SIC
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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 esr (시리즈 동등한 저항 저항) 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 작동 작동 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 커패시턴스로드 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 주파수 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1123BI5-034.0000 Microchip Technology DSC1123BI5-034.0000 -
RFQ
 ECAD 5927 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1123 34 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6151HI2B-025.0000T Microchip Technology DSC6151HI2B-025.0000T -
RFQ
 ECAD 1386 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6151HI2B-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA
DSC6112ME1A-PROGRAMMABLE Microchip Technology dsc6112me1a 프로그램 가능 -
RFQ
 ECAD 4953 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XX 대부분 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1 대기 sic에 의해에에 (웹 순서 참고에 참고에 주파수를 입력) 3MA (유형) MEMS - - 12 µA 1MHz ~ 100MHz ± 50ppm
DSC1121BE5-144.0800T Microchip Technology DSC1121BE5-144.0800T -
RFQ
 ECAD 4044 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1121 144.08 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC6301CI2CA-026.0000 Microchip Technology DSC6301CI2CA-026.0000 -
RFQ
 ECAD 8578 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 튜브 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 26 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
VXE4-1G1-38M4000000TR Microchip Technology vxe4-1g1-38m4000000tr -
RFQ
 ECAD 7727 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxe4 테이프 & tr (TR) 활동적인 100 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.236 "L x 0.138"W (6.00mm x 3.50mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 38.4 MHz 근본적인 - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VXE4-1G1-38M4000000TR 귀 99 8541.60.0060 1,000 16pf ± 10ppm ± 20ppm
DSC1502AI3A-32M00000 Microchip Technology DSC1502AI3A-32M00000 -
RFQ
 ECAD 7448 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 32 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-32M00000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
VC-820-EAC-KAAN-50M0000000 Microchip Technology VC-820-EAC-KAAN-50M0000000 -
RFQ
 ECAD 3267 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VC-820-EAW-EAAN-34M3680000 Microchip Technology VC-820-EAW-AEA-34M3680000 -
RFQ
 ECAD 9673 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1104BE2-100.0000T Microchip Technology DSC1104BE2-100.0000T -
RFQ
 ECAD 1496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1104 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1104 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 42MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6011HI2A-010.0000 Microchip Technology DSC6011HI2A-010.0000 -
RFQ
 ECAD 2430 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 10MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
VXM7-1335-16M0000000 Microchip Technology VXM7-1335-16M0000000 -
RFQ
 ECAD 7738 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 vxm7 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 - - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 16MHz 근본적인 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VXM7-1335-16M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 - - ± 20ppm
DSC1123BL5-156.2500 Microchip Technology DSC1123BL5-156.2500 5.8800
RFQ
 ECAD 9254 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
VT-803-EFE-2870-16M3680000TR Microchip Technology VT-803-EFE-2870-16M3680000TR -
RFQ
 ECAD 9205 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VT-803 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.059 "(1.50mm) 표면 표면 8-smd,, 없음 TCXO 16.368 MHz 사인파를 사인파를 3.3v - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VT-803-EFE-2870-16M3680000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 2MA 결정 ± 280ppb - - -
DSC1030DI2-019.2000 Microchip Technology DSC1030DI2-019.2000 -
RFQ
 ECAD 8048 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1030, Puresilicon ™ 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1030 19.2 MHz CMOS 3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 10MA MEMS ± 25ppm - - 1µA
DSC1001DI2-032.0000T Microchip Technology DSC1001DI2-032.0000T -
RFQ
 ECAD 2549 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 32 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 7.2MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
VXM2-1GJ-20-12M0000000TR Microchip Technology VXM2-1GJ-20-12M0000000TR -
RFQ
 ECAD 1750 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VXM2 테이프 & tr (TR) 활동적인 80 옴 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.043 "(1.10mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 MHZ 크리스탈 12MHz 근본적인 - 영향을받지 영향을받지 150-VXM2-1GJ-20-12M0000000TR 귀 99 8541.60.0050 1,000 20pf ± 30ppm ± 20ppm
DSC6083ME2A-030K000 Microchip Technology DSC6083ME2A-030K000 -
RFQ
 ECAD 5389 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 가방 쓸모없는 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 30 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 100 - 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
DSC1103DL2-156.2500T Microchip Technology DSC1103DL2-156.2500T -
RFQ
 ECAD 7201 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 156.25 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC6011JI2B-018.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-018.0000T -
RFQ
 ECAD 2384 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 18 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-018.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC1101DE2-100.0000 Microchip Technology DSC1101DE2-100.0000 -
RFQ
 ECAD 4886 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 100MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS - ± 25ppm - 95µA
DSA1101DA1-040.0000VAO Microchip Technology DSA1101DA1-040.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8003 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSA1101 40MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA1-040.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
HT-MM900AC-2F-EE-28M6363000 Microchip Technology HT-MM900AC-2F-EE-28M6363000 -
RFQ
 ECAD 5638 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.039 "(1.00mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 TCXO 28.6363 MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-HT-MM900AC-2F-EE-28M6363000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 5MA 결정 ± 25ppm - - -
DSC6101JI1B-006K000 Microchip Technology DSC6101JI1B-006K000 -
RFQ
 ECAD 6989 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 6 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI1B-006K000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
DSC1123AI5-148.5000T Microchip Technology DSC1123AI5-148.5000T -
RFQ
 ECAD 5928 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1123 148.5 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSC1103CI3-250.0000T Microchip Technology DSC1103CI3-250.0000T -
RFQ
 ECAD 5754 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1103 250MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 20ppm - - 95µA
VC-820-JAE-EAAN-100M000000 Microchip Technology VC-820-JAE-EAAN-100M000000 -
RFQ
 ECAD 1254 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1001BE1-014.7456 Microchip Technology DSC1001BE1-014.7456 -
RFQ
 ECAD 5909 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 14.7456 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - -
DSC6011HI2B-432K000T Microchip Technology DSC6011HI2B-432K000T -
RFQ
 ECAD 6316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 432 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS - ± 25ppm - -
VX-705-EAE-KXAN-125M000000TR Microchip Technology VX-705-EAE-KXAN-125M000000TR -
RFQ
 ECAD 4134 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VX-705 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.082 "(2.09mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 VCXO 125MHz CMOS 3.3v - 영향을받지 영향을받지 150-VX-705-EAE-KXAN-125M0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 25MA 결정 ± 20ppm ± 50ppm - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

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