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영상 제품 제품 가격 (USD) 수량 ECAD 사용 사용 수량 체중 (kg) Mfr 시리즈 패키지 제품 제품 작동 작동 등급 크기 / 치수 높이- 최대 (좌석) 장착 장착 패키지 / 케이스 유형 기본 기본 번호 빈도 산출 전압 - 공급 데이터 데이터 rohs 상태 수분 수분 수준 (MSL) 상태에 상태에 다른 다른 ECCN HTSUS 표준 표준 기능 현재 -공급 (max) 기본 기본 주파수 주파수 절대 절대 범위 (apr) 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 주파수 -. 1 주파수 -. 2 주파수-. 3 주파수-. 4
DSC1102BI2-100.0000 Microchip Technology DSC1102BI2-100.0000 -
RFQ
ECAD 9634 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 100MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1001DL1-012.5000 Microchip Technology DSC1001DL1-012.5000 -
RFQ
ECAD 4478 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 12.5MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 50ppm - - 15µA
VCC6-RCB-60M0000000 Microchip Technology VCC6-RCB-60M0000000 -
RFQ
ECAD 2728 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 250
DSC1102CL1-100.0000 Microchip Technology DSC1102CL1-100.0000 -
RFQ
ECAD 1666 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1102 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1102 100MHz lvpecl 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 110 대기 (다운 전원) 58ma MEMS ± 50ppm - - 95µA
DSA1001DL3-030.0000TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-030.0000TVAO -
RFQ
ECAD 4135 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 30MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-030.0000000000TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 20ppm - - 15µA
MX575LBC162M000 Microchip Technology MX575LBC162M000 -
RFQ
ECAD 6039 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 MX57 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 6-llga xo (표준) MX575LBC162M000 162 MHz LVCMOS 2.375V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 150-MX575LBC162M000 귀 99 8542.39.0001 43 활성화/비활성화 95MA 결정 ± 50ppm - - -
VC-826-HDE-SAAN-156M250000 Microchip Technology VC-826-HDE-SAAN-156M250000 -
RFQ
ECAD 4978 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000
VCC1-1570-100M000000 Microchip Technology VCC1-1570-100M000000 -
RFQ
ECAD 3877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 100MHz CMOS - 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-1570-100M000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - - 결정 - - - -
DSC1001CI2-074.2500T Microchip Technology DSC1001CI2-074.2500T -
RFQ
ECAD 4298 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 74.25 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1001DE2-024.5760T Microchip Technology DSC1001DE2-024.5760T -
RFQ
ECAD 2677 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 24.576 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 6.3ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6301CI2BA-025.0000T Microchip Technology DSC6301CI2BA-025.0000T -
RFQ
ECAD 5459 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XX 테이프 & tr (TR) 쓸모없는 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 25MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 1 (무제한) 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - - 80µA (타이핑)
DSC1103DL2-025.0012 Microchip Technology DSC1103DL2-025.0012 -
RFQ
ECAD 5334 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 25.0012 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSC1121AI1-125.0000 Microchip Technology DSC1121AI1-125.0000 1.1600
RFQ
ECAD 2076 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1121 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1121 125MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 활성화/비활성화 35MA MEMS ± 50ppm - - 22MA
DSC1003BI5-040.0000 Microchip Technology DSC1003BI5-040.0000 -
RFQ
ECAD 3425 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1003 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSC1003 40MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 72 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS - ± 10ppm - 15µA
DSC6011MI1B-012.2880 Microchip Technology DSC6011MI1B-012.2880 -
RFQ
ECAD 7391 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC60XXB 가방 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VFLGA xo (표준) 12.288 MHz CMOS 1.71V ~ 3.63V - Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011MI1B-012.2880 귀 99 8542.39.0001 100 대기 (다운 전원) 1.3MA (유형) MEMS ± 50ppm - - 1.5µA (()
MO-9000AE-7K-EE-2M00000000 Microchip Technology MO-9000AE-7K-EE-2M00000000 -
RFQ
ECAD 7779 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 Mo-9000a 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.031 "(0.80mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 2 MHz CMOS 3.3v 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-MO-9000AE-7K-EE-2M00000000TR 귀 99 8542.39.0001 250 활성화/비활성화 4.5MA MEMS ± 50ppm - - -
VC-801-1041-16M0000000 Microchip Technology VC-801-1041-16M0000000 -
RFQ
ECAD 9765 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VC-801 테이프 & tr (TR) 활동적인 - - 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.055 "(1.40mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 16MHz CMOS - 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VC-801-1041-16M0000000TR 귀 99 8542.39.0001 1 - 5MA 결정 - - - 30µA
VCC1-B3E-12M8000000TR Microchip Technology VCC1-B3E-12M8000000TR -
RFQ
ECAD 7046 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 VCC1 테이프 & tr (TR) 활동적인 -10 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.075 "(1.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) 12.8 MHz CMOS 3.3v 다운로드 영향을받지 영향을받지 150-VCC1-B3E-12M8000000TR 귀 99 8541.60.0080 1,000 활성화/비활성화 7ma 결정 ± 25ppm - - 30µA
DSA1101DA2-025.0000VAO Microchip Technology DSA1101111DA2-025.0000VAO -
RFQ
ECAD 4005 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1101 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) 25MHz CMOS 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1101DA2-025.0000VAO 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 25ppm - - 95µA
DSA1001DI2-033.3333TVAO Microchip Technology DSA10011DI2-033.3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333t -
RFQ
ECAD 7719 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) DSA1001 33.3333 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DI2-033.3333333333333333333333333333333333333333333 333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333tvao입니다 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 10.5MA MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC6331JA2AB-004.0000 Microchip Technology DSC6331JA2AB-004.0000 -
RFQ
ECAD 9921 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC63XXB 튜브 활동적인 -40 ° C ~ 125 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.89mm) 표면 표면 4-VLGA xo (표준) 4 MHz LVCMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6331JA2AB-004.0000 귀 99 8542.39.0001 140 - 3MA (유형) MEMS ± 25ppm - ± 0.25%, 센터 스프레드 -
DSC400-0103Q0102KE2T Microchip Technology DSC400-0103Q0102KE2T -
RFQ
ECAD 6877 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC400 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 20-vfqfn 노출 패드 xo (표준) DSC400 LVCMOS, LVD 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 - 0.035 "(0.90mm) MEMS ± 25ppm 148.5MHz 14.7456MHz - -
DSC1001BI2-148.5000T Microchip Technology DSC1001BI2-148.5000T 1.2360
RFQ
ECAD 4351 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1001 148.5 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 3 (168 시간) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1123CE5-393.2160T Microchip Technology DSC1123CE5-393.2160T -
RFQ
ECAD 5468 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1123 테이프 & tr (TR) 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1123 393.216 MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 150-DSC1123CE5-393.2160TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 활성화/비활성화 32MA MEMS ± 10ppm - - 22MA
DSA1001DL3-033.5544TVAO Microchip Technology DSA1001DL3-033.5544444444444444444444444444444444444444444444444444444TVAO -
RFQ
ECAD 3570 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSA1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 105 ° C AEC-Q100 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-vdfn xo (표준) 33.5544 MHz CMOS 1.7V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSA1001DL3-033.554444TVAOTR 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8ma MEMS ± 20ppm - - 15µA
DSC1001AI2-133.0000T Microchip Technology DSC1001AI2-133.0000T -
RFQ
ECAD 2660 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1001 테이프 & tr (TR) 활동적인 -40 ° C ~ 85 ° C AEC-Q100 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 xo (표준) DSC1001 133 MHz CMOS 1.8V ~ 3.3V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 1,000 대기 (다운 전원) 8.7ma MEMS ± 25ppm - - 15µA
DSC1103NE1-125.0000 Microchip Technology DSC1103NE1-125.0000 2.1100
RFQ
ECAD 3160 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1103 튜브 활동적인 -20 ° C ~ 70 ° C - 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-SMD,, 없음 xo (표준) DSC1103 125MHz LVD 2.25V ~ 3.63V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 50 대기 (다운 전원) 32MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
VXB1-1F2-20M0000000 Microchip Technology VXB1-1F2-20M0000000 -
RFQ
ECAD 5744 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 * 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8541.60.0050 1,000
DSC6011JI2B-050.0000T Microchip Technology DSC6011JI2B-050.0000T -
RFQ
ECAD 7847 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 - 테이프 & tr (TR) 활동적인 다운로드 Rohs3 준수 영향을받지 영향을받지 150-DSC6011JI2B-050.0000TTR 귀 99 8542.39.0001 1,000
DSC1101DM1-032.0000 Microchip Technology DSC1101111DM1-032.0000 -
RFQ
ECAD 5103 0.00000000 마이크로 마이크로 기술 DSC1101 튜브 활동적인 -55 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) 0.035 "(0.90mm) 표면 표면 6-vdfn xo (표준) DSC1101 32 MHz CMOS 2.25V ~ 3.6V 다운로드 Rohs3 준수 1 (무제한) 영향을받지 영향을받지 귀 99 8542.39.0001 140 대기 (다운 전원) 35MA MEMS ± 50ppm - - 95µA
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    일일 평균 RFQ 볼륨

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    표준 제품 단위

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    전 세계 제조업체

  • In-stock Warehouse

    15,000m2

    재고 창고