SIC
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결정, 공진기, 발진기 (29)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐
XLH335030.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH335030.000000I 0.7424
RFQ
 ECAD 8727 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 30MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
FXO-PC735RFC-106.25 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-PC735RFC-106.25 -
RFQ
 ECAD 6531 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-PC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 106.25 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - -
XLH736050.000JU4I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH736050.000JU4I 1.3900
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc xlh 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 50MHz LVCMOS 3.3v - rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-XLH736050.000JU4IT 귀 99 8542.31.0000 360 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - - -
FXO-LC735RGB-156.25 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-LC735RGB-156.25 -
RFQ
 ECAD 1624 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-LC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - -
XLH736027.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH736027.000000I 0.8194
RFQ
 ECAD 2565 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 27 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
XLH526026.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH526026.000000I 1.2500
RFQ
 ECAD 134 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC52 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 26 MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH726025.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH726025.000000I 0.8194
RFQ
 ECAD 9818 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC72 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH726 25MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536002.176000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH536002.176000I 1.4400
RFQ
 ECAD 493 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 2.176 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLH735024.000000X IDT, Integrated Device Technology Inc XLH735024.000000X -
RFQ
 ECAD 6645 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 24 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH335010.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH335010.000000I 0.7424
RFQ
 ECAD 6947 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 10MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH736037.500000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH736037.500000I 1.1400
RFQ
 ECAD 143 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 37.5 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
FXO-HC735RGB-156.25 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-HC735RGB-156.25 3.1000
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 156.25 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 55MA 결정 ± 50ppm - -
FXO-PC735RGB-312.5 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-PC735RGB-312.5 7.5900
RFQ
 ECAD 125 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-PC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) FXO-PC735 312.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - -
FXO-PC735RFC-159.375 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-PC735RFC-159.375 6.8700
RFQ
 ECAD 1 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-PC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 159.375 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - -
FXO-LC735RFC-212.5 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-LC735RFC-212.5 7.1900
RFQ
 ECAD 146 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-LC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735033.333000X IDT, Integrated Device Technology Inc XLH735033.333000X 0.6818
RFQ
 ECAD 7671 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 33.333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
XLH526050.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH526050.000000I 0.8194
RFQ
 ECAD 9964 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC52 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH526 50MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
FXO-HC735RGB-125 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-HC735RGB-125 -
RFQ
 ECAD 5985 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 125MHz HCMOS 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 47ma 결정 ± 50ppm - -
XLH735020.000000X IDT, Integrated Device Technology Inc XLH735020.000000X 0.6818
RFQ
 ECAD 3089 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH735 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
XLH536020.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH536020.000000I 1.2500
RFQ
 ECAD 5513 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 20MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 25ppm - -
XLH536033.333000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH536033.333000I 1.2500
RFQ
 ECAD 3233 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC53 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.203 "L x 0.132"W (5.15mm x 3.35mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH536 33.333 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
FXO-LC735RGB-312.5 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-LC735RGB-312.5 7.5100
RFQ
 ECAD 272 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-LC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 312.5 MHz LVD 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - -
XLH335001.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH335001.000000I 0.7424
RFQ
 ECAD 8047 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 1MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 32MA 결정 ± 50ppm - -
FXO-PC735RFC-212.5 IDT, Integrated Device Technology Inc FXO-PC735RFC-212.5 -
RFQ
 ECAD 8523 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-PC73 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 212.5 MHz lvpecl 3.3v 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - -
XLH736030.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH736030.000000I 0.8194
RFQ
 ECAD 9884 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC73 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH736 30MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 25ppm - -
XLH726050.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH726050.000000I 0.8194
RFQ
 ECAD 2975 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC72 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.295 "L x 0.205"W (7.50mm x 5.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH726 50MHz HCMOS 2.5V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 25ppm - -
XLH335026.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH335026.000000I 1.2900
RFQ
 ECAD 8 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc Xpresso ™ FXO-HC33 조각 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.130 "L x 0.102"W (3.30mm x 2.60mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) XLH335 26 MHz HCMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 2,000 활성화/비활성화 35MA 결정 ± 50ppm - -
8N4S271LC-1080CDI IDT, Integrated Device Technology Inc 8N4S271LC-1080CDI 24.1500
RFQ
 ECAD 126 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc 8N4S271 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.069 "(1.75mm) 표면 표면 xo (표준) 125MHz LVD 2.5V - rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-8N4S271LC-1080CDI 귀 99 8542.39.0000 11 활성화/비활성화 155ma 결정 ± 20ppm - - -
XLH73V027.000000I IDT, Integrated Device Technology Inc XLH73V027.000000I 10.6700
RFQ
 ECAD 1249 0.00000000 idt, 장치 통합 기술 in inc xlh 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.057 "(1.45mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 27 MHz LVCMOS 3.3v - rohs 비준수 적용 적용 수 할 공급 공급 정의되지 업체는 2832-XLH73V027.000000I 귀 99 8542.39.0000 24 진폭 진폭 35MA 결정 - ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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