- RFQ
- Bom
- 저희에게 연락하십시오
전화 : +86-0755-83501315
- 중국인
- 영어
- 프랑스 국민
- 독일 사람
- 포르투갈 인
- 스페인 사람
- 러시아인
- 일본어
- 한국인
- 아라비아 말
- 아일랜드
- 그리스 사람
- 터키
- 이탈리아 사람
- 덴마크 말
- 루마니아 사람
- 인도네시아 인
- 체코 사람
- 아프리카 어
- 스웨덴어
- 광택
- 바스크 사람
- 카탈로니아 사람
- 에스페란토 말
- 힌디 어
- 라오
- 알바니아
- 암하라
- 아르메니아 사람
- 아제르바이잔
- 벨로루시
- 벵골 사람
- 보스니아 인
- 불가리아 사람
- 세부 노
- Chichewa
- 코르시칸
- 크로아티아
- 네덜란드 사람
- 에스토니아 사람
- 필리핀
- 핀란드
- 프리 시안
- 갈리시아어
- 그루지야 사람
- 구자라트
- 아이티 섬 사람
- 하우사
- 하와이
- 헤브라이 사람
- 몽족
- 헝가리 인
- 아이슬란드
- Igbo
- 자바어
- 칸나다어
- 카자흐
- 크메르
- 쿠르드족
- 키르기즈
- 라틴어
- 라트비아 사람
- 리투아니아 사람
- 룩셈부 ..
- 마케도니아 어
- 마다가스카르 사람
- 말레이 사람
- 말라 얄 람어
- 몰티즈
- 마오리족
- 마라 티
- 몽고 어
- 버마 사람
- 네팔
- 노르웨이 인
- 파슈토
- 페르시아 인
- 펀 자브
- 세르비아 사람
- 세소 토
- 신 할라
- 슬로바키아 사람
- 슬로베니아
- 소말리아
- 사모아
- 스코틀랜드 게 일어
- 쇼나
- 신디
- Sundanese
- 스와 할리
- 태조
- 타밀 사람
- 텔루구 어
- 태국
- 우크라이나 말
- 우르두어
- 우즈벡
- 베트남 사람
- 웨일스 말
- Xhosa
- 이디시어
- 요 루바
- 줄루 족
- Kinyarwanda
- 타타르
- 오리 야
- 투르크멘 말
- uyghur
결정, 공진기, 발진기 (18804)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | DSA2311KI2-R0002TVAO | - |  | 9617 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA2311 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 6-vdfn | mems (실리콘) | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA2311KI2-R0002TVAOTR | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 23 MA | 25MHz | 125MHz | - | - | ||||||||||||||
 | vcc4-b3d-11m2896000tr | - | | 5984 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 11.2896 MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC4-B3D-11M2896000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | ||||||||||
 | VCC6-RAP-106M250000_SNPB | - | | 5129 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 106.25 MHz | lvpecl | 2.5V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-vcc6-rap-106m250000_snpbtr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 98ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | - | |||||||||||
| DSA6301JA1AB-002.0000TVAO | - | | 6417 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA63XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 2 MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6301JA1AB-002.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | |||||||||||
| DSC1522JE1A-25M00000T | - | | 3487 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1522JE1A-25M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
| DSC1522JI1A-25M00000T | - | | 2871 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC152X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1522JI1A-25M00000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||||
| DSC1203DA3-333M3333T | - | | 7660 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1203 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 333.3333 MHz | LVD | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1203DA3-333M333333333333333333333333333333333333333ttr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
| VCC1-G3P-25M0000000 | - | | 1822 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 2.5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-G3P-25M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 15MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | |||||||||||
| VT-827-FFE-106B-19M2000000 | - | | 1070 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 19.2 MHz | 사인파를 사인파를 | 3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-827-FFE-106B-19M2000000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | - | 2MA | 결정 | ± 1ppm | - | - | - | |||||||||||
 | VXM1-1F1-25M0000000TR | - | | 8263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 50 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 25MHz | 근본적인 | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM1-1F1-25M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 1,000 | 16pf | ± 30ppm | ± 10ppm | ||||||||||||||
| VXM7-9048-10M0000000TR | - | | 3534 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 10MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-9048-10M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||||||||
| DSA6101HA3B-025.0000TVAO | - | | 8555 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101HA3B-025.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||||||
| DSC1502JA3A-156M2500T | - | | 7800 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 156.25 MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502JA3A-156M2500TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() | |||||||||||
| DSC6301JE1EB-001.0000T | - | | 2315 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 1MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301JE1EB-001.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 2.00%, 00 스프레드 | - | |||||||||||
| DSA6101HL2B-020.0000TVAO | - | | 9261 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101HL2B-020.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||||||
| DSC1103CE2-167.7722T | - | | 7682 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 167.7722 MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1103CE2-167.7722TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
| DSC1001CL2-080.0000T | - | | 2169 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 80MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CL2-080.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 16.6MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
| DSC6011JI2B-040.0000T | - | | 2914 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI2B-040.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||||
| VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR | - | | 9143 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.8V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-JAW-KAAN-25M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 2.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | |||||||||||
| VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR | - | | 5437 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 2.048 MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-EAE-FAAN-2M04800000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | ||||||||||
| VC-840-EAE-FAAN-100M0000TTR | - | | 6570 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | LVCMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-EAE-FAAN-100M0000TTR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 25MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | ||||||||||
| VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR | - | | 8087 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 122.76785 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-JAE-KAAN-122M767850TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | ||||||||||
| VXM7-9049-16M0000000TR | - | | 4258 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm7 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 80 옴 | - | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 16MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM7-9049-16M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||||||
| DSA1103BL2-200.0000VAO | - | | 6431 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 200MHz | LVD | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1103BL2-200.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||||||
 | DSC1201NI2-81M36000 | - | | 6694 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC12X1 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 81.36 MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1201NI2-81M36000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 27MA (타이핑) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
| DSC6013JI1B-033.3300 | - | | 5866 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 33.33 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6013JI1B-033.3300 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||||
 | DSC2011FI2-F0064 | - | | 3290 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC2011 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 14-vfqfn 노출 패드 | mems (실리콘) | LVCMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC2011FI2-F0064 | 110 | 활성화/비활성화 | 32MA (유형) | 0.037 "(0.95mm) | MEMS | ± 50ppm | 23 MA | 11.2896MHz, 22.5792MHz | 11.2896MHz, 12.285741MHz, 22.5792MHz, 24.571482MHz | - | - | |||||||||||||
| DSC1001BL5-027.0000 | - | | 8384 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 27 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BL5-027.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
| DSC1121NE2-020.0000 | - | | 1039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1121NE2-020.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 22MA | |||||||||||
| DSC1502AI3A-24M00000 | - | | 8779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC150X | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn d 패드 | xo (표준) | 24 MHz | LVCMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1502AI3A-24M00000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 7.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 1.8µA (() |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
위시리스트 (0 항목)