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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT3372AI-4B9-30NY30.720000 SiTime SIT3372AI-4B9-30NY30.720000 11.2100
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 30.72 MHz HCSL 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 760ppm - -
SIT3372AC-4E2-28NC80.000000 SiTime SIT3372AC-4E2-28NC80.000000 13.0100
RFQ
 ECAD 1880 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 80MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 25ppm - - -
SIT9003AC-14-18DO-45.00000T SiTime SIT9003AC-14-18DO-45.00000T 1.1340
RFQ
 ECAD 7316 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 45MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 3.5MA MEMS ± 100ppm - -0.50%, 50 스프레드 0.8µA
SIT8208AI-8F-33S-35.840000T SiTime SIT8208AI-8F-33S-35.840000T 4.1097
RFQ
 ECAD 3409 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 35.84 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT9003AC-23-33EB-17.06070Y SiTime SIT9003AC-23-33EB-17.06070Y 1.8676
RFQ
 ECAD 9809 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 17.0607 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT8208AC-3F-33S-30.000000T SiTime SIT8208AC-3F-33S-30.000000T 3.7918
RFQ
 ECAD 6767 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AC-3F-33S-25.000625T SiTime SIT8208AC-3F-33S-25.000625T 3.7918
RFQ
 ECAD 1807 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.000625 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-18S-19.440000T SiTime SIT8208AI-2F-18S-199.440000T 3.8969
RFQ
 ECAD 5433 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 19.44 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
SIT3372AI-2B3-30NG133.516483 SiTime SIT3372AI-2B3-30NG133.516483 8.6300
RFQ
 ECAD 5798 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 133.516483 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 95ppm - -
SIT8209AI-G1-33S-90.316800X SiTime SIT8209AI-G1-33S-90.316800X 2.0200
RFQ
 ECAD 150 0.00000000 시민 * 대부분 활동적인 다운로드 귀 99 8542.39.0001 150
SIT3373AI-1E9-30NY240.000000 SiTime SIT3373AI-1E9-30NY240.000000 9.2900
RFQ
 ECAD 4335 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 240 MHz lvpecl 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 35ppm ± 760ppm -
SIT3372AC-4B9-33NE155.520000 SiTime SIT3372AC-4B9-33NE155.520000 10.9200
RFQ
 ECAD 4496 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 155.52 MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 35ppm ± 60ppm - -
SIT9120AI-1C1-XXE50.000000 SiTime SIT9120AI-1C1-XXE50.000000 5.5200
RFQ
 ECAD 2546 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AI-4B3-28NE148.425787 SiTime SIT3372AI-4B3-28NE148.425787 10.1900
RFQ
 ECAD 3904 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.425787 MHz HCSL 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 97ma MEMS ± 50ppm ± 45ppm - -
SIT8208AC-8F-28S-33.600000T SiTime SIT8208AC-8F-28S-33.600000T 3.7918
RFQ
 ECAD 9325 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.6 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT5001AC-2E-25S0-32.000000T SiTime SIT5001AC-2E-25S0-32.000000T 3.9142
RFQ
 ECAD 3508 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 32 MHz LVCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 5ppm - - 70µA
SIT9120AC-2D1-XXS75.000000 SiTime SIT9120AC-2D1-XXS75.000000 5.7200
RFQ
 ECAD 8930 0.00000000 시민 SIT9120 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 55MA MEMS ± 20ppm - -
SIT3372AI-2B9-30NU148.350000 SiTime SIT3372AI-2B9-30NU148.350000 11.2100
RFQ
 ECAD 9168 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.35 MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 3160ppm - -
SIT3372AI-1E2-33NU122.880000 SiTime SIT3372AI-1E2-33NU122.880000 13.2900
RFQ
 ECAD 5024 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 122.88 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 25ppm ± 3170ppm - -
SIT3372AI-2E9-30NB50.000000 SiTime SIT3372AI-2E9-30NB50.000000 11.2200
RFQ
 ECAD 5195 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 50MHz LVD 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 35ppm ± 10ppm - -
SIT8208AI-3F-25E-74.176000X SiTime SIT8208AI-3F-25E-74.176000X 4.8668
RFQ
 ECAD 8040 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.176 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT3373AC-2E3-28NH345.600000 SiTime SIT3373AC-2E3-28NH345.600000 9.9000
RFQ
 ECAD 6188 0.00000000 시민 SIT3373, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 345.6 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - MEMS ± 50ppm ± 145ppm -
SIT3372AC-1B3-25NX148.350000 SiTime SIT3372AC-1B3-25NX148.350000 9.9000
RFQ
 ECAD 5564 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 148.35 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 92MA MEMS ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT1602BI-72-XXE-66.666600 SiTime SIT1602BI-72-XXE-66.666600 1.4100
RFQ
 ECAD 7156 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6666 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT9375AE-04P1-3310-50.000000E SiTime SIT9375AE-04P1-3310-50.000000E 8.5465
RFQ
 ECAD 4218 0.00000000 시민 SIT9375 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9375 50MHz HCSL 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 1473-SIT9375AE-04P1-3310-50.000000etr 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 38ma MEMS ± 20ppm - - -
SIT1602BC-12-XXS-26.000000 SiTime SIT1602BC-12-XXS-26.000000 1.3800
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 26 MHz HCMOS, LVCMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT1602BC-72-33N-66.000000 SiTime SIT1602BC-72-33N-66.000000 1.3800
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz HCMOS, LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 - 4.5MA MEMS ± 25ppm - -
SIT3372AI-2E3-28NX77.760000 SiTime SIT3372AI-2E3-28NX77.760000 10.2000
RFQ
 ECAD 5391 0.00000000 시민 Sit3372, 7 플랫폼 ™ 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 VCXO 77.76 MHz LVD 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 - 84ma MEMS ± 50ppm ± 345ppm - -
SIT9001AIL13-33S4-6.780000Y SiTime Sit9001ail13-33S4-6.780000y -
RFQ
 ECAD 4196 0.00000000 시민 SIT9001 조각 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) xo (표준) SIT9001 6.78 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 쓸모없는 1 대기 (다운 전원) MEMS ± 50ppm - -2.00%,, 스프레드
SIT1602BI-33-28S-48.000000 SiTime SIT1602BI-33-28S-48.000000 1.1800
RFQ
 ECAD 6061 0.00000000 시민 SIT1602B 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz HCMOS, LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1 대기 (다운 전원) 4.5MA MEMS ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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