전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 프로그래밍 프로그래밍 유형 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 | 사용 사용 주파수 가능한 | 주파수 주파수 (안정성) |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() | DSC1222CI3-164M4257 | - | ![]() | 4773 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1222 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 164.4257 MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1222CI3-164M4257 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 50MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||
DSA6101JA3B-012.0000TVAO | - | ![]() | 3182 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6101JA3B-012.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||||
![]() | DSA1204CI3-100M0000VAO | - | ![]() | 7846 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X4 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1204CI3-100M0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 40ma (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
![]() | DSC1001DI1-028.6364 | - | ![]() | 8732 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 28.6364 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001DI1-028.6364 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1001CL2-066.0000T | - | ![]() | 9310 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 66MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001CL2-066.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1003BI2-050.0000 | - | ![]() | 2349 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 50MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1003BI2-050.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSA1204CI3-100M0000TVAO | - | ![]() | 2277 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 100MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1204CI3-100M0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 40ma (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 5µA | |||||||||||
![]() | DSA1224CI3-350M0000VAO | - | ![]() | 2634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA12X4 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 350MHz | HCSL | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1224CI3-350M0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 활성화/비활성화 | 40ma (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | 23MA (유형) | |||||||||||
![]() | DSC1004BI2-025.0000T | - | ![]() | 8678 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1004 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1004BI2-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
![]() | DSC1001BI1-002.0480T | - | ![]() | 5098 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 2.048 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1001BI1-002.0480TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||||||
DSA6112JL2B-025.0000VAO | - | ![]() | 2509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA61XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6112JL2B-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | - | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||||||
DSA1003DL1-025.0000VAO | - | ![]() | 8664 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1003DL1-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | ||||||||||||
![]() | MX575RBA857M137 | - | ![]() | 4405 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX575RBA857M137 | 857.1375 MHz | lvpecl | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX575RBA857M137 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 120ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | MX555LBB162M000 | - | ![]() | 5338 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX555LBB162M000 | 162 MHz | LVD | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX555LBB162M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||||
![]() | DSC6011HI3B-032K000T | - | ![]() | 8358 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6011 | 32 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011HI3B-032K000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6331JI2FB-025.0000T | - | ![]() | 9872 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6331 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JI2FB-025.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 2.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||
![]() | DSC612NL3A-019AT | - | ![]() | 1495 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC612 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 6-llga | xo (표준) | DSC612 | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC612NL3A-019ATTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 6MA | 0.035 "(0.89mm) | MEMS | ± 20ppm | 8MHz | 32.768kHz | - | - | ||||||||||||
![]() | DSC6311JA1BB-019.2000 | - | ![]() | 7294 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6311 | 19.2 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6311JA1BB-019.2000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | ± 0.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||
![]() | MX554ENU840M000 | - | ![]() | 1597 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX554ENU840M000 | 840MHz | HCSL | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX554ENU840M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 60 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | VCC1-A1D-21M2000000 | - | ![]() | 8027 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | - | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-A1 | 21.2 MHz | CMOS | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-A1D-21M2000000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||||||
![]() | MX554JBC245M760-TR | - | ![]() | 4851 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX55 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX554JBC245M760 | 245.76 MHz | CMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX554JBC245M760-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6301HI2DB-012.0000T | - | ![]() | 3780 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6301 | 12MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301HI2DB-012.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||
![]() | DSC6003MA3B-Progt | 1.6600 | ![]() | 1 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6003 | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | blank (사용자 필수 사용자 사용자) | 1.3MA (유형) | MEMS | - | - | 2 kHz ~ 80 MHz | ± 20ppm | ||||||||||
![]() | MXT573BBA864M000 | - | ![]() | 6509 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Clockworks® Fusion | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | TCXO | MXT573BBA864M000 | 864 MHz | PECL | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MXT573BBA864M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 125MA | 결정 | ± 5ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6001JE2B-025.0000 | - | ![]() | 9316 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6001 | 25MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JE2B-025.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | MX573DBC66M6666-TR | - | ![]() | 7324 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX573DBC66M6666 | 66.6666 MHz | CMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX573DBC66M6666-TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6001JE3B-024.0000T | - | ![]() | 2269 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | DSC6001 | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001JE3B-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | MX574EBB20M0000 | - | ![]() | 7132 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX574 | 20MHz | LVD | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX574EBB20M0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 100ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||||
![]() | DSC6301HI2DB-012.0000 | - | ![]() | 1896 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6301 | 12MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6301HI2DB-012.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 1.50%, 50 스프레드 | - | ||||||||||
![]() | DSC6101MA1B-008.0000T | - | ![]() | 5011 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | DSC6101 | 8 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101MA1B-008.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - |
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