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| DSC1001BI3-024.5760 | - | | 6977 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 24.576 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI3-024.5760 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||
| DSA6001HA2B-038.4000TVAO | - | | 1422 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 38.4 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001HA2B-038.4000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC6003MA3B-080.0000 | - | | 3169 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003MA3B-080.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
| DSA6331JL2CB-048.0000TVAO | - | | 8025 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 48MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6331JL2CB-048.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 1.00%, 00 스프레드 | - | ||||||||
| DSA400-4444Q0168KI2TVAO | - | | 9025 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | HCSL | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA400-4444Q0168KI2TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/재 (비활성화 프로그래밍 가능 가능) | 88ma | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 44 MA | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | 100MHz, 125MHz | ||||||||
| DSA1004CL3-133.3330VAO | - | | 9922 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1004 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 133.333 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1004CL3-133.3330VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||
| DSC1103DL5-148.5000 | - | | 4504 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 148.5 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103DL5-148.5000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 95µA | ||||||||
| DSA6301JL1GB-025.0000VAO | - | | 7451 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6301JL1GB-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | -0.25%, 하향 확산 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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