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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | VCC4-H3F-12M0000000 | - |  | 3644 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12MHz | CMOS | 1.8V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC4-H3F-12M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | |||||||
 | VC-709-EDE-FAAN-200M000000 | - | | 9872 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-709 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.067 "(1.70mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | LVD | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-709-EDE-FAAN-200M000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 45MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| VCC4-F3D-64M0000000 | - | | 5991 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC4 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 64 MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC4-F3D-64M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | |||||||
 | VC-708-ECW-KNXN-200M000000 | - | | 2898 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.071 "(1.80mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | 200MHz | lvpecl | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-708-ECW-KNXN-200M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 65MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | |||||||
 | VCC1-B1B-25M0000000TR | - | | 3033 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B1B-25M0000000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | ||||||||
| VCC1-B3E-12M3520000TR | - | | 6292 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.352 MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3E-12M3520000tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | |||||||
 | VC-820-EAE-KAAN-66M6660000 | - | | 8172 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 66.666 MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-EAE-KAAN-66M6660000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 9MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | |||||||
 | VT-841-EFE-106B-40M0000000 | - | | 2381 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-841 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-841-EFE-106B-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 2.5MA | 결정 | ± 1ppm | - | - | - | ||||||||
 | VXB2-1B2-7M37280000 | - | | 3660 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXB2 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 45 옴 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.449 "L x 0.191"W (11.40mm x 4.85mm) | 0.173 "(4.40mm) | 표면 표면 | HC-49/US | MHZ 크리스탈 | 7.3728 MHz | 근본적인 | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXB2-1B2-7M37280000TR | 귀 99 | 8541.60.0050 | 1 | 20pf | ± 50ppm | ± 20ppm | ||||||||||||
 | VC-840-9005-12M80000000TR | - | | 6535 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-840 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.8 MHz | LVCMOS | - | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-840-9005-12M80000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | - | 결정 | - | - | - | 10µA | |||||||
| VT-841-EFE-5070-40M0000000 | - | | 1194 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-841 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | 사인파를 사인파를 | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VT-841-EFE-5070-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 2.5MA | 결정 | ± 500ppb | - | - | - | |||||||
| VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR | - | | 2752 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 26 MHz | CMOS | 2.5V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-HAE-KAAN-26M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 5.5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 5µA | |||||||
| VC-820-Hae-Faan-125M000000 | - | | 5816 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-820 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.047 "(1.20mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 125MHz | CMOS | 2.5V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-820-HAE-FAAN-125M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 3,000 | 활성화/비활성화 | 30ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 5µA | |||||||
 | HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000 | - | | 3000 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-4F-EE-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | |||||||
| HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000 | - | | 5299 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 40MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-4K-EE-40M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||
| HT-MM900AC-2F-EE-125M000000 | - | | 2788 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.039 "(1.00mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | TCXO | 125MHz | CMOS | 3.3v | - | 영향을받지 영향을받지 | 150-HT-MM900AC-2F-EE-125M0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 5MA | 결정 | ± 25ppm | - | - | - | ||||||||
| VXC4-1EE-13-25M0000000 | - | | 2226 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXC4 | 조각 | 활동적인 | 30 옴 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.051 "(1.30mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXC4-1 | 25MHz | 근본적인 | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXC4-1EE-13-25M0000000 | 귀 99 | 8541.60.0060 | 100 | 13pf | ± 20ppm | ± 20ppm | |||||||||||
| VT-803-0061-24M0000000 | - | | 2214 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-803 | 조각 | 쓸모없는 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | TCXO | 24 MHz | CMOS | - | 다운로드 | 150-VT-803-0061-24M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 3MA | 결정 | - | - | - | - | |||||||||
| VCC1-B1B-25M0000000 | - | | 6893 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-B1 | 25MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B1B-25M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 20MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | 30µA | ||||||
| VCC1-B3E-12M3520000 | - | | 2764 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 조각 | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-B3 | 12.352 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3E-12M3520000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||||
| VT-803-GFE-207C-40M0000000 | - | | 9107 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VT-803 | 조각 | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.059 "(1.50mm) | 표면 표면 | 8-smd,, 없음 | TCXO | 40MHz | 사인파를 사인파를 | 2.8V | 다운로드 | 150-VT-803-GFE-207C-40M0000000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 3.4ma | 결정 | ± 200ppb | ± 10ppm | - | - | |||||||||
 | VMK3-9005-32K7680000tr | 1.4500 | | 64 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VMK3 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.059"W (3.20mm x 1.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 2-SMD,, 없음 | khz 크리스탈 (크리스탈 포크) | VMK3 | 32.768 kHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0010 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | |||||||||||
| VCC1-1537-114M285000 | - | | 3049 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | VCC1-1537 | 114.285 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 50ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | ||||||
 | VXM9-9014-64M0000000TR | 0.8750 | | 4291 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VXM9 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -30 ° C ~ 85 ° C | - | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.022 "(0.55mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | MHZ 크리스탈 | VXM9-9014 | 64 MHz | 근본적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-VXM9-9014-64M0000000TR | 귀 99 | 8541.60.0060 | 3,000 | - | - | ± 20ppm | ||||||||||
| DSA6001JA2B-003K277VAO | - | | 6875 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA60XX | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 3.277 kHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA6001JA2B-003K277VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||
| DSC6011JI1B-024.0000 | - | | 3161 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI1B-024.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||
 | DSC6101JE1B-030.0000 | - | | 7755 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 30MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JE1B-030.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC6101JA3B-024.0000T | - | | 6796 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC61XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 24 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6101JA3B-024.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | |||||||
 | DSC6003JL3B-004.0960 | - | | 3622 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 4.096 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6003JL3B-004.0960tr | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | - | - | ||||||||
| DSC6331JA3AB-004.0000T | - | | 1067 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 4 MHz | LVCMOS | 1.71V ~ 3.63V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JA3AB-004.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 20ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - |
2000+
일일 평균 RFQ 볼륨
30,000,000
표준 제품 단위
2800+
전 세계 제조업체
15,000m2
재고 창고
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