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다이오드 (3135)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 용인 작동 작동 장착 장착 패키지 / 케이스 기본 기본 번호 기술 전원 - 최대 공급 공급 장치 업체 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN 표준 표준 속도 다이오드 다이오드 전압 -dc c (vr) (최대) 전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당) 전압- v (vf) (max) @ if 역 역 시간 (TRR) 전류- 누출 리버스 @ vr 작동 작동 - 온도 현재- 정류 평균 (IO) 커패시턴스 @ vr, f 다이오드 다이오드 전압- 리버스 피크 (최대) 전압 -Zener (nom) (VZ) 임피던스 (() (ZZT)
BAT54SQ Yangjie Technology BAT54SQ 0.0250
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 Bat54 다운로드 rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BAT54SQTR 귀 99 3,000
F1KF Yangjie Technology f1kf 0.0190
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-f1kftr 귀 99 3,000
MUR1660CD Yangjie Technology MUR1660CD 0.4560
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR1660CDTR 귀 99 2,500
S310F Yangjie Technology S310F 0.0460
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-s310ftr 귀 99 3,000
E2CF Yangjie Technology E2CF 0.0300
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-e2cftr 귀 99 3,000
DB156 Yangjie Technology DB156 0.1120
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 구멍을 구멍을 4- 에이프 (0.300 ", 7.62mm) 기준 DB-1 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-DB156 귀 99 2,500 1.1 v @ 1.5 a 10 µa @ 800 v 1.5 a 단일 단일 800 v
G2AF Yangjie Technology G2AF 0.0210
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-G2AFTR 귀 99 3,000
GS2KQ Yangjie Technology GS2KQ 0.0570
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS2KQTR 귀 99 3,000
UG1H Yangjie Technology UG1H 0.0450
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-ug1htr 귀 99 5,000
SS83 Yangjie Technology SS83 0.1210
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SS83TR 귀 99 3,000
S24Q Yangjie Technology S24Q 0.0620
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S24QTR 귀 99 3,000
S23 Yangjie Technology S23 0.0320
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-S23TR 귀 99 3,000
BZT52B6V8Q Yangjie Technology BZT52B6V8Q 0.0280
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52B6V8QTR 귀 99 3,000
BZX84C8V2 Yangjie Technology BZX84C8V2 0.0200
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C8 350 MW SOT-23 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C8V2TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 700 na @ 5 v 8.2 v 15 옴
MBRB20150CTS Yangjie Technology MBRB20150CTS 0.3580
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB Schottky TO-263 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MBRB20150CTSTR 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 1 음극 음극 공통 150 v 20A 900 mV @ 10 a 100 µa @ 150 v -55 ° C ~ 175 ° C
MURB840 Yangjie Technology murb840 0.3830
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-263-3, d²pak (2 리드 + 탭), TO-263AB 기준 TO-263 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-murb840tr 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 8 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 8a 40pf @ 4V, 1MHz
MURS560 Yangjie Technology MURS560 0.2920
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-murs560tr 귀 99 3,000
BZX84C15T Yangjie Technology BZX84C15T 0.0190
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX84C15TTR 귀 99 3,000
SR3200 Yangjie Technology SR3200 0.1190
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & t (TB) 활동적인 구멍을 구멍을 Do-201ad, 1 방향 Schottky Do-201ad - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-SR3200TB 귀 99 1,250 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 900 mV @ 3 a 10 µa @ 200 v -50 ° C ~ 125 ° C 3A -
MD100S18M2 Yangjie Technology MD100S18M2 22.7338
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) 섀시 섀시 기준 기준 기준 M2 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MD100S18M2 귀 99 8 1.9 v @ 150 a 300 µa @ 1800 v 100 a 3 단계 1.8 kV
MUR1020F Yangjie Technology mur1020f 0.3410
RFQ
 ECAD 100 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 구멍을 구멍을 TO-220-2 격리 -2 탭 기준 ITO-220AC - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-mur1020ftr 귀 99 1,000 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 200 v 1.15 V @ 10 a 35 ns 5 µa @ 200 v -55 ° C ~ 150 ° C 10A -
RB521S-40Q Yangjie Technology RB521S-40Q 0.0250
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-RB521S-40QTR 귀 99 8,000
BZX584B10V Yangjie Technology BZX584B10V 0.0200
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B10VTR 귀 99 8,000
GR3BBF Yangjie Technology GR3BBF 0.0610
RFQ
 ECAD 500 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617 -g3bbftr 귀 99 5,000
GS1GB Yangjie Technology GS1GB 0.0380
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS1GBTR 귀 99 3,000
GS5BB Yangjie Technology GS5BB 0.0850
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-GS5BBTR 귀 99 3,000
BZX584B27V Yangjie Technology BZX584B27V 0.0230
RFQ
 ECAD 800 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZX584B27VTR 귀 99 8,000
MUR540D Yangjie Technology MUR540D 0.2200
RFQ
 ECAD 250 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 표면 표면 TO-252-3, DPAK (2 리드 + 탭), SC-63 기준 TO-252 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-MUR540DTR 귀 99 2,500 빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io) 400 v 1.3 V @ 5 a 35 ns 5 µa @ 400 v -55 ° C ~ 175 ° C 5a 50pf @ 4V, 1MHz
BZT52C4V3 Yangjie Technology BZT52C4V3 0.0170
RFQ
 ECAD 300 0.00000000 양지 양지 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 ± 6.98% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) 표면 표면 SOD-123 500MW SOD-123 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BZT52C4V3TR 귀 99 3,000 900 mV @ 10 ma 3 µa @ 1 v 4.3 v 90 옴
BR2510W Yangjie Technology BR2510W 1.0320
RFQ
 ECAD 5 0.00000000 양지 양지 - 대부분 활동적인 - rohs 준수 영향을받지 영향을받지 4617-BR2510W 귀 99 50
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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196-LFBGA 노출 패드

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