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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT8208AC-G2-18E-33.333000Y SiTime SIT8208AC-G2-18E-33.333000Y 1.5196
RFQ
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RFQ
 ECAD 4717 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 33.3333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 2753 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 40MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 5359 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 62.5 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
SIT8208AC-G2-18E-7.372800T SiTime SIT8208AC-G2-18E-7.372800T 1.4148
RFQ
 ECAD 4019 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 7.3728 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 3945 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 74.176 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 3037 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 74.176 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 25ppm - - 30ma
SIT8208AC-G2-18S-12.288000T SiTime SIT8208AC-G2-18S-1288000T 1.4148
RFQ
 ECAD 7926 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 12.288 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - - 10µA
SIT8208AC-G2-18S-16.369000T SiTime SIT8208AC-G2-18S-16.369000T 1.4148
RFQ
 ECAD 8872 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 16.369 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - - 10µA
SIT8208AC-G2-18S-30.000000T SiTime SIT8208AC-G2-18S-30.000000T 1.4148
RFQ
 ECAD 7612 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.106 "L x 0.094"W (2.70mm x 2.40mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) SIT8208 30MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 25ppm - - 10µA
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RFQ
 ECAD 6543 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-25.000625X SiTime SIT8208AI-2F-18E-25.000625X 4.6880
RFQ
 ECAD 2829 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25.000625 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-30.000000X SiTime SIT8208AI-2F-18E-30.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 1282 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 30MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-32.768000T SiTime SIT8208AI-2F-18E-32.768000T 3.8969
RFQ
 ECAD 7119 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32.768 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-33.333330T SiTime SIT8208AI-2F-18E-33.333330T 3.8969
RFQ
 ECAD 5196 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 6805 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 9403 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-38.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-18E-38.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 3378 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 38MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-40.500000X SiTime SIT8208AI-2F-18E-40.500000X 4.6880
RFQ
 ECAD 9010 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40.5MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 6255 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18E-72.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-18E-72.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 4854 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AI-2F-18S-10.000000X SiTime SIT8208AI-2F-18S-10.000000X 4.6880
RFQ
 ECAD 7899 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
SIT8208AI-2F-18S-10.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-18S-10.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 5489 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 10MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
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RFQ
 ECAD 7309 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
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RFQ
 ECAD 4357 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.367667 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
SIT8208AI-2F-18S-16.369000T SiTime SIT8208AI-2F-18S-16.369000T 3.8969
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 ECAD 1880 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.369 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
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RFQ
 ECAD 6744 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18.432 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
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RFQ
 ECAD 8234 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
SIT8208AI-2F-18S-24.000000Y SiTime SIT8208AI-2F-18S-24.000000Y 3.8969
RFQ
 ECAD 8876 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 24 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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