SIC
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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 프로그래밍 프로그래밍 유형 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4 사용 사용 주파수 가능한 주파수 주파수 (안정성)
DSC1222CI3-164M4257 Microchip Technology DSC1222CI3-164M4257 -
RFQ
ECAD 4773 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1222 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 164.4257 MHz lvpecl 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1222CI3-164M4257 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 50MA (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSA6101JA3B-012.0000TVAO Microchip Technology DSA6101JA3B-012.0000TVAO -
RFQ
ECAD 3182 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6101JA3B-012.0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - MEMS ± 20ppm - - -
DSA1204CI3-100M0000VAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000VAO -
RFQ
ECAD 7846 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1204CI3-100M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSC1001DI1-028.6364 Microchip Technology DSC1001DI1-028.6364 -
RFQ
ECAD 8732 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 28.6364 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001DI1-028.6364 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSC1001CL2-066.0000T Microchip Technology DSC1001CL2-066.0000T -
RFQ
ECAD 9310 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 66MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001CL2-066.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1003BI2-050.0000 Microchip Technology DSC1003BI2-050.0000 -
RFQ
ECAD 2349 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 50MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1003BI2-050.0000 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSA1204CI3-100M0000TVAO Microchip Technology DSA1204CI3-100M0000TVAO -
RFQ
ECAD 2277 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 100MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1204CI3-100M0000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 5µA
DSA1224CI3-350M0000VAO Microchip Technology DSA1224CI3-350M0000VAO -
RFQ
ECAD 2634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA12X4 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 350MHz HCSL 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1224CI3-350M0000VAO 귀 99 8542.39.0001 110 활성화/비활성화 40ma (유형) MEMS ± 20ppm - - 23MA (유형)
DSC1004BI2-025.0000T Microchip Technology DSC1004BI2-025.0000T -
RFQ
ECAD 8678 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1004 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1004BI2-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001BI1-002.0480T Microchip Technology DSC1001BI1-002.0480T -
RFQ
ECAD 5098 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 2.048 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC1001BI1-002.0480TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.5MA MEMS ± 50ppm - - 15µA
DSA6112JL2B-025.0000VAO Microchip Technology DSA6112JL2B-025.0000VAO -
RFQ
ECAD 2509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA61XX 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA6112JL2B-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) - MEMS ± 25ppm - - 1.5µA (()
DSA1003DL1-025.0000VAO Microchip Technology DSA1003DL1-025.0000VAO -
RFQ
ECAD 8664 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1003DL1-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
MX575RBA857M137 Microchip Technology MX575RBA857M137 -
RFQ
ECAD 4405 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575RBA857M137 857.1375 MHz lvpecl 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX575RBA857M137 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 120ma 결정 ± 50ppm - - -
MX555LBB162M000 Microchip Technology MX555LBB162M000 -
RFQ
ECAD 5338 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX555LBB162M000 162 MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX555LBB162M000 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6011HI3B-032K000T Microchip Technology DSC6011HI3B-032K000T -
RFQ
ECAD 8358 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6011 32 kHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011HI3B-032K000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
DSC6331JI2FB-025.0000T Microchip Technology DSC6331JI2FB-025.0000T -
RFQ
ECAD 9872 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6331 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JI2FB-025.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 2.50%, 50 스프레드 -
DSC612NL3A-019AT Microchip Technology DSC612NL3A-019AT -
RFQ
ECAD 1495 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC612 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 6-llga xo (표준) DSC612 LVCMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC612NL3A-019ATTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 6MA 0.035 "(0.89mm) MEMS ± 20ppm 8MHz 32.768kHz - -
DSC6311JA1BB-019.2000 Microchip Technology DSC6311JA1BB-019.2000 -
RFQ
ECAD 7294 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6311 19.2 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6311JA1BB-019.2000 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - ± 0.50%, 50 스프레드 -
MX554ENU840M000 Microchip Technology MX554ENU840M000 -
RFQ
ECAD 1597 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX554ENU840M000 840MHz HCSL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554ENU840M000 귀 99 8542.39.0001 60 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
VCC1-A1D-21M2000000 Microchip Technology VCC1-A1D-21M2000000 -
RFQ
ECAD 8027 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) - 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) VCC1-A1 21.2 MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-A1D-21M2000000tr 귀 99 8542.39.0001 1,000 - - 결정 - - - -
MX554JBC245M760-TR Microchip Technology MX554JBC245M760-TR -
RFQ
ECAD 4851 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX55 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX554JBC245M760 245.76 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX554JBC245M760-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6301HI2DB-012.0000T Microchip Technology DSC6301HI2DB-012.0000T -
RFQ
ECAD 3780 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HI2DB-012.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC6003MA3B-PROGT Microchip Technology DSC6003MA3B-Progt 1.6600
RFQ
ECAD 1 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6003 CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 blank (사용자 필수 사용자 사용자) 1.3MA (유형) MEMS - - 2 kHz ~ 80 MHz ± 20ppm
MXT573BBA864M000 Microchip Technology MXT573BBA864M000 -
RFQ
ECAD 6509 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Clockworks® Fusion 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga TCXO MXT573BBA864M000 864 MHz PECL 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MXT573BBA864M000 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 125MA 결정 ± 5ppm - - -
DSC6001JE2B-025.0000 Microchip Technology DSC6001JE2B-025.0000 -
RFQ
ECAD 9316 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 25MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE2B-025.0000 귀 99 8542.39.0001 140 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - -
MX573DBC66M6666-TR Microchip Technology MX573DBC66M6666-TR -
RFQ
ECAD 7324 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX573DBC66M6666 66.6666 MHz CMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX573DBC66M6666-TR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
DSC6001JE3B-024.0000T Microchip Technology DSC6001JE3B-024.0000T -
RFQ
ECAD 2269 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) DSC6001 24 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6001JE3B-024.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 1.3MA (유형) MEMS ± 20ppm - - -
MX574EBB20M0000 Microchip Technology MX574EBB20M0000 -
RFQ
ECAD 7132 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX574 20MHz LVD 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MX574EBB20M0000 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 100ma 결정 ± 50ppm - - -
DSC6301HI2DB-012.0000 Microchip Technology DSC6301HI2DB-012.0000 -
RFQ
ECAD 1896 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6301 12MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6301HI2DB-012.0000 귀 99 8542.39.0001 100 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 1.50%, 50 스프레드 -
DSC6101MA1B-008.0000T Microchip Technology DSC6101MA1B-008.0000T -
RFQ
ECAD 5011 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC61XXB 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) DSC6101 8 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6101MA1B-008.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고