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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSA400-3333Q0078KL2TVAO Microchip Technology DSA400-3333Q0078KL2TVAO -
RFQ
 ECAD 8794 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 mems (실리콘) LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA400-333333Q0078KL2TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) 48MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 44 MA 125MHz 125MHz 125MHz 125MHz
VCC1-B3R-15M3600000 Microchip Technology VCC1-B3R-15M3600000 -
RFQ
 ECAD 4398 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101BM2-025.0000 Microchip Technology DSC1101BM2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 5470 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
VTC4-B21C-26M0000000 Microchip Technology VTC4-B21C-26M0000000 -
RFQ
 ECAD 3720 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1122AE1-005.0000 Microchip Technology DSC1122AE1-005.0000 -
RFQ
 ECAD 1706 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1122 5 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS - ± 50ppm - 22MA
DSC1001CI2-033.3333T Microchip Technology DSC1001CI2-033.3333T 1.2300
RFQ
 ECAD 105 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.3333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001CI5-037.4000 Microchip Technology DSC1001CI5-037.4000 -
RFQ
 ECAD 8859 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1001 37.4 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CI5-037.4000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6011JI3B-032K768T Microchip Technology DSC6011JI3B-032K768T -
RFQ
 ECAD 7447 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6011 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI3B-032K768T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001AE1-049.1520T Microchip Technology DSC1001AE1-049.1520T -
RFQ
 ECAD 2431 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 49.152 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 50ppm - - -
VT-822-HAE-2060-25M0000000TR Microchip Technology VT-822-HAE-2060-25M0000000TR -
RFQ
 ECAD 7400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-822 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 25MHz CMOS 2.5V - 영향을받지 영향을받지 150-VT-822-HAE-2060-25M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 2ppm - - -
DSC1001CE1-016.5000T Microchip Technology DSC1001CE1-016.5000T -
RFQ
 ECAD 2360 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 16.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC1-B2D-50M0000000 Microchip Technology VCC1-B2D-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 2947 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001CL1-020.0000T Microchip Technology DSC1001CL1-020.0000T 1.3900
RFQ
 ECAD 2048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 20MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VX-805-ECE-KEAN-128M000000 Microchip Technology VX-805-ECE-KEAN-128M000000 -
RFQ
 ECAD 2378 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
MX553ABD212M500-TR Microchip Technology MX553ABD212M500-TR -
RFQ
 ECAD 7640 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX553ABD212M500-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1223CI3-100M0000 Microchip Technology DSC1223CI3-100M0000 -
RFQ
 ECAD 5889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223CI3-100M0000 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC6011MA3B-006K000 Microchip Technology DSC6011MA3B-006K000 -
RFQ
 ECAD 6483 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 6 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA3B-006K000 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6003JI2B-307K000 Microchip Technology DSC6003JI2B-307K000 -
RFQ
 ECAD 6261 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6003 307 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003JI2B-307K000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSA2311KA1-R0075VAO Microchip Technology DSA2311KA1-R0075VAO -
RFQ
 ECAD 5246 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA2311KA1-R0075VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 50ppm 20MHz 15MHz - -
VV-701-DAT-KNAE-22M5792000 Microchip Technology VV-701-DAT-KNAE-22M5792000 -
RFQ
 ECAD 5136 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA1101DA3-122.8800TVAO Microchip Technology DSA1101DA3-122.8800TVAO -
RFQ
 ECAD 5855 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 122.88 MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA3-122.8800TVAO 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
DSC1101BI1-012.5000 Microchip Technology DSC1101BI1-012.5000 -
RFQ
 ECAD 9075 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1101 12.5MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSC6111CI2A-023.5200T Microchip Technology DSC6111CI2A-023.5200T -
RFQ
 ECAD 6869 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 23.52 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1001BI5-014.7456T Microchip Technology DSC1001BI5-014.7456T -
RFQ
 ECAD 3175 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1124BE1-125.0000 Microchip Technology DSC1124BE1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 4328 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1124 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1124 125MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 42MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSA6331JL2CB-048.0000VAO Microchip Technology DSA6331JL2CB-048.0000VAO -
RFQ
 ECAD 9547 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA63XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 48MHz LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6331JL2CB-048.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.00%, 00 스프레드 -
VT-803-0021-32M0000000 Microchip Technology VT-803-0021-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 7442 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 - Rohs3 준수 150-VT-803-0021-32M0000000TR 쓸모없는 500
VC-801-EAE-EAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-801-EAE-EAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 7364 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA6051JI2B-001.0240VAO Microchip Technology DSA6051JI2B-001.0240VAO -
RFQ
 ECAD 5171 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1.024 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSA6051JI2B-001.0240VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
VXM7-1D4-12M0000000 Microchip Technology VXM7-1D4-12M0000000 -
RFQ
 ECAD 6632 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 3,000
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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