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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT5000AI-GE-28VQ-38.400000Y SiTime SIT5000AI-GE-28VQ-38.400000Y 2.1533
RFQ
 ECAD 8769 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5000 38.4 MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5000AI-GE-33N0-12.000000Y SiTime SIT5000AI-GE-33N0-12.000000Y 2.1533
RFQ
 ECAD 1908 0.00000000 시민 SIT5000 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5000 12MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33E0-27.648000Y SiTime SIT5001AC-2E-33E0-27.648000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 8201 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 27.648 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-2E-33E0-65.016000Y SiTime SIT5001AC-2E-33E0-65.016000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 2046 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 65.016 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT5001AC-2E-33VB-4.096000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VB-4.096000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 2957 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 4.096 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VQ-32.000000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-32.000000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 32 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000Y SiTime SIT5001AC-2E-33VQ-80.000000Y 3.9142
RFQ
 ECAD 6961 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 80MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-10.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33N0-10.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 5611 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 10MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33N0-25.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33N0-25.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 4037 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 25MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33VQ-30.720000Y SiTime SIT5001AC-3E-33VQ-30.720000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 6314 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 30.72 MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AC-3E-33VQ-40.000000Y SiTime SIT5001AC-3E-33VQ-40.000000Y 4.1270
RFQ
 ECAD 2099 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo SIT5001 40MHz LVCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 33MA MEMS ± 5ppm - - -
SIT5001AI-2E-28E0-40.000000Y SiTime SIT5001AI-2E-28E0-40.000000Y 4.4967
RFQ
 ECAD 4584 0.00000000 시민 SIT5001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO SIT5001 40MHz LVCMOS 2.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 5ppm - - 31MA
SIT9003ACU23-33SD-12.00000Y SiTime SIT9003ACU23-33SD-122.00000Y 1.1948
RFQ
 ECAD 6206 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 12MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-13-18DO-25.00000Y SiTime SIT9003AI-13-18DO-25.00000Y 2.1840
RFQ
 ECAD 3153 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3.5MA MEMS ± 50ppm - -0.50%, 50 스프레드 0.8µA
SIT9003AI-13-33DB-25.00000Y SiTime SIT9003AI-13-33DB-25.00000Y -
RFQ
 ECAD 7455 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 1473-SIT9003AI-13-33DB-25.00000YTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 4.1ma MEMS ± 50ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 4.3µA
SIT9003AI-13-33EB-1.00000Y SiTime SIT9003AI-13-33EB-1.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 5303 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 1MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-13-33EB-60.00000Y SiTime SIT9003AI-13-33EB-60.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 1966 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 60MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-13-33SB-6.78000Y SiTime SIT9003AI-13-33SB-6.78000Y 2.1840
RFQ
 ECAD 1412 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 6.78 MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-23-18SO-26.00000Y SiTime SIT9003AI-23-18SO-26.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 6407 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 26 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3.5MA MEMS ± 50ppm - - 0.8µA
SIT9003AI-23-33EO-25.00000Y SiTime SIT9003AI-23-33EO-25.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 2902 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 25MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 50ppm - - 4.3µA
SIT9003AI-24-25DB-13.00000Y SiTime SIT9003AI-24-25DB-13.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 1890 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 13MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 4.1ma MEMS ± 100ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 2.2µA
SIT9003AI-24-33EO-20.00000Y SiTime SIT9003AI-24-33EO-20.00000Y 1.4455
RFQ
 ECAD 3855 0.00000000 시민 SIT9003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT9003 20MHz lvcmos, lvttl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 4.1ma MEMS ± 100ppm - - 4.3µA
SIT9121AI-1C3-25E96.000000Y SiTime SIT9121AI-1C3-25E96.000000Y 2.7068
RFQ
 ECAD 4262 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 96 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT9121AI-1C3-33E106.250000Y SiTime SIT9121AI-1C3-33E106.250000Y 2.7068
RFQ
 ECAD 2108 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT9121AI-1C3-33E129.333333Y SiTime SIT9121AI-1C3-33E129.333333Y 2.7068
RFQ
 ECAD 2096 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 129.333333 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT9121AI-1C3-33E156.250000Y SiTime SIT9121AI-1C3-33E156.250000Y 2.7068
RFQ
 ECAD 8104 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
SIT9121AI-1D1-33E156.261718Y SiTime SIT9121AI-1D1-33E156.261718Y 2.9768
RFQ
 ECAD 9593 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.261718 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 20ppm - - 35MA
SIT9121AI-1D1-33E156.285157Y SiTime SIT9121AI-1D1-33E156.285157Y 2.9768
RFQ
 ECAD 4462 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.285157 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 20ppm - - 35MA
SIT9121AI-1D2-33E125.003125Y SiTime SIT9121AI-1D2-33E125.003125Y 2.9768
RFQ
 ECAD 6461 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 125.003125 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 25ppm - - 35MA
SIT9121AI-1D3-33E160.000000Y SiTime SIT9121AI-1D3-33E160.000000Y 2.7068
RFQ
 ECAD 7663 0.00000000 시민 SIT9121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 160MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 69ma MEMS ± 50ppm - - 35MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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