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결정, 공진기, 발진기 (18804)
| 영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | esr (시리즈 동등한 저항 저항) | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 빈도 | 작동 작동 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 커패시턴스로드 | 현재 -공급 (max) | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 주파수 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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 | DSC6101JL2B-032K768T | - | | 7870 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JL2B-032K768TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
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| DSC6001HE1B-009K091T | - | | 5847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 9.091 kHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6001HE1B-009K091TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
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| DSA6001JI1B-020.0000TVAO | - | | 3786 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 20MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JI1B-020.0000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
| VC-801-EAW-FAAN-25M0012500 | - | | 7161 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 조각 | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25.00125 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||||||
| VT-827-EFH-256C-19M2000000 | - | | 9269 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 조각 | 마지막으로 마지막으로 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | vctcxo | 19.2 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 진폭 진폭 | 2MA | 결정 | ± 2.5ppm | ± 10ppm | - | - | ||||||||
| VT-860-JFE-5070-26M0000000 | - | | 1471 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-860 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 26 MHz | 사인파를 사인파를 | 1.8V | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | - | 2.3ma | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | ||||||||
| VXM9-1DJ-09-32M0000000 | - | | 1054 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM9 | 조각 | 활동적인 | 80 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 32 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 9pf | ± 15ppm | ± 20ppm | ||||||||||||
| VT-822-0004-39M0000000 | - | | 5234 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-822 | 조각 | 쓸모없는 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 39MHz | CMOS | 2.5V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 300 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | - | - | - | - | ||||||||
| VXM8-1CJ-08-32M0000000 | - | | 9882 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | vxm8 | 조각 | 활동적인 | 50 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.100 "L x 0.081"W (2.55mm x 2.05mm) | 0.028 "(0.70mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | 32 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM8-1CJ-08-32M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 8pf | ± 10ppm | ± 20ppm | |||||||||||
| VCC1-1575-125M000000 | - | | 1514 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 1.8V ~ 5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 60ma | 결정 | - | - | - | 30µA | ||||||||
| VCC1-A3D-5M00000000 | - | | 7587 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 5 MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | ||||||||
| VC-820-JAE-FAAN-100M000000 | - | | 5402 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | CMOS | 1.8V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-JAE-FAAN-100M000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 10µA | |||||||
| VC-840-JAE-KAAN-156M250000 | - | | 3709 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | LVCMOS | 1.8V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 10µA | ||||||||
| vcc1-b3p-25m0000000tr | - | | 5243 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3P-25M0000000tr | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | |||||||
 | VC-711-ed-EAAN-125M000000TR | - | | 5859 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-711 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-711-ede-EAAN-125M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 33MA | 결정 | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
| VCC1-A1C-16M0000000TR | - | | 2315 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | 5V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-A1C-16M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 10MA | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | ||||||
| VC-889-EAE-KAAN-32K7680000TR | - | | 7882 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-889 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.063 "L x 0.047"W (1.60mm x 1.20mm) | 0.023 "(0.58mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 32.768 kHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-889-EAE-KAAN-32K7680000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 32µA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | ||||||
| VC-830-ECF-GAAN-156M250000TR | - | | 7023 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-830 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 156.25 MHz | lvpecl | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-830-ECF-GAAN-156M250000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 66MA | 결정 | ± 30ppm | - | - | - | |||||||
| VC-708-EDE-FNXN-157M980800TR | - | | 1242 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-708 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 157.9808 MHz | LVD | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-708-ED-FNXN-157M980800TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | - | 48MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| vcc1-b3c-133m000000tr | - | | 4060 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 133 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3C-133M000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50ma | 결정 | ± 100ppm | - | - | 30µA | ||||||
| VCC6-RCF-1220M000000TR | - | | 3263 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC6 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.063 "(1.60mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 120MHz | lvpecl | 2.5V | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC6-RCF-1220M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 98ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| VC-801-EA7-KAAN-40M0000000 | - | | 2326 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 40MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | ||||||||
| VT-827-EFH-2560-27M0000000 | - | | 9553 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-827 | 조각 | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 27 MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-827-EFH-2560-27M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | - | 2MA | 결정 | ± 2.5ppm | - | - | - | ||||||
| VC-801-EAE-HAAN-125M000000 | - | | 6582 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 조각 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0080 | 100 | 활성화/비활성화 | 40ma | 결정 | ± 32ppm | - | - | 30µA |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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