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결정, 공진기, 발진기 (193603)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
SIT8208AC-3F-25E-48.000000T SiTime SIT8208AC-3F-25E-48.000000T 3.7918
RFQ
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SIT8208AC-3F-25E-48.000000X SiTime SIT8208AC-3F-25E-48.000000X 4.5616
RFQ
 ECAD 9450 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 48MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
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RFQ
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RFQ
 ECAD 2514 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 62.5 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
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RFQ
 ECAD 8856 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
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RFQ
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RFQ
 ECAD 1344 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 75MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 33MA MEMS ± 10ppm - - 31MA
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RFQ
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RFQ
 ECAD 1298 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 14 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
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RFQ
 ECAD 2494 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
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RFQ
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RFQ
 ECAD 7764 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16.367667 MHz lvcmos, lvttl 2.5V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 33MA MEMS ± 10ppm - - 70µA
SIT8208AC-3F-18E-3.570000T SiTime SIT8208AC-3F-18E-3.570000T 3.7918
RFQ
 ECAD 8019 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 3.57 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-33.333330X SiTime SIT8208AC-3F-18E-33.333330X 4.5616
RFQ
 ECAD 4944 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 33.33333 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-4.000000X SiTime SIT8208AC-3F-18E-4.000000X 4.5616
RFQ
 ECAD 2301 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 5138 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 4165 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 4.096 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-40.000000X SiTime SIT8208AC-3F-18E-40.000000X 4.5616
RFQ
 ECAD 2388 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-40.500000X SiTime SIT8208AC-3F-18E-40.500000X 4.5616
RFQ
 ECAD 5746 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 40.5MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 6829 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 6MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 5789 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-65.000000Y SiTime SIT8208AC-3F-18E-65.000000Y 3.7918
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 65MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 4179 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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RFQ
 ECAD 9185 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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 ECAD 5311 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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 ECAD 2047 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.6666 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
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 ECAD 9918 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 72 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-74.175824X SiTime SIT8208AC-3F-18E-74.175824X 4.5616
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 ECAD 9288 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.175824 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18E-74.250000Y SiTime SIT8208AC-3F-18E-74.250000Y 3.7918
RFQ
 ECAD 7912 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 74.25 MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 31MA MEMS ± 10ppm - - 30ma
SIT8208AC-3F-18S-12.000000X SiTime SIT8208AC-3F-18S-122.000000X 4.5616
RFQ
 ECAD 1622 0.00000000 시민 SIT8208 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12MHz lvcmos, lvttl 1.8V 다운로드 ROHS3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250 대기 (다운 전원) 31MA MEMS ± 10ppm - - 10µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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