SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
VX-705-EAE-GXXN-125M000000 Microchip Technology VX-705-EAE-GXXN-125M000000 -
RFQ
 ECAD 5544 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 500
DSA6101JA3B-451K667VAO Microchip Technology DSA6101JA3B-451K667VAO -
RFQ
 ECAD 3231 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 451.667 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-451K667VAO 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
M906111CI2B-025.0000 Microchip Technology M906111CI2B-025.0000 -
RFQ
 ECAD 8646 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 M9061XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 150-M906111CI2B-025.0000 110 대기 (다운 전원) 4MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001BI5-028.6363T Microchip Technology DSC1001BI5-028.6363T -
RFQ
 ECAD 9848 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 28.6363 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.1ma MEMS ± 10ppm - - -
DSC1123AI5-185.6250T Microchip Technology DSC1123AI5-185.6250T -
RFQ
 ECAD 7098 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 185.625 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1121AI2-016.0000 Microchip Technology DSC1121AI2-016.0000 -
RFQ
 ECAD 8288 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) DSC1121 16MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1101DL3-PROGT Microchip Technology dsc110111dl3-progt 1.4300
RFQ
 ECAD 2 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) blank (사용자 필수 사용자 사용자) 35MA MEMS - - 2.3 MHz ~ 170 MHz ± 20ppm
DSA2311KA2-R0005VAO Microchip Technology DSA2311KA2-R0005VAO -
RFQ
 ECAD 1803 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA2311 대부분 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-vdfn xo (표준) DSA2311 LVCMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 활성화/비활성화 23MA 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 20MHz 20MHz - -
DSC1121CM5-033.3333T Microchip Technology DSC1121CM5-033.3333T -
RFQ
 ECAD 8561 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -55 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) 33.3333 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1001BI1-048.0000T Microchip Technology DSC1001BI1-048.0000T -
RFQ
 ECAD 5832 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 48MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1122NL5-025.0006 Microchip Technology DSC1122NL5-025.0006 -
RFQ
 ECAD 1931 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1122 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1122 25.0006 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 58ma MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6003MI2B-080.0000 Microchip Technology DSC6003MI2B-080.0000 -
RFQ
 ECAD 3697 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 80MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6003MI2B-080.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC612RI3A-010G Microchip Technology DSC612RI3A-010G -
RFQ
 ECAD 1643 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 6-VFLGA xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 1.5 µA 16MHz 32.768kHz - -
VCC1-E2D-32M0000000 Microchip Technology VCC1-E2D-32M0000000 -
RFQ
 ECAD 2433 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSA6001JI1B-080.0000TVAO Microchip Technology DSA6001JI1B-080.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3282 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 80MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6001JI1B-080.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
VC-801-EAF-KAAN-25M0000000 Microchip Technology VC-801-AF-AF-KAAN-25M0000000 -
RFQ
 ECAD 8006 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BI5-033.3330 Microchip Technology DSC1001BI5-033.3330 -
RFQ
 ECAD 8760 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 33.333 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
DSC6301HA1FB-020.0000B Microchip Technology DSC6301HA1FB-020.0000B -
RFQ
 ECAD 3553 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 20MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HA1FB-020.0000B 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC6011MA1B-032K768T Microchip Technology DSC6011MA1B-032K768T -
RFQ
 ECAD 8818 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MA1B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA
DSC6101JE3B-032K768T Microchip Technology DSC6101JE3B-032K768T -
RFQ
 ECAD 8737 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JE3B-032K768TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC1001AL5-060.0000T Microchip Technology DSC1001AL5-060.0000T -
RFQ
 ECAD 4889 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 DSC1001AL5060.0000T 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 10ppm - - 15µA
VXM7-1028-16M0000000 Microchip Technology VXM7-1028-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 8590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 16MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1028-16M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 - - ± 20ppm
VCC6-QCF-160M000000 Microchip Technology VCC6-QCF-160M000000 -
RFQ
 ECAD 8220 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC6121JI3B-01VG Microchip Technology DSC6121JI3B-01VG -
RFQ
 ECAD 8416 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 4-VLGA xo (표준) CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6121JI3B-01VG 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 12MHz, 24MHz - - -
VT-820-GFH-1560-21M5000000 Microchip Technology VT-820-GFH-1560-21M5000000 -
RFQ
 ECAD 3678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50
VC-820-JAE-FAAN-66M6660000TR Microchip Technology VC-820-JAE-FAAN-66M6660000TR -
RFQ
 ECAD 3232 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-820 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.047 "(1.20mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 66.666 MHz CMOS 1.8V - 영향을받지 영향을받지 150-VC-820-JAE-FAAN-66M6660000TR 귀 99 8542.39.0001 3,000 활성화/비활성화 6.5MA 결정 ± 25ppm - - 10µA
DSC1223NE1-125M0000 Microchip Technology DSC1223NE1-125M0000 -
RFQ
 ECAD 9549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X3 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1223 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V - Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1223NE1-125M0000 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 23MA (유형)
DSA1001DL2-048.0000VAO Microchip Technology DSA1001DL2-048.0000VAO -
RFQ
 ECAD 3211 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 48MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL2-048.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXA4-100-3M68640000 Microchip Technology VXA4-100-3M68640000 -
RFQ
 ECAD 2590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 가방 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0030 1,000
DSC1001CI1-125.0000 Microchip Technology DSC1001CI1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2589 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 125MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

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