전화 : +86-0755-83501315
영상 | 제품 제품 | 가격 (USD) | 수량 | ECAD | 사용 사용 수량 | 체중 (kg) | Mfr | 시리즈 | 패키지 | 제품 제품 | 작동 작동 | 등급 | 크기 / 치수 | 높이- 최대 (좌석) | 장착 장착 | 패키지 / 케이스 | 유형 | 기본 기본 번호 | 빈도 | 산출 | 전압 - 공급 | 데이터 데이터 | rohs 상태 | 수분 수분 수준 (MSL) | 상태에 상태에 | 다른 다른 | ECCN | HTSUS | 표준 표준 | 기능 | 현재 -공급 (max) | 키 | 기본 기본 | 주파수 주파수 | 절대 절대 범위 (apr) | 스펙트럼 스펙트럼 스프레드 | 짐 | 주파수 -. 1 | 주파수 -. 2 | 주파수-. 3 | 주파수-. 4 |
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![]() | DSC1102BI2-100.0000 | - | ![]() | 9634 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1102 | 100MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | DSC1001DL1-012.5000 | - | ![]() | 4478 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 12.5MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 15µA | |||||||
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![]() | DSC1102CL1-100.0000 | - | ![]() | 1666 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1102 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1102 | 100MHz | lvpecl | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 110 | 대기 (다운 전원) | 58ma | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |||||||
DSA1001DL3-030.0000TVAO | - | ![]() | 4135 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 30MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL3-030.0000000000TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||||
![]() | MX575LBC162M000 | - | ![]() | 6039 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | MX57 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 6-llga | xo (표준) | MX575LBC162M000 | 162 MHz | LVCMOS | 2.375V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 150-MX575LBC162M000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 43 | 활성화/비활성화 | 95MA | 결정 | ± 50ppm | - | - | - | ||||||
![]() | VC-826-HDE-SAAN-156M250000 | - | ![]() | 4978 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | VCC1-1570-100M000000 | - | ![]() | 3877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 100MHz | CMOS | - | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-1570-100M000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | - | 결정 | - | - | - | - | ||||||||
![]() | DSC1001CI2-074.2500T | - | ![]() | 4298 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 74.25 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC1001DE2-024.5760T | - | ![]() | 2677 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 24.576 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 6.3ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC6301CI2BA-025.0000T | - | ![]() | 5459 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XX | 테이프 & tr (TR) | 쓸모없는 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 25MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | 1 (무제한) | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | - | 80µA (타이핑) | ||||||||||
![]() | DSC1103DL2-025.0012 | - | ![]() | 5334 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 25.0012 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||||
![]() | DSC1121AI1-125.0000 | 1.1600 | ![]() | 2076 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1121 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1121 | 125MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 활성화/비활성화 | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSC1003BI5-040.0000 | - | ![]() | 3425 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1003 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSC1003 | 40MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 72 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | - | ± 10ppm | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC6011MI1B-012.2880 | - | ![]() | 7391 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC60XXB | 가방 | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.079 "L x 0.063"W (2.00mm x 1.60mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VFLGA | xo (표준) | 12.288 MHz | CMOS | 1.71V ~ 3.63V | - | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011MI1B-012.2880 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 100 | 대기 (다운 전원) | 1.3MA (유형) | MEMS | ± 50ppm | - | - | 1.5µA (() | ||||||||
![]() | MO-9000AE-7K-EE-2M00000000 | - | ![]() | 7779 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | Mo-9000a | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.031 "(0.80mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 2 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-MO-9000AE-7K-EE-2M00000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 250 | 활성화/비활성화 | 4.5MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | - | ||||||||
![]() | VC-801-1041-16M0000000 | - | ![]() | 9765 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VC-801 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | - | - | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.055 "(1.40mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 16MHz | CMOS | - | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VC-801-1041-16M0000000TR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1 | - | 5MA | 결정 | - | - | - | 30µA | |||||||||
![]() | VCC1-B3E-12M8000000TR | - | ![]() | 7046 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | VCC1 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -10 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.075 "(1.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | 12.8 MHz | CMOS | 3.3v | 다운로드 | 영향을받지 영향을받지 | 150-VCC1-B3E-12M8000000TR | 귀 99 | 8541.60.0080 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 7ma | 결정 | ± 25ppm | - | - | 30µA | |||||||||
![]() | DSA1101111DA2-025.0000VAO | - | ![]() | 4005 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1101 | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | 25MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1101DA2-025.0000VAO | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 95µA | ||||||||
DSA10011DI2-033.3333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333t | - | ![]() | 7719 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | DSA1001 | 33.3333 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DI2-033.3333333333333333333333333333333333333333333 333333333333333333333333333333333333333333333333333333333333tvao입니다 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 10.5MA | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC6331JA2AB-004.0000 | - | ![]() | 9921 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC63XXB | 튜브 | 활동적인 | -40 ° C ~ 125 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.89mm) | 표면 표면 | 4-VLGA | xo (표준) | 4 MHz | LVCMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6331JA2AB-004.0000 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | - | 3MA (유형) | MEMS | ± 25ppm | - | ± 0.25%, 센터 스프레드 | - | ||||||||
![]() | DSC400-0103Q0102KE2T | - | ![]() | 6877 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC400 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 20-vfqfn 노출 패드 | xo (표준) | DSC400 | LVCMOS, LVD | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | - | 0.035 "(0.90mm) | MEMS | ± 25ppm | 148.5MHz | 14.7456MHz | - | - | ||||||||||
![]() | DSC1001BI2-148.5000T | 1.2360 | ![]() | 4351 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.197 "LX 0.126"W (5.00mm x 3.20mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 148.5 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 3 (168 시간) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC1123CE5-393.2160T | - | ![]() | 5468 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1123 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.126 "L x 0.098"W (3.20mm x 2.50mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1123 | 393.216 MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC1123CE5-393.2160TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 활성화/비활성화 | 32MA | MEMS | ± 10ppm | - | - | 22MA | |||||||
![]() | DSA1001DL3-033.5544444444444444444444444444444444444444444444444444444TVAO | - | ![]() | 3570 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSA1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 105 ° C | AEC-Q100 | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-vdfn | xo (표준) | 33.5544 MHz | CMOS | 1.7V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSA1001DL3-033.554444TVAOTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8ma | MEMS | ± 20ppm | - | - | 15µA | ||||||||
![]() | DSC1001AI2-133.0000T | - | ![]() | 2660 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1001 | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | -40 ° C ~ 85 ° C | AEC-Q100 | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 4-SMD,, 노출 패드 없음 없음 | xo (표준) | DSC1001 | 133 MHz | CMOS | 1.8V ~ 3.3V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | 대기 (다운 전원) | 8.7ma | MEMS | ± 25ppm | - | - | 15µA | |||||||
![]() | DSC1103NE1-125.0000 | 2.1100 | ![]() | 3160 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1103 | 튜브 | 활동적인 | -20 ° C ~ 70 ° C | - | 0.276 "L x 0.197"W (7.00mm x 5.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-SMD,, 없음 | xo (표준) | DSC1103 | 125MHz | LVD | 2.25V ~ 3.63V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 50 | 대기 (다운 전원) | 32MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA | |||||||
![]() | VXB1-1F2-20M0000000 | - | ![]() | 5744 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | * | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8541.60.0050 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC6011JI2B-050.0000T | - | ![]() | 7847 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | - | 테이프 & tr (TR) | 활동적인 | 다운로드 | Rohs3 준수 | 영향을받지 영향을받지 | 150-DSC6011JI2B-050.0000TTR | 귀 99 | 8542.39.0001 | 1,000 | |||||||||||||||||||||||||
![]() | DSC1101111DM1-032.0000 | - | ![]() | 5103 | 0.00000000 | 마이크로 마이크로 기술 | DSC1101 | 튜브 | 활동적인 | -55 ° C ~ 125 ° C | - | 0.098 "L x 0.079"W (2.50mm x 2.00mm) | 0.035 "(0.90mm) | 표면 표면 | 6-vdfn | xo (표준) | DSC1101 | 32 MHz | CMOS | 2.25V ~ 3.6V | 다운로드 | Rohs3 준수 | 1 (무제한) | 영향을받지 영향을받지 | 귀 99 | 8542.39.0001 | 140 | 대기 (다운 전원) | 35MA | MEMS | ± 50ppm | - | - | 95µA |
일일 평균 RFQ 볼륨
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