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결정, 공진기, 발진기 (18804)

영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 키 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 짐 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC6011JI2B-012.2880 Microchip Technology DSC6011JI2B-012.2880 -
RFQ
 ECAD 4239 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-012.2880 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1001BI2-060.0000 Microchip Technology DSC1001BI2-060.0000 -
RFQ
 ECAD 6373 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 60MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI2-060.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6101JI2B-032K768 Microchip Technology DSC6101JI2B-032K768 -
RFQ
 ECAD 1291 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 32.768 kHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101JI2B-032K768 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
DSC6301JE1EB-001.0000 Microchip Technology DSC6301JE1EB-001.0000 -
RFQ
 ECAD 2417 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 1MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301JE1EB-001.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 2.00%, 00 스프레드 -
DSC1001DI2-006.1400 Microchip Technology DSC1001DI2-006.1400 -
RFQ
 ECAD 6568 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 6.14 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V - 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI2-006.1400 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1502AI3A-66M66670 Microchip Technology DSC1502AI3A-66M66670 -
RFQ
 ECAD 1559 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 66.6667 MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-66M66670 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC1502AI3A-48M00000 Microchip Technology DSC1502AI3A-48M00000 -
RFQ
 ECAD 1921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 48MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-48M00000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC1502AI3A-125M0000 Microchip Technology DSC1502AI3A-125M0000 -
RFQ
 ECAD 2183 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC150X 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 125MHz LVCMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1502AI3A-125M0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 7.5MA MEMS ± 20ppm - - 1.8µA (()
DSC1123AI2-233.2500 Microchip Technology DSC1123AI2-233.2500 -
RFQ
 ECAD 3496 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn d 패드 xo (표준) 233.25 MHz LVD 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123AI2-233.2500 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 25ppm - - 22MA
DSC1201CL1-75M00000 Microchip Technology DSC1201CL1-75M00000 -
RFQ
 ECAD 6590 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X1 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 75MHz CMOS 2.5V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1201-75M00000 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 27MA (타이핑) MEMS ± 50ppm - - 5µA
DSC1525MI2A-33M33333 Microchip Technology DSC1525MI2A-33M33333 -
RFQ
 ECAD 8400 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC152X 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 33.33333 MHz LVCMOS 1.8V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSC1525MI2A-33M33333 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 7.5MA MEMS ± 25ppm - - -
DSA1223CL3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1223CL3-100M0000VAO -
RFQ
 ECAD 5217 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X3 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1223CL3-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 32MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1121AM1-024.0000T Microchip Technology DSC1121AM1-024.0000T -
RFQ
 ECAD 4152 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 테이프 & tr (TR) 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 24 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1121AM1-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 22MA MEMS ± 50ppm - - 35MA
DSA6112JL2B-025.0000TVAO Microchip Technology DSA6112JL2B-025.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3348 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112JL2B-025.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) - MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSC1214CI3-C0020 Microchip Technology DSC1214CI3-C0020 -
RFQ
 ECAD 7293 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 6-vdfn xo (표준) HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1214CI3-C0020 귀 99 8542.39.0001 110 - 40ma (유형) 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 20ppm - - - -
DSC1003BI2-050.0000T Microchip Technology DSC1003BI2-050.0000T -
RFQ
 ECAD 5053 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003BI2-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1004BI2-025.0000 Microchip Technology DSC1004BI2-025.0000 -
RFQ
 ECAD 2163 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004BI2-025.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001AI1-125.0000 Microchip Technology DSC1001AI1-125.0000 -
RFQ
 ECAD 2780 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn d 패드 xo (표준) 125MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001AI1-125.0000 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1222CI3-164M4257 Microchip Technology DSC1222CI3-164M4257 -
RFQ
 ECAD 4773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 164.4257 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222CI3-164M4257 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSA6101JA3B-012.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JA3B-012.0000TVAO -
RFQ
 ECAD 3182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-012.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 20ppm - - -
DSA1204CI3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000VAO -
RFQ
 ECAD 7846 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1204CI3-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1001DI1-028.6364 Microchip Technology DSC1001DI1-028.6364 -
RFQ
 ECAD 8732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 28.6364 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI1-028.6364 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CL2-066.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-066.0000T -
RFQ
 ECAD 9310 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 66MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-066.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1003BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1003BI2-050.0000 -
RFQ
 ECAD 2349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003BI2-050.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1204CI3-100M0000TVAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000TVAO -
RFQ
 ECAD 2277 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1204CI3-100M0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSA1224CI3-350M0000VAO Microchip Technology DSA1224CI3-350M0000VAO -
RFQ
 ECAD 2634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 350MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1224CI3-350M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1004BI2-025.0000T Microchip Technology DSC1004BI2-025.0000T -
RFQ
 ECAD 8678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004BI2-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BI1-002.0480T Microchip Technology DSC1001BI1-002.0480T -
RFQ
 ECAD 5098 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 2.048 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI1-002.0480TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA6112JL2B-025.0000VAO Microchip Technology DSA6112JL2B-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 2509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112JL2B-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) - MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSA1003DL1-025.0000VAO Microchip Technology DSA1003DL1-025.0000VAO -
RFQ
 ECAD 8664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1003DL1-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA 노출 패드

수량 : 1

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