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다이오드 (3135)

제품 제품	가격 (USD)	수량	사용 사용 수량	Mfr	시리즈	패키지	제품 제품	용인	작동 작동	장착 장착	패키지 / 케이스	기본 기본 번호	기술	전원 - 최대	공급 공급 장치 업체	rohs 상태	상태에 상태에	다른 다른	ECCN	표준 표준	구성	속도	다이오드 다이오드	전압 -dc c (vr) (최대)	전류- 정류 평균 (io) (다이오드 당 당)	전압- v (vf) (max) @ if	역 역 시간 (TRR)	전류- 누출 리버스 @ vr	작동 작동 - 온도	현재- 정류 평균 (IO)	커패시턴스 @ vr, f	다이오드 다이오드	전압- 리버스 피크 (최대)	전압 -Zener (nom) (VZ)	임피던스 (() (ZZT)
BR1508	1.0040	RFQ	5	양지 양지	-	대부분	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BR1508	귀 99	50
MBR30150FCT	0.5160	RFQ	100	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			구멍을 구멍을	TO-220-3 3 된 탭		Schottky		ITO-220AB	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MBR30150FCTTR	귀 99	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	150 v	30A	990 MV @ 30 a		5 µa @ 150 v	-55 ° C ~ 150 ° C
B0530W	0.0240	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-76, SOD-323		Schottky		SOD-323	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-B0530WSTR	귀 99	3,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		30 v		550MV @ 500 MA		300 µa @ 30 v	-55 ° C ~ 125 ° C	500ma	30pf @ 4V, 1MHz
H1BFS	0.0210	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-H1BFSTR	귀 99	3,000
MD200C16D2	34.0700	RFQ	800	양지 양지	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		D2	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MD200C16D2	귀 99	8		짐	1 연결 연결 시리즈	1600 v	200a	1.3 v @ 300 a		9 ma @ 1600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SS16	0.0170	RFQ	1	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		Schottky		DO-214AC (HSMA)	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-SS16TR	귀 99	5,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		60 v		700 mv @ 1 a		500 µa @ 60 v	-55 ° C ~ 125 ° C	1A	110pf @ 4V, 1MHz
BZX84B5V6W	0.0180	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZX84B5V6WTR	귀 99	3,000
MMSZ5241B	0.0160	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MMSZ5241BTR	귀 99	3,000						900 mV @ 10 ma		2 µa @ 8.4 v						11 v	22 옴
GBPC1506	1.2040	RFQ	5	양지 양지	GBP	대부분	활동적인		-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	섀시 섀시	4- 스퀘어, GBPC	GBPC15	기준		GBPC	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-GBPC1506	귀 99	50						1.1 v @ 7.5 a		5 µa @ 600 v		15 a		단일 단일	600 v
SS520Q	0.1820	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-SS520QTR	귀 99	3,000
D2UB80	0.1350	RFQ	150	양지 양지	-	튜브	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-d2ub80	귀 99	1,500
MF200C06F2	30.9063	RFQ	800	양지 양지	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		F2	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MF200C06F2	귀 99	8		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 연결 연결 시리즈	600 v	200a	1.6 V @ 200 a	140 ns	500 µa @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
GS2K	0.0340	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (HSMA)	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-GS2KTR	귀 99	3,000		짐		800 v		1.1 v @ 2 a		10 µa @ 800 v	-55 ° C ~ 150 ° C	2A	20pf @ 4V, 1MHz
DZ23C30	0.0240	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 5%	-55 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			300MW	SOT-23	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-dz23c30tr	귀 99	3,000	1 음극 음극 공통													30 v	80 옴
BZT52C9V1	0.0170	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6.04%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZT52C9V1TR	귀 99	3,000						900 mV @ 10 ma		500 na @ 6 v						9.1 v	15 옴
S310	0.0400	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-s310tr	귀 99	3,000
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M2	0.0140	RFQ	500	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	DO-214AC, SMA		기준		DO-214AC (SMAE)	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-m2tr	귀 99	5,000		짐		100 v		1.1 v @ 1 a		10 µa @ 100 v	-55 ° C ~ 150 ° C	1A	15pf @ 4V, 1MHz
MBR20300FCT	0.7200	RFQ	400	양지 양지	-	튜브	활동적인			구멍을 구멍을	to-220-3 3 팩 팩, 격리 된 탭		Schottky		ITO-220AB	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MBR20300FCT	귀 99	1,000		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	300 v	20A	975 MV @ 10 a		50 µa @ 300 v	-55 ° C ~ 150 ° C
MF150K06F2N	28.0963	RFQ	800	양지 양지	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		f2n	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MF150K06F2N	귀 99	8		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)	1 음극 음극 공통	600 v	150a	1.6 V @ 150 a	130 ns	1 ma @ 600 v	-40 ° C ~ 150 ° C
SS34	0.0650	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-SS34TR	귀 99	3,000
D8JB60	0.3150	RFQ	90	양지 양지	-	튜브	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-D8JB60	귀 99	900
SKBPC2506	2.0820	RFQ	5	양지 양지	-	대부분	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-SKBPC2506	귀 99	50
MF400U12F2	46.1600	RFQ	800	양지 양지	-	대부분	활동적인			섀시 섀시	기준 기준		기준		F2	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-MF400U12F2	귀 99	8		빠른 빠른 = <500ns,> 200ma (io)		1200 v		2.1 v @ 400 a	180 ns	1 ma @ 1200 v	-40 ° C ~ 150 ° C	400A	-
Bat54awt	0.0200	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인			표면 표면	SC-70, SOT-323	Bat54	Schottky		SOT-323	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BAT54AWTTR	귀 99	3,000		작은 작은 = <200ma (io), 모든 속도	1 양극 양극 공통	30 v	200MA (DC)	1 v @ 100 ma	5 ns	2 µa @ 25 v	-55 ° C ~ 125 ° C
ES2DQ	0.1340	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-es2dqtr	귀 99	3,000
SS315BQ	0.1300	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-SS315BQTR	귀 99	3,000
M3F	0.0160	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-m3ftr	귀 99	3,000
BZX584B15VQ	0.0290	RFQ	800	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인									rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZX584B15VQTR	귀 99	8,000
BZT52C7V5	0.0180	RFQ	300	양지 양지	-	테이프 & tr (TR)	활동적인	± 6%	-65 ° C ~ 150 ° C (TJ)	표면 표면	SOD-123			500MW	SOD-123	rohs 준수	영향을받지 영향을받지	4617-BZT52C7V5TR	귀 99	3,000						900 mV @ 10 ma		1 µa @ 5 v						7.5 v	15 옴

2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m²
재고 창고

다이오드 (3135)

2000+

30,000,000

2800+

15,000m2

15,000m²