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결정, 공진기, 발진기 (18804)
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| DSC1123CI3-125.0000T | - | | 3265 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123CI3-125.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 22MA | ||||||
 | DSC6001JI3B-259K200 | - | | 2648 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 259.2 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JI3B-259K200 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
| DSC6102JI1B-080.0000T | - | | 7499 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6102JI1B-080.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
 | DSC1121AE5-020.0000 | - | | 6058 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn d 패드 | xo (표준) | DSC1121 | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121AE5-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | ||||||
| DSC6111HI3B-074.2500 | - | | 8042 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6111 | 74.25 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6111HI3B-074.2500 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.5µA (() |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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