SIC
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다이오드 (2089)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f
MUR20010CT GeneSiC Semiconductor MUR20010CT 101.6625
RFQ
 ECAD 4937 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MUR20010 기준 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1000 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 100A 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF200150 GeneSiC Semiconductor MBRF200150 -
RFQ
 ECAD 8690 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 100A 880 mV @ 100 a 1 ma @ 150 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBR60035CTRL GeneSiC Semiconductor MBR60035CTRL -
RFQ
 ECAD 2077 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 트윈 트윈 Schottky 트윈 트윈 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 35 v 300A 600 mV @ 300 a 3 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
FST120200 GeneSiC Semiconductor FST120200 70.4280
RFQ
 ECAD 2085 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 200 v 60a 920 MV @ 60 a 1 ma @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10010 GeneSiC Semiconductor murh10010 49.5120
RFQ
 ECAD 9951 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 기준 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10010gn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 100 v 1.3 V @ 100 a 75 ns 25 µa @ 50 v 100A -
MBR300100CT GeneSiC Semiconductor MBR300100CT 94.5030
RFQ
 ECAD 1755 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 트윈 트윈 MBR300100 Schottky 트윈 트윈 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) MBR300100CTGN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 150a 840 mV @ 150 a 8 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S300JR GeneSiC Semiconductor S300JR 63.8625
RFQ
 ECAD 7950 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 S300 표준, 극성 역 DO-205AB (DO-9) 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S300JRGN 귀 99 8541.10.0080 8 짐 600 v 1.2 v @ 300 a 10 µa @ 100 v -60 ° C ~ 200 ° C 300A -
GE04MPS06E GeneSiC Semiconductor GE04MPS06E 1.6500
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 컷 컷 (CT) sic에서 중단되었습니다 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-252-2 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0080 2,500 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 650 v 1.35 V @ 4 a 0 ns 5 µa @ 650 v -55 ° C ~ 175 ° C 11a 186pf @ 1v, 1MHz
MSRT25060A GeneSiC Semiconductor MSRT25060A 54.2296
RFQ
 ECAD 1769 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRT25060 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 음극 음극 공통 600 v 250A (DC) 1.2 V @ 250 a 15 µa @ 600 v -55 ° C ~ 150 ° C
GB20SLT12-247 GeneSiC Semiconductor GB20SLT12-247 -
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 구멍을 구멍을 TO-247-2 GB20SLT12 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 30 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 1200 v 2 V @ 20 a 0 ns 200 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 20A 968pf @ 1v, 1MHz
GKN130/08 GeneSiC Semiconductor GKN130/08 35.0777
RFQ
 ECAD 6934 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-205AA, DO-8, 스터드 GKN130 기준 DO-205AA (DO-8) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 10 짐 800 v 1.5 V @ 60 a 22 ma @ 800 v -40 ° C ~ 180 ° C 165a -
FR12G05 GeneSiC Semiconductor FR12G05 6.7605
RFQ
 ECAD 4903 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 800 mV @ 12 a 500 ns 25 µa @ 100 v -65 ° C ~ 150 ° C 12a -
FST16035L GeneSiC Semiconductor FST16035L -
RFQ
 ECAD 7782 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 35 v 80a 600 mV @ 80 a 1 ma @ 35 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURH10060R GeneSiC Semiconductor MURH10060R 49.5120
RFQ
 ECAD 5768 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 D-67 murh10060 표준, 극성 역 D-67 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) murh10060rgn 귀 99 8541.10.0080 36 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 600 v 1.7 V @ 100 a 110 ns 25 µa @ 600 v 100A -
MSRTA200120AD GeneSiC Semiconductor MSRTA200120AD 85.9072
RFQ
 ECAD 9131 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 3 개의 타워 MSRTA200 기준 3 개의 타워 - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 짐 1 연결 연결 시리즈 1200 v 200a 1.1 v @ 200 a 10 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 150 ° C
MURF30005R GeneSiC Semiconductor MURF30005R -
RFQ
 ECAD 2520 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB 기준 TO-244 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 짐 1 양극 양극 공통 50 v 150a 1 V @ 150 a 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRF120100R GeneSiC Semiconductor MBRF120100R -
RFQ
 ECAD 3387 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 TO-244AB Schottky TO-244AB - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 25 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 100 v 60a 840 MV @ 60 a 1 ma @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
1N1199AR GeneSiC Semiconductor 1N1199AR 4.2345
RFQ
 ECAD 2646 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1199AR 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1028 귀 99 8541.10.0080 250 짐 50 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
MBR3520R GeneSiC Semiconductor MBR3520R 15.1785
RFQ
 ECAD 4876 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 MBR3520 Schottky, 역, Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mbr3520rgn 귀 99 8541.10.0080 250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 20 v 680 MV @ 35 a 1.5 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C 35a -
MBRTA80040 GeneSiC Semiconductor MBRTA80040 -
RFQ
 ECAD 3010 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 40 v 400A 720 MV @ 400 a 1 ma @ 40 v -55 ° C ~ 150 ° C
MBRTA60020RL GeneSiC Semiconductor MBRTA60020RL -
RFQ
 ECAD 7830 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 3 개의 타워 Schottky 3 개의 타워 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 18 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 20 v 300A 580 mV @ 300 a 3 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
S6Q GeneSiC Semiconductor S6Q 3.8625
RFQ
 ECAD 6053 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 기준 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) S6QGN 귀 99 8541.10.0080 250 짐 1200 v 1.1 v @ 6 a 10 µa @ 100 v -65 ° C ~ 175 ° C 6A -
1N1206AR GeneSiC Semiconductor 1N1206AR 4.2345
RFQ
 ECAD 6866 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 DO-203AA, DO-4, 스터드 1N1206AR 표준, 극성 역 Do-4 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 1242-1012 귀 99 8541.10.0080 250 짐 600 v 1.1 v @ 12 a 10 µa @ 50 v -65 ° C ~ 200 ° C 12a -
GAP3SLT33-214 GeneSiC Semiconductor GAP3SLT33-214 10.7600
RFQ
 ECAD 1119 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AA, SMB GAP3SLT33 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky DO-214AA 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 3,000 복구 복구 복구 없음> 500ma (io) 3300 v 2.2 v @ 300 ma 0 ns 10 µa @ 3300 v -55 ° C ~ 175 ° C 300ma 42pf @ 1v, 1MHz
MUR2X120A02 GeneSiC Semiconductor MUR2X120A02 50.2485
RFQ
 ECAD 2903 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 SOT-227-4, 미니 블록 mur2x120 기준 SOT-227 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 52 짐 2 독립 200 v 120a 1 V @ 120 a 25 µa @ 200 v -55 ° C ~ 175 ° C
GKN240/14 GeneSiC Semiconductor GKN240/14 59.1766
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-205AB, do-9, 스터드 GKN240 기준 DO-205AB (DO-9) - rohs 준수 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 8 짐 1400 v 1.4 V @ 60 a 60 ma @ 1400 v -40 ° C ~ 180 ° C 320A -
FST16060 GeneSiC Semiconductor FST16060 75.1110
RFQ
 ECAD 7797 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 TO-249AB Schottky TO-249AB 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) FST16060GN 귀 99 8541.10.0080 40 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 60 v 160A (DC) 800 mV @ 160 a 1 ma @ 20 v -55 ° C ~ 150 ° C
GD30MPS12H GeneSiC Semiconductor GD30MPS12H 10.4700
RFQ
 ECAD 980 0.00000000 유전자 유전자 Sic Schottky MPS ™ 튜브 활동적인 구멍을 구멍을 TO-247-2 SIC (카바이드 실리콘 실리콘) Schottky TO-247-2 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1242-GD30MPS12H 귀 99 8541.10.0080 30 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1200 v 1.8 V @ 30 a 20 µa @ 1200 v -55 ° C ~ 175 ° C 55A 1101pf @ 1v, 1MHz
MUR7005R GeneSiC Semiconductor MUR7005R 17.7855
RFQ
 ECAD 3629 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 활동적인 섀시, 마운트 스터드 do-203ab, do-5, 스터드 MUR7005 표준, 극성 역 DO-5 다운로드 rohs 준수 1 (무제한) mur7005rgn 귀 99 8541.10.0080 100 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1 V @ 70 a 75 ns 25 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 70A -
MBRH20040RL GeneSiC Semiconductor MBRH20040RL -
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 유전자 유전자 - 대부분 쓸모없는 섀시 섀시 D-67 하프 7 Schottky, 역, D-67 - 1 (무제한) 귀 99 8541.10.0080 50 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 200 a 5 ma @ 40 v 200a -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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