SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1N1206AR 4.2345
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1206AR 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1012 귀 99 8541.10.0080 250 짐 600 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
1N4593R GeneSiC Semiconductor 1N4593R 35.5695
RFQ
 ECAD 2449 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 1N4593R 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N4593RGN 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 V @ 150 a 5.5 ma @ 800 v -60 ° C ~ 200 ° C 150a -
MBRH24030 GeneSiC Semiconductor MBRH24030 76.4925
RFQ
 ECAD 9685 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 720 MV @ 240 a 1 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 240A -
S12M GeneSiC Semiconductor S12M 4.2345
RFQ
 ECAD 1831 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S12MGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1000 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
1N3211 GeneSiC Semiconductor 1N3211 7.0650
RFQ
 ECAD 1199 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N3211 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N3211gn 귀 99 8541.10.0080 100 짐 300 v 1.5 v @ 15 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 15a -
MBRT12035R GeneSiC Semiconductor MBRT12035R 75.1110
RFQ
 ECAD 1990 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MBRT12035 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBRT12035RGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 60a 750 MV @ 60 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S40B GeneSiC Semiconductor S40B 10.3200
RFQ
 ECAD 88 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 스터드 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 do-203ab (Do-5) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 100 짐 100 v 1.1 v @ 40 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 190 ° C 40a -
S6MR GeneSiC Semiconductor S6MR 3.8625
RFQ
 ECAD 4228 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 S6M 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) s6mrgn 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1000 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
KBP202 GeneSiC Semiconductor KBP202 0.3750
RFQ
 ECAD 2207 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, KBP 기준 KBP 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) KBP202GN 귀 99 8541.10.0080 2,000 1.1 v @ 2 a 10 µa @ 100 v 2 a 단일 단일 100 v
KBPC5008T GeneSiC Semiconductor KBPC5008T 2.5875
RFQ
 ECAD 1362 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC5008 기준 KBPC 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 800 v 50 a 단일 단일 800 v
M3P100A-100 GeneSiC Semiconductor M3P100A-100 -
RFQ
 ECAD 1695 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 기준 기준 - 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 25 1.15 V @ 100 a 10 ma @ 1000 v 100 a 3 단계 1kv
MBRT200150 GeneSiC Semiconductor MBRT200150 98.8155
RFQ
 ECAD 4589 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU4A GeneSiC Semiconductor gbu4a 1.4500
RFQ
 ECAD 348 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 50 v 4 a 단일 단일 50 v
FR6AR05 GeneSiC Semiconductor FR6AR05 8.5020
RFQ
 ECAD 9169 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6ar05gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.4 v @ 6 a 500 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 16A -
MURT20005R GeneSiC Semiconductor MURT20005R -
RFQ
 ECAD 4263 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MURT20005RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 50 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
UFT14060 GeneSiC Semiconductor UFT14060 -
RFQ
 ECAD 7552 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB 기준 TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 70A 1.7 v @ 70 a 90 ns 25 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR6J02 GeneSiC Semiconductor FR6J02 4.9020
RFQ
 ECAD 8607 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) fr6j02gn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.4 v @ 6 a 250 ns 25 µa @ 50 v -65 ° C ~ 150 ° C 6A -
BR62 GeneSiC Semiconductor BR62 1.8200
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 125 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, BR-6 기준 BR-6 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 200 1 V @ 3 a 10 µa @ 200 v 6 a 단일 단일 200 v
MBRH15045RL GeneSiC Semiconductor MBRH15045RL -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 150 a 5 ma @ 45 v 150a -
1N8033-GA GeneSiC Semiconductor 1N8033-ga -
RFQ
 ECAD 9724 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 표면 표면 TO-276AA 1N8033 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-276 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.65 V @ 5 a 0 ns 5 µa @ 650 v -55 ° C ~ 250 ° C 4.3A 274pf @ 1v, 1MHz
FR70D05 GeneSiC Semiconductor FR70D05 17.5905
RFQ
 ECAD 9746 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR70D05GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.4 V @ 70 a 500 ns 25 µa @ 100 v -40 ° C ~ 125 ° C 70A -
S150QR GeneSiC Semiconductor S150QR 35.5695
RFQ
 ECAD 1469 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 S150 표준, 극성 역 DO-205AA (DO-8) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1200 v 1.2 v @ 150 a 10 µa @ 600 v -65 ° C ~ 200 ° C 150a -
KBPC5010W GeneSiC Semiconductor KBPC5010W 2.5875
RFQ
 ECAD 3036 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC5010 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 25 a 5 µa @ 1000 v 50 a 단일 단일 1kv
KBPC3510T GeneSiC Semiconductor KBPC3510T 2.4750
RFQ
 ECAD 6256 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) QC 터미널 4- 스퀘어, KBPC-T KBPC3510 기준 KBPC-T 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 17.5 a 5 µa @ 1000 v 35 a 단일 단일 1kv
KBPC2510W GeneSiC Semiconductor KBPC2510W 2.2995
RFQ
 ECAD 6108 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 스퀘어, KBPC-W KBPC2510 기준 KBPC-W 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 1.1 v @ 12.5 a 10 µa @ 1000 v 25 a 단일 단일 1kv
MUR7060R GeneSiC Semiconductor mur7060r 17.7855
RFQ
 ECAD 1102 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 mur7060 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur7060rgn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 v @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
FR20JR02 GeneSiC Semiconductor FR20JR02 9.3555
RFQ
 ECAD 9256 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR20JR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1 V @ 20 a 250 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 20A -
MBR2X050A120 GeneSiC Semiconductor MBR2X050A120 43.6545
RFQ
 ECAD 1366 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X050 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 120 v 50a 880 mV @ 50 a 3 ma @ 120 v -40 ° C ~ 150 ° C
MSRTA20080D GeneSiC Semiconductor MSRTA20080D 142.3575
RFQ
 ECAD 2531 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 MSRTA200 기준 - 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRTA20080D 귀 99 8541.10.0080 24 짐 1 연결 연결 시리즈 800 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 800 v -55 ° C ~ 150 ° C
MSRT150120D GeneSiC Semiconductor MSRT150120D 98.8155
RFQ
 ECAD 5031 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT150 기준 3 개의 타워 다운로드 Rohs3 준수 1242-MSRT150120D 귀 99 8541.10.0080 40 짐 1 연결 연결 시리즈 1200 v 150a 1.1 v @ 150 a 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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