SIC
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결정, 공진기, 발진기 (66857)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수
637P74A3I3T CTS-Frequency Controls 637p74a3i3t 2.7843
RFQ
 ECAD 6532 0.00000000 cts- 제어 주파수 637 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 74.1758 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 50ppm - -
517L19225CTR CTS-Frequency Controls 517L19225ctr 1.9416
RFQ
 ECAD 4435 0.00000000 cts- 제어 주파수 517 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 517 19.2 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-517L19225ctr 귀 99 8541.60.0080 3,000 대기 (다운 전원) 10MA 결정 ± 2.5ppm - - 10µA
CA25P16003GLR CTS-Frequency Controls CA25P16003GLR 4.0526
RFQ
 ECAD 5702 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA25P 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) CA25 160MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 110-CA25P16003GLRTR 귀 99 8541.60.0080 3,000 대기 (다운 전원) 80ma 결정 ± 50ppm - - 15µA
416F48012CLR CTS-Frequency Controls 416F48012CLR 0.3808
RFQ
 ECAD 8398 0.00000000 cts- 제어 주파수 416 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 48MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 12pf ± 20ppm ± 10ppm
CA50C3743GNT CTS-Frequency Controls CA50C3743GNT 1.4027
RFQ
 ECAD 7989 0.00000000 cts- 제어 주파수 CA50 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q200 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 37.4 MHz HCMOS, TTL 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 30ma 결정 ± 50ppm - - 10µA
435F18415GAT CTS-Frequency Controls 435F18415GAT 0.4757
RFQ
 ECAD 7431 0.00000000 cts- 제어 주파수 435 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 옴 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 435F 18.432 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 110-435F18415GATTR 귀 99 8541.60.0050 1,000 10pf ± 50ppm ± 10ppm
416F32033AAT CTS-Frequency Controls 416F32033AAT -
RFQ
 ECAD 6841 0.00000000 cts- 제어 주파수 416 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 80 옴 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 32 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000 10pf ± 30ppm ± 30ppm
358L873B3C2T CTS-Frequency Controls 358L873B3C2T 2.7700
RFQ
 ECAD 1489 0.00000000 cts- 제어 주파수 358p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 87.351542 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm ± 50ppm - 22MA
358L433B3C3T CTS-Frequency Controls 358L433B3C3T 2.7700
RFQ
 ECAD 3896 0.00000000 cts- 제어 주파수 358p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 43.35 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm ± 50ppm - 22MA
656P14856C2T CTS-Frequency Controls 656P14856C2T 2.9793
RFQ
 ECAD 8707 0.00000000 cts- 제어 주파수 656p 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 148.5 MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 54MA (유형) 결정 ± 20ppm - 20µA
656P2005I2T CTS-Frequency Controls 656P2005I2T 2.9793
RFQ
 ECAD 9356 0.00000000 cts- 제어 주파수 656p 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 20MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 54MA (유형) 결정 ± 25ppm - 20µA
358L873B3I2T CTS-Frequency Controls 358L873B3I2T 2.7700
RFQ
 ECAD 8673 0.00000000 cts- 제어 주파수 358p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 87.351542 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm ± 50ppm - 22MA
353VB6A742R CTS-Frequency Controls 353VB6A742R -
RFQ
 ECAD 7871 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 74.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm - -
353VB6A14CT CTS-Frequency Controls 353VB6A14CT 1.9331
RFQ
 ECAD 1370 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 14.318 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm - -
353VB6A27BT CTS-Frequency Controls 353VB6A27BT 1.9331
RFQ
 ECAD 9491 0.00000000 cts- 제어 주파수 353 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 60 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 27.095 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm - -
656P18436C3T CTS-Frequency Controls 656P18436C3T 2.9793
RFQ
 ECAD 3505 0.00000000 cts- 제어 주파수 656p 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.073 "(1.85mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 184.32 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 54MA (유형) 결정 ± 20ppm - 20µA
358L500B5C3T CTS-Frequency Controls 358L500B5C3T 2.7925
RFQ
 ECAD 5084 0.00000000 cts- 제어 주파수 358p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 50MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 25ppm ± 50ppm - 22MA
416F26013IST CTS-Frequency Controls 416F26013ist -
RFQ
 ECAD 2586 0.00000000 cts- 제어 주파수 416 테이프 & tr (TR) sic에서 중단되었습니다 120 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 26 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000 시리즈 ± 30ppm ± 10ppm
445W23B14M31818 CTS-Frequency Controls 445W23B14M31818 0.3924
RFQ
 ECAD 9183 0.00000000 cts- 제어 주파수 445 테이프 & tr (TR) 활동적인 50 옴 0 ° C ~ 50 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.053 "(1.35mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 14.31818 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000 13pf ± 30ppm ± 20ppm
416F384X2ISR CTS-Frequency Controls 416F384X2ISR 0.3910
RFQ
 ECAD 1374 0.00000000 cts- 제어 주파수 416 테이프 & tr (TR) 활동적인 60 옴 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 38.4 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 시리즈 ± 20ppm ± 15ppm
581L307X2ITT CTS-Frequency Controls 581L307X2ITT -
RFQ
 ECAD 7077 0.00000000 cts- 제어 주파수 581 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.065 "(1.65mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 30.72 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받습니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 6MA 결정 ± 280ppb - -
637L15366C3T CTS-Frequency Controls 637L15366C3T 3.3757
RFQ
 ECAD 6491 0.00000000 cts- 제어 주파수 637 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.067 "(1.70mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 153.6 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 66MA 결정 ± 20ppm - -
632N3I032M00000 CTS-Frequency Controls 632N3I032M00000 0.9912
RFQ
 ECAD 6396 0.00000000 cts- 제어 주파수 632 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 32 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 10MA 결정 ± 50ppm - 15µA
445I35S24M00000 CTS-Frequency Controls 445I35S24M00000 0.4363
RFQ
 ECAD 2320 0.00000000 cts- 제어 주파수 445 테이프 & tr (TR) 활동적인 40 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.053 "(1.35mm) 표면 표면 2-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 24 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 1,000 시리즈 ± 50ppm ± 30ppm
520L15CA19M2000 CTS-Frequency Controls 520L15CA19M2000 -
RFQ
 ECAD 9276 0.00000000 cts- 제어 주파수 520 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 vctcxo 19.2 MHz 사인파를 사인파를 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 3,000 - 2MA 결정 ± 1.5ppm - -
634E2503I2T CTS-Frequency Controls 634E2503I2T 3.7102
RFQ
 ECAD 5185 0.00000000 cts- 제어 주파수 634p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz lvpecl 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 88ma 결정 ± 50ppm - - 22MA
654V7773I3T CTS-Frequency Controls 654V7773I3T 2.7297
RFQ
 ECAD 3653 0.00000000 cts- 제어 주파수 654p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 77.76 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 50ppm - - 22MA
654V7424I2T CTS-Frequency Controls 654V7424I2T 2.8252
RFQ
 ECAD 6071 0.00000000 cts- 제어 주파수 654p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 74.25 MHz LVD 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 30ppm - - 22MA
416F260XXCTR CTS-Frequency Controls 416F260XXCTR 0.3808
RFQ
 ECAD 2331 0.00000000 cts- 제어 주파수 416 테이프 & tr (TR) 활동적인 120 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.018 "(0.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 26 MHz 근본적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0060 3,000 6pf ± 15ppm ± 15ppm
654V7684I3T CTS-Frequency Controls 654V7684I3T 2.8252
RFQ
 ECAD 7348 0.00000000 cts- 제어 주파수 654p/l 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.051 "(1.30mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 76.8 MHz LVD 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 65MA 결정 ± 30ppm - - 22MA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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