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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3372AI-1B3-33NU74.175820 SiTime SIT3372AI-1B3-33NU74.175820 10.1900
RFQ
 ECAD 3480 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.17582 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 3145ppm - -
SIT9120AC-1B2-XXE75.000000 SiTime SIT9120AC-1B2-XXE75.000000 5.3500
RFQ
 ECAD 4738 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 25ppm - -
SIT5155AE-FK-33N0-16.384000 SiTime SIT5155AE-FK-33N0-16.384000 60.4700
RFQ
 ECAD 8942 0.00000000 시민 SIT5155, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO 16.384 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 500ppb - -
SIT3372AC-4B9-30NZ148.425787 SiTime SIT3372AC-4B9-30NZ148.425787 10.9200
RFQ
 ECAD 5530 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.425787 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 1560ppm - -
SIT8208AI-G2-25E-25.000000X SiTime SIT8208AI-G2-25E-25.000000X 1.9722
RFQ
 ECAD 5014 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 25MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 25ppm - - 31MA
SIT3373AC-2B2-28NG614.000000 SiTime SIT3373AC-2B2-28NG614.000000 13.0000
RFQ
 ECAD 6969 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 614 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 120ppm -
SIT9120AI-1B1-33E166.666600 SiTime SIT9120AI-1B1-33E166.666600 5.5100
RFQ
 ECAD 8270 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 166.6666 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 20ppm - -
SIT9365AI-4E2-33N168.040678 SiTime SIT9365AI-4E2-33N168.040678 13.2900
RFQ
 ECAD 2551 0.00000000 시민 SIT9365, 6 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) 168.040678 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm - -
SIT8924BA-12-33N-20.000000 SiTime SIT8924BA-12-33N-20.000000 3.3900
RFQ
 ECAD 7784 0.00000000 시민 SIT8924B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8924 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.8ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT1602BI-12-33E-33.333000 SiTime SIT1602BI-12-33E-33.333000 1.4100
RFQ
 ECAD 8951 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.333 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AC-1B3-25NH216.000000 SiTime SIT3372AC-1B3-25NH216.000000 9.9000
RFQ
 ECAD 2556 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 216 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 145ppm - -
SIT3372AI-1B9-28NX160.000000 SiTime SIT3372AI-1B9-28NX160.000000 11.2100
RFQ
 ECAD 3668 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 160MHz lvpecl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT1602AI-32-33E-54.000000 SiTime SIT1602AI-32-33E-54.000000 1.5000
RFQ
 ECAD 6141 0.00000000 시민 SIT1602 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 54 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT8008BI-12-33S-100.000000 SiTime SIT8008BI-12-33S-100.000000 1.4100
RFQ
 ECAD 3989 0.00000000 시민 SIT8008B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - - 4.3µA
SIT8208AC-31-28E-16.369000 SiTime SIT8208AC-31-28E-16.369000 3.2400
RFQ
 ECAD 8851 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.369 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 20ppm - -
SIT1602BI-72-33S-35.840000 SiTime SIT1602BI-72-33S-35.840000 1.4100
RFQ
 ECAD 7358 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.84 MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT5156AECFK-30E0-38.400000 SiTime SIT5156AECFK-30E0-38.400000 60.4700
RFQ
 ECAD 9550 0.00000000 시민 SIT5156, 5 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.042 "(1.06mm) 표면 표면 10-smd,, 없음 TCXO SIT5156 38.4 MHz 사인파를 사인파를 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 53MA MEMS ± 500ppb - - 51MA
SIT3373AI-2E9-28NU614.000000 SiTime SIT3373AI-2E9-28NU614.000000 11.2200
RFQ
 ECAD 3707 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 614 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 3160ppm -
SIT3373AI-4E3-33NU625.000000 SiTime SIT3373AI-4E3-33NU625.000000 10.2000
RFQ
 ECAD 8954 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 625 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 3145ppm -
SIT8208AI-33-18E-72.000000 SiTime SIT8208AI-33-18E-72.000000 2.5000
RFQ
 ECAD 3219 0.00000000 시민 SIT8208 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 50ppm - -
SIT8209AC-33-33S-133.330000 SiTime SIT8209AC-33-33S-133.330000 2.4400
RFQ
 ECAD 7634 0.00000000 시민 SIT8209 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 133.33 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 36MA MEMS ± 50ppm - -
SIT1602BC-71-30S-14.000000 SiTime SIT1602BC-71-30S-14.000000 1.4800
RFQ
 ECAD 3281 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14 MHz HCMOS, LVCMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3373AI-4E2-28NG540.000000 SiTime SIT3373AI-4E2-28NG540.000000 13.2900
RFQ
 ECAD 8802 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 540MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 25ppm ± 120ppm -
SIT3372AC-2B9-30NG133.650000 SiTime SIT3372AC-2B9-30NG133.650000 10.9200
RFQ
 ECAD 7815 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 133.65 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 110ppm - -
SIT3373AI-4B9-33NB223.000000 SiTime SIT3373AI-4B9-33NB23.000000 11.2100
RFQ
 ECAD 6859 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 223 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 10ppm -
SIT3372AC-2B9-28NX76.800000 SiTime SIT3372AC-2B9-28NX76.800000 10.9200
RFQ
 ECAD 3169 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 76.8 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 360ppm - -
SIT3372AC-2B9-33NG30.720000 SiTime SIT3372AC-2B9-33NG30.720000 10.9200
RFQ
 ECAD 7117 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 30.72 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 110ppm - -
SIT3372AI-4E2-25NH15.360000 SiTime SIT3372AI-4E2-25NH15.360000 13.2900
RFQ
 ECAD 5228 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 15.36 MHz HCSL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm ± 170ppm - -
SIT8924BA-12-33E-20.000000 SiTime SIT8924BA-12-33E-20.000000 4.7200
RFQ
 ECAD 4412 0.00000000 시민 SIT8924B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8924 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.8ma MEMS ± 25ppm - -
SIT8208AC-3F-33E-4.096000T SiTime SIT8208AC-3F-33E-4.096000T 3.7918
RFQ
 ECAD 4920 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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