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JANHCA1N5309 Microchip Technology JANHCA1N5309 -
RFQ
ECAD 5395 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5309 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.3ma 2.25V
JANTX1N5311-1/TR Microchip Technology jantx1n5311-1/tr 34.1550
RFQ
ECAD 2529 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5311 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantx1n5311-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 3.96MA 2.5V
1N5284 Microchip Technology 1N5284 18.4950
RFQ
ECAD 9578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5284 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5284 귀 99 8541.10.0070 1 100V 264µA 1V
JANTXV1N5290-1/TR Microchip Technology jantxv1n5290-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 6931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5290-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
CDS5283UR-1/TR Microchip Technology CDS5283UR-1/TR -
RFQ
ECAD 9656 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5283UR-1/TR 50
JANHCA1N5292 Microchip Technology JANHCA1N5292 -
RFQ
ECAD 5515 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANHCA1N5292 귀 99 8541.10.0070 1 100V 682µA 1.13V
JANS1N5291UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5291UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 1121 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5291ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 616µA 1.1V
CDLL5314E3 Microchip Technology CDLL5314E3 25.2900
RFQ
ECAD 3589 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5314E3 귀 99 8541.10.0050 1 100V 5.17ma 2.9V
JANTXV1N5304-1/TR Microchip Technology jantxv1n5304-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 2669 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5304 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5304-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
1N5296-1 Microchip Technology 1N5296-1 18.6000
RFQ
ECAD 5273 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5296 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.001ma 1.29V
JAN1N5299-1/TR Microchip Technology Jan1n5299-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 2073 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5299 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5299-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.32MA 1.45V
CDLL5305E3/TR Microchip Technology CDLL5305E3/TR 25.4850
RFQ
ECAD 5880 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) CDLL53 500MW do-213ab (Melf, LL41) - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CDLL5305E3/TR 귀 99 8541.10.0050 1 100V 2.2MA 1.85V
1N5293/TR Microchip Technology 1N5293/tr 18.7950
RFQ
ECAD 8594 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 175 ° C - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5293 475MW DO-7 - 영향을받지 영향을받지 150-1n5293/tr 100 100V 748µA 1.15V
JAN1N5287-1/TR Microchip Technology Jan1n5287-1/tr 31.6650
RFQ
ECAD 9795 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5287 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5287-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
JANS1N5293-1/TR Microchip Technology JANS1N5293-1/tr 100.0200
RFQ
ECAD 1151 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jans1n5293-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 748µA 1.15V
JANS1N5286-1 Microchip Technology JANS1N5286-1 99.8700
RFQ
ECAD 8761 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5286 500MW DO-7 - rohs 비준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 330µA 1V
JAN1N5283-1 Microchip Technology Jan1n5283-1 31.5150
RFQ
ECAD 4719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
1N5290/TR Microchip Technology 1N5290/tr 18.7950
RFQ
ECAD 4010 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5290 500MW DO-7 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5290/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANS1N5290UR-1/TR Microchip Technology JANS1N5290UR-1/TR 130.3050
RFQ
ECAD 8143 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JANS1N5290UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 517µA 1.05V
JANTXV1N5289UR-1 Microchip Technology jantxv1n5289ur-1 -
RFQ
ECAD 4229 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 sic에서 중단되었습니다 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5289 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 473µA 1.05V
JANTXV1N5283-1/TR Microchip Technology jantxv1n5283-1/tr 36.5700
RFQ
ECAD 3704 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5283 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5283-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 242µA 1V
JANTXV1N5314-1/TR Microchip Technology jantxv1n5314-1/tr 60.9300
RFQ
ECAD 5903 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 1N5314 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jantxv1n5314-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 5.17ma 2.9V
1N5313-1/TR Microchip Technology 1N5313-1/tr 21.8400
RFQ
ECAD 7302 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 Do-204Ah, do-35, 축 방향 1N5313 500MW DO-35 (DO-204AH) - 영향을받지 영향을받지 150-1n5313-1/tr 100 100V 4.73MA 2.75V
JANKCA1N5304 Microchip Technology Jankca1n5304 -
RFQ
ECAD 7860 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 구멍을 구멍을 DO-204AA, DO-7, 축 방향 500MW DO-7 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-jankca1n5304 귀 99 8541.10.0070 1 100V 1.98ma 1.75V
CDS5298UR-1 Microchip Technology CDS5298UR-1 -
RFQ
ECAD 1884 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 대부분 활동적인 CDS52 - 영향을받지 영향을받지 150-CDS5298UR-1 50
JAN1N5294UR-1/TR Microchip Technology Jan1n5294ur-1/tr 36.8400
RFQ
ECAD 7794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5294 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-JAN1N5294UR-1/TR 귀 99 8541.10.0070 1 100V 825µA 1.2V
JAN1N5287UR-1 Microchip Technology Jan1n5287ur-1 36.4350
RFQ
ECAD 8768 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 군사, MIL-PRF-19500/463 대부분 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5287 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 rohs 비준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.10.0070 1 100V 363µA 1V
1N5295UR-1/TR Microchip Technology 1N5295UR-1/TR 22.0050
RFQ
ECAD 3345 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) - 표면 표면 do-213ab, melf (유리) 1N5295 500MW do-213ab (Melf, LL41) 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-1n5295ur-1/tr 귀 99 8541.10.0070 1 100V 902µA 1.25V
CD5294 Microchip Technology CD5294 19.2450
RFQ
ECAD 7369 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5294 귀 99 8541.10.0040 1 100V 825µA 1.2V
CD5296 Microchip Technology CD5296 19.2450
RFQ
ECAD 7829 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -65 ° C ~ 175 ° C - 표면 표면 CD529 - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-CD5296 귀 99 8541.10.0040 1 100V 1.001ma 1.29V
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고