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다이오드 (3135)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
ES1HS Yangjie Technology ES1HS 0.0300
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-es1hstr 귀 99 5,000
BZX84C56 Yangjie Technology BZX84C56 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C56TR 귀 99 3,000
H1A Yangjie Technology H1A 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H1AT 귀 99 3,000
SS28Q Yangjie Technology SS28Q 0.0620
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS28QTR 귀 99 3,000
MD60K08D1 Yangjie Technology MD60K08D1 16.6960
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 D1 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD60K08D1 귀 99 10 짐 1 음극 음극 공통 800 v 60a 1.45 V @ 200 a 5 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
H2BF Yangjie Technology H2BF 0.0230
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-H2BFTR 귀 99 3,000
BZX84C6V2W Yangjie Technology BZX84C6V2W 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-70, SOT-323 200 MW SOT-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C6V2WTR 귀 99 3,000 1.2 v @ 100 ma 3 µa @ 4 v 6.2 v 10 옴
GR2K Yangjie Technology GR2K 0.0370
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr2ktr 귀 99 3,000
D8JA80 Yangjie Technology D8JA80 0.3400
RFQ
 ECAD 75 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-D8JA80 귀 99 750
MMSZ5235BQ Yangjie Technology MMSZ5235BQ 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MMSZ5235BQTR 귀 99 3,000
BZX84B24Q Yangjie Technology BZX84B24Q 0.0290
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84B24QTR 귀 99 3,000
UG3CB Yangjie Technology UG3CB 0.1440
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ug3cbtr 귀 99 3,000
AZ23B39 Yangjie Technology AZ23B39 0.0270
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-AZ23B39tr 귀 99 3,000
BZT52C47S Yangjie Technology BZT52C47S 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C47str 귀 99 3,000
BAS70-06Q Yangjie Technology BAS70-06Q 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAS70-06QTR 귀 99 3,000
SS10U100 Yangjie Technology SS10U100 0.3010
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ss10u100tr 귀 99 5,000
GR1J Yangjie Technology gr1j 0.0200
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gr1jtr 귀 99 5,000
SS28 Yangjie Technology SS28 0.0440
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA Schottky DO-214AC (HSMA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS28TR 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 80 v 850 mv @ 2 a 500 µa @ 80 v -55 ° C ~ 125 ° C 2A 50pf @ 4V, 1MHz
DB106 Yangjie Technology DB106 0.1000
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.321 ", 8.15mm) 기준 DB-1 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DB106 귀 99 2,500 1.1 v @ 1 a 10 µa @ 800 v 1 a 단일 단일 800 v
S28F Yangjie Technology S28F 0.0350
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-s28ftr 귀 99 3,000
BAW56Q Yangjie Technology BAW56Q 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 자동차, AEC-Q101 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAW56QTR 귀 99 3,000
MD100C16D1N Yangjie Technology MD100C16D1N 19.6660
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 D1N - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD100C16D1N 귀 99 10 짐 1 연결 연결 시리즈 1600 v 100A 1.35 V @ 300 a 6 ma @ 1600 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52C3V0S Yangjie Technology BZT52C3V0 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.67% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SC-76, SOD-323 200 MW SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C3V0STR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 10 µa @ 1 v 3 v 95 옴
BZT52B15S Yangjie Technology BZT52B15S 0.0180
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B15str 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 100 na @ 11 v 15 v 30 옴
BZT52C8V2Q Yangjie Technology BZT52C8V2Q 0.0220
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C8V2QTR 귀 99 3,000
S23Q Yangjie Technology S23Q 0.0620
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S23QTR 귀 99 3,000
MD120A08D1 Yangjie Technology MD120A08D1 18.4650
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 D1 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD120A08D1 귀 99 10 짐 1 양극 양극 공통 800 v 120a 1.35 V @ 300 a 6 ma @ 800 v -40 ° C ~ 150 ° C
BZT52B4V3S Yangjie Technology BZT52B4V3S 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) 표면 표면 SC-90, SOD-323F 200 MW SOD-323 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B4V3ST 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 5 µa @ 1 v 4.3 v 95 옴
MF100K12F1 Yangjie Technology MF100K12F1 27.6950
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 섀시 섀시 기준 기준 기준 F1 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MF100K12F1 귀 99 10 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 600 v 100A 1.4 V @ 100 a 105 ns 50 µa @ 600 v -40 ° C ~ 150 ° C
GS2A Yangjie Technology GS2A 0.0340
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 DO-214AC, SMA 기준 DO-214AC (HSMA) - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-gs2atr 귀 99 3,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 50 v 1.1 v @ 2 a 4 ns 5 µa @ 50 v -55 ° C ~ 150 ° C 2A 20pf @ 4V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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