SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대)
FST10080 GeneSiC Semiconductor FST10080 65.6445
RFQ
 ECAD 1968 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 100A 840 mV @ 100 a 2 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20080CT GeneSiC Semiconductor MBR20080CT 90.1380
RFQ
 ECAD 7252 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR20080 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR20080CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 200a (DC) 840 mV @ 100 a 5 ma @ 20 v
MBRT60030L GeneSiC Semiconductor MBRT60030L -
RFQ
 ECAD 5731 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 30 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRT40045L GeneSiC Semiconductor MBRT40045L -
RFQ
 ECAD 6197 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 200a 600 mV @ 200 a 5 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
FR30BR02 GeneSiC Semiconductor FR30BR02 10.5930
RFQ
 ECAD 4814 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FR30BR02GN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1 V @ 30 a 200 ns 25 µa @ 50 v -40 ° C ~ 125 ° C 30A -
GB20SLT12-247D GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247D -
RFQ
 ECAD 5669 0.00000000 유전자 유전자 - 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-3 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247 - 1 (무제한) 1242-1316 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 1200 v 25A 1.8 V @ 10 a 50 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C
1N2138AR GeneSiC Semiconductor 1N2138AR 11.7300
RFQ
 ECAD 179 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N2138AR 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1072 귀 99 8541.10.0080 100 짐 600 v 1.1 v @ 60 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 60a -
MBR200150CT GeneSiC Semiconductor MBR200150CT 90.1380
RFQ
 ECAD 1041 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR200150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD20MPS12A GeneSiC Semiconductor GD20MPS12A 8.4800
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 GD20 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-220-2 다운로드 1 (무제한) 1242-GD20MPS12A 귀 99 8541.10.0080 50 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 1.8 V @ 20 a 0 ns 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 42A 737pf @ 1v, 1MHz
GKN130/18 GeneSiC Semiconductor GKN130/18 35.5490
RFQ
 ECAD 9985 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 1800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 1800 v -55 ° C ~ 150 ° C 165a -
MURF10005 GeneSiC Semiconductor MURF10005 -
RFQ
 ECAD 2925 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) murf10005gn 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 50 v 50a 1.3 V @ 50 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR2X100A150 GeneSiC Semiconductor MBR2X100A150 50.2485
RFQ
 ECAD 4318 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 MBR2X100 Schottky SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 2 독립 150 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 150 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRF60030R GeneSiC Semiconductor MBRF60030R -
RFQ
 ECAD 1325 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 30 v 300A (DC) 650 mV @ 300 a 10 ma @ 20 v -40 ° C ~ 175 ° C
MURTA60040R GeneSiC Semiconductor MURTA60040R 188.1435
RFQ
 ECAD 1280 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 Murta60040 기준 3 개의 타워 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murta60040rgn 귀 99 8541.10.0080 24 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 400 v 300A 1.5 V @ 300 a 220 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH30030L GeneSiC Semiconductor MBRH30030L -
RFQ
 ECAD 6258 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 300 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 300A -
MBRH15045RL GeneSiC Semiconductor MBRH15045RL -
RFQ
 ECAD 8770 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 45 v 600 mV @ 150 a 5 ma @ 45 v 150a -
MURF20020R GeneSiC Semiconductor MURF20020R -
RFQ
 ECAD 3405 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) MURF20020RGN 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 200 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
UFT14020 GeneSiC Semiconductor UFT14020 -
RFQ
 ECAD 6916 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB 기준 TO-249AB - 1 (무제한) UFT14020GS 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 70A 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N6098R GeneSiC Semiconductor 1N6098R 21.5010
RFQ
 ECAD 4696 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N6098R Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N6098RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 700 mV @ 50 a 5 ma @ 30 v -65 ° C ~ 150 ° C 50a -
MBR6035R GeneSiC Semiconductor MBR6035R 21.3105
RFQ
 ECAD 4969 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MBR6035 Schottky, 역, DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR6035RGN 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 35 v 650 A 60 a 5 ma @ 20 v -65 ° C ~ 150 ° C 60a -
MBRF50045 GeneSiC Semiconductor MBRF50045 -
RFQ
 ECAD 3009 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 250A 750 mV @ 250 a 1 ma @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1187 GeneSiC Semiconductor 1N1187 7.4730
RFQ
 ECAD 5062 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 1N1187 기준 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1N1187GN 귀 99 8541.10.0080 100 짐 300 v 1.2 v @ 35 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 190 ° C 35a -
S12G GeneSiC Semiconductor S12G 4.2345
RFQ
 ECAD 4684 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S12GGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 400 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 175 ° C 12a -
MBR200150CTR GeneSiC Semiconductor MBR200150ctr 90.1380
RFQ
 ECAD 1591 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR200150 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 3 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB25MPS17-247 GeneSiC Semiconductor GB25MPS17-247 -
RFQ
 ECAD 1657 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 GB25MPS17 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-1344 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1700 v 1.8 V @ 25 a 0 ns 10 µa @ 1700 v -55 ° C ~ 175 ° C 52A 2350pf @ 1v, 1MHz
MBRTA50035 GeneSiC Semiconductor MBRTA50035 -
RFQ
 ECAD 9945 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 250A 700 mV @ 250 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRH20030RL GeneSiC Semiconductor MBRH20030RL -
RFQ
 ECAD 8472 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 30 v 580 mV @ 200 a 3 ma @ 30 v -55 ° C ~ 150 ° C 200a -
MBRF30080R GeneSiC Semiconductor MBRF30080R -
RFQ
 ECAD 6743 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB MBRF3008 Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 80 v 150a 840 mV @ 150 a 1 ma @ 80 v -55 ° C ~ 150 ° C
GBU4B GeneSiC Semiconductor GBU4B 0.4725
RFQ
 ECAD 1430 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBU GBU4 기준 GBU 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 500 1.1 v @ 4 a 5 µa @ 100 v 4 a 단일 단일 100 v
FST8380SM GeneSiC Semiconductor FST8380SM -
RFQ
 ECAD 6753 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D61-3SM Schottky D61-3SM 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 FST8380SMGN 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 80 v 80A (DC) 840 MV @ 80 a 1.5 ma @ 20 v
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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