MV @ 80 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRH12040R GeneSiC Semiconductor MBRH12040R 65.2300
RFQ
 ECAD 45 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 하프 7 MBRH12040 Schottky, 역, D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1067 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mV @ 120 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C 120a -
MBRF12020R GeneSiC Semiconductor MBRF12020R -
RFQ
 ECAD 6666 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 60a 700 mV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR12060CTR GeneSiC Semiconductor MBR12060CTR 68.8455
RFQ
 ECAD 4537 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR12060 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1083 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 120A (DC) 750 MV @ 60 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GC2X5MPS12-247 GeneSiC Semiconductor GC2X5MPS12-247 5.3730
RFQ
 ECAD 8661 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-3 GC2X5 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-3 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1324 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 27A (DC) 1.8 V @ 5 a 0 ns 4 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF20045 GeneSiC Semiconductor MBRF20045 -
RFQ
 ECAD 8356 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 100A 700 mV @ 100 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X120A080 GeneSiC Semiconductor MBR2X120A080 51.8535
RFQ
 ECAD 1508 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X120 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 80 v 120a 840 mV @ 120 a 1 ma @ 80 v -40 ° C ~ 150 ° C
MSRTA300160AD GeneSiC Semiconductor MSRTA300160AD 159.9078
RFQ
 ECAD 3791 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA300 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 300A 1.2 v @ 300 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH15040RL GeneSiC Semiconductor MBRH15040RL -
RFQ
 ECAD 7961 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 150 a 5 ma @ 40 v 150a -
MBRH240200 GeneSiC Semiconductor MBRH240200 76.4925
RFQ
 ECAD 7854 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 920 MV @ 240 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1800 v -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
1N8032-GA GeneSiC Semiconductor 1N8032-ga -
RFQ
 ECAD 6268 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-257-3 1N8032 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-257 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.3 V @ 2.5 a 0 ns 5 µa @ 650 v -55 ° C ~ 250 ° C 2.5A 274pf @ 1v, 1MHz
MUR40060CTR GeneSiC Semiconductor MUR40060CTR 132.0780
RFQ
 ECAD 8477 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR40060 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur40060ctrgn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 200a 1.3 v @ 125 a 180 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N5830 GeneSiC Semiconductor 1N5830 14.0145
RFQ
 ECAD 2616 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N5830 Schottky Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N5830gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 25 v 580 mV @ 25 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 25A -
MSRTA500100A GeneSiC Semiconductor MSRTA500100A 101.4000
RFQ
 ECAD 6615 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA500100 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 1000 v 500A (DC) 1.2 v @ 500 a 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40040L GeneSiC Semiconductor MBRT40040L -
RFQ
 ECAD 6219 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 200a 600 mV @ 200 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
S85QR GeneSiC Semiconductor S85QR 11.8980
RFQ
 ECAD 4824 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 S85Q 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1096 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1200 v 1.1 v @ 85 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 180 ° C 85A -
S300J GeneSiC Semiconductor S300J 63.8625
RFQ
 ECAD 5668 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S300 기준 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s300jgn 귀 99 8541.10.0080 8 짐 600 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 100 v -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF40020R GeneSiC Semiconductor MURF40020R -
RFQ
 ECAD 3160 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 200a 1 V @ 200 a 150 ns 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR30040CTRL GeneSiC Semiconductor MBR30040CTRL -
RFQ
 ECAD 1110 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 40 v 150a 600 mV @ 150 a 3 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA50035 GeneSiC Semiconductor MBRTA50035 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 250A 700 mV @ 250 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR16JR05 GeneSiC Semiconductor FR16JR05 8.5020
RFQ
 ECAD 3366 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR16JR05GN 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.1 v @ 16 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MSRT20060A GeneSiC Semiconductor MSRT20060A 48.2040
RFQ
 ECAD 6993 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT200 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 600 v 200a (DC) 1.2 v @ 200 a 10 µa @ 600 v -40 ° C ~ 175 ° C
GKR130/14 GeneSiC Semiconductor GKR130/14 35.4765
RFQ
 ECAD 6687 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKR130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1400 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
GBPC50005T GeneSiC Semiconductor GBPC50005T 4.0155
RFQ
 ECAD 5604 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, GBPC GBPC50005 기준 GBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.2 v @ 25 a 5 µa @ 50 v 50 a 단일 단일 50 v
MURT40020 GeneSiC Semiconductor MURT40020 132.0780
RFQ
 ECAD 9233 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murt40020gn 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 200a 1.3 V @ 200 a 125 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR40J02 GeneSiC Semiconductor FR40J02 12.8985
RFQ
 ECAD 7869 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR40J02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 40 a 250 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 40a -
1N3768R GeneSiC Semiconductor 1N3768R 10.1200
RFQ
 ECAD 113 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3768R 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1021 귀 99 8541.10.0080 100 짐 1000 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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