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다이오드 (3135)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 구성 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
MB200K01F3 Yangjie Technology MB200K01F3 20.6440
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 Schottky F3 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MB200K01F3 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 100A 820 MV @ 100 a 5 ma @ 100 v -40 ° C ~ 150 ° C
SS320B Yangjie Technology SS320B 0.0570
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS320BTR 귀 99 3,000
BZT52B3V9 Yangjie Technology BZT52B3V9 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 410 MW SOD-123 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B3V9TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3.9 v 95 옴
B5819WS Yangjie Technology B5819W 0.0260
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-B5819WSTR 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 40 v 600 mV @ 1 a 40 V @ 40 v -65 ° C ~ 125 ° C 1A 48pf @ 4V, 1MHz
HS5D Yangjie Technology HS5D 0.1430
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-HS5DTR 귀 99 3,000
GR1G Yangjie Technology gr1g 0.0300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr1gtr 귀 99 5,000
SF34G Yangjie Technology SF34G 0.1060
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SF34GTB 귀 99 1,250
BZX584B5V1Q Yangjie Technology BZX584B5V1Q 0.0290
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B5V1QTR 귀 99 8,000
MBR30100CT Yangjie Technology MBR30100CT 0.4870
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-3 Schottky TO-220AB - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBR30100CTTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 100 v 30A 850 mV @ 15 a 10 µa @ 100 v -55 ° C ~ 150 ° C
SS15U150P Yangjie Technology SS15U150P 0.2410
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS15U150PTR 귀 99 5,000
GBJ2508 Yangjie Technology GBJ2508 0.4350
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 양지 양지 GBJ 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4-SIP, GBJ 기준 GBJ - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GBJ2508 귀 99 750 1 V @ 12.5 a 10 µa @ 800 v 25 a 단일 단일 800 v
BZT52C47S Yangjie Technology BZT52C47S 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C47str 귀 99 3,000
ES3J Yangjie Technology ES3J 0.1000
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es3jtr 귀 99 3,000
D6JA80 Yangjie Technology D6JA80 0.3400
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-D6JA80 귀 99 750
D4UB60A Yangjie Technology d4ub60a 0.1580
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-d4ub60a 귀 99 3,000
BZX584B3V9Q Yangjie Technology BZX584B3V9Q 0.0290
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B3V9QTR 귀 99 8,000
BZT52B47SQ Yangjie Technology BZT52B47SQ 0.0280
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B47SQTR 귀 99 3,000
GS2DAQ Yangjie Technology GS2DAQ 0.0530
RFQ
 ECAD 750 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS2DAQTR 귀 99 7,500
AZ23C11 Yangjie Technology AZ23C11 0.0240
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.45% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 300MW SOT-23 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23C11tr 귀 99 3,000 1 양극 양극 공통 11 v 20 옴
BZT52C2V4 Yangjie Technology BZT52C2V4 0.0160
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5.83% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C2V4TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 50 µa @ 1 v 2.4 v 100 옴
SSL545B Yangjie Technology SSL545B 0.1290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SSL545BTR 귀 99 3,000
HS3DBF Yangjie Technology HS3DBF 0.0720
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-HS3DBFTR 귀 99 5,000
MF200A12F5 Yangjie Technology MF200A12F5 35.7230
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 F5 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF200A12F5 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 1200 v 200a 2.3 V @ 200 a 110 ns 1 ma @ 1200 v -40 ° C ~ 150 ° C
SD101AWS Yangjie Technology sd101aws 0.0150
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 SC-76, SOD-323 Schottky SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SD101AWSTR 귀 99 3,000 작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도 60 v 1 V @ 15 ma 1 ns 200 na @ 50 v -55 ° C ~ 125 ° C 15MA 2pf @ 0V, 1MHz
MF150A06F2N Yangjie Technology MF150A06F2N 28.0963
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 f2n - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF150A06F2N 귀 99 8 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 양극 양극 공통 600 v 150a 1.6 V @ 150 a 130 ns 1 ma @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
MBRL3045FCT Yangjie Technology MBRL3045FCT 0.4910
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭 Schottky ITO-220AB - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBRL3045FCTTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 45 v 30A 550 mV @ 15 a 100 µa @ 45 v -55 ° C ~ 150 ° C
BZX84C56 Yangjie Technology BZX84C56 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C56TR 귀 99 3,000
F1D Yangjie Technology F1D 0.0210
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-F1DTR 귀 99 3,000
SS52Q Yangjie Technology SS52Q 0.1820
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS52QTR 귀 99 3,000
BZX584B20V Yangjie Technology BZX584B20V 0.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B20VTR 귀 99 8,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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