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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT8208AI-8F-25S-16.000000T SiTime SIT8208AI-8F-25S-16.000000T 4.1097
RFQ
 ECAD 8924 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25E-38.400000X SiTime SIT8208AI-2F-25E-38.400000X 4.6880
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38.4 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-4.096000T SiTime SIT8208AI-2F-25E-4.096000T 3.8969
RFQ
 ECAD 3612 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-50.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-25E-50.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-62.500000Y SiTime SIT8208AI-2F-25E-62.500000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 3840 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-66.660000Y SiTime SIT8208AI-2F-25E-66.660000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-74.176000T SiTime SIT8208AI-2F-25E-74.176000T 3.8969
RFQ
 ECAD 1546 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.176 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-75.000000X SiTime SIT8208AI-2F-25E-75.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 2637 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25E-77.760000T SiTime SIT8208AI-2F-25E-77.760000T 3.8969
RFQ
 ECAD 7132 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-25S-12.288000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-1288000T 3.8969
RFQ
 ECAD 3940 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-14.000000X SiTime SIT8208AI-2F-25S-14.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 6848 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-16.000000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-16.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 3725 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-30.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-25S-30.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 7491 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-33.300000Y SiTime SIT8208AI-2F-25S-33.300000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 4980 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-6.000000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-6.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 7269 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-60.000000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-60.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 5114 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 60MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-66.666660Y SiTime SIT8208AI-2F-25S-66.666660Y 3.8969
RFQ
 ECAD 5829 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.66666 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-7.372800T SiTime SIT8208AI-2F-25S-7.372800T 3.8969
RFQ
 ECAD 3848 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 7.3728 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-72.000000X SiTime SIT8208AI-2F-25S-72.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 7160 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-74.250000X SiTime SIT8208AI-2F-25S-74.250000X 4.6880
RFQ
 ECAD 1679 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.25 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-77.760000T SiTime SIT8208AI-2F-25S-77.760000T 3.8969
RFQ
 ECAD 1456 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-77.760000X SiTime SIT8208AI-2F-25S-77.760000X 4.6880
RFQ
 ECAD 3801 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-25S-8.192000Y SiTime SIT8208AI-2F-25S-8.192000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 3226 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 8.192 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-2F-28E-12.288000Y SiTime SIT8208AI-2F-28E-1288000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.288 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-28E-18.432000Y SiTime SIT8208AI-2F-28E-18.432000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 4962 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-28E-24.576000T SiTime SIT8208AI-2F-28E-24.576000T 3.8969
RFQ
 ECAD 1350 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24.576 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-28E-30.000000T SiTime SIT8208AI-2F-28E-30.000000T 3.8969
RFQ
 ECAD 6420 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-2F-28E-31.250000Y SiTime SIT8208AI-2F-28E-31.250000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 6005 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 31.25 MHz lvcmos, lvttl 2.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
SIT8208AI-3F-33S-48.000000X SiTime SIT8208AI-3F-33S-48.000000X 4.8668
RFQ
 ECAD 5857 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AI-3F-33S-65.000000Y SiTime SIT8208AI-3F-33S-65.000000Y 4.1097
RFQ
 ECAD 2836 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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